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一种制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包括：提供一至少包括一底材晶片；形成一渠沟于底材内；形成一闸极于渠沟的底部；形成一间隙壁于闸极的两侧并填满渠沟；植入离子于间隙壁两侧的底材内；进行第一快速加热制程以在底材内形成一源极／漏极区域与一...
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