非易失性内存及其制造方法技术

一种非挥发性内存及其制造方法，其结构于一基底中具有一沟渠，而有一埋入式位线横越此沟渠，且有一字线至少覆盖此沟渠并越过埋入式位线，又于基底与字线之间有一层电荷捕捉层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体器件的结构及其制造方法，且特别有关于一种非挥发性内存(non-volatile memory)的结构及其制造方法。附图说明图1是公知一种基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅(SONOS)内存的结构剖面图。请参照图1，基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅(SONOS)内存的结构通常是在基底100上有一层字线112，而于基底100与字线112之间具有一层氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)层104作为电荷捕捉层(charge trapping layer)，而于氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)层104两侧的基底100中具有埋入式位线(buried bit line)108，而于埋入式位线108与字线112之间有埋入式位线氧化层110。在传统的基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅(SONOS)内存中，因为其信道区域(channel region)都是平坦的，所以信道电流(channel current)将会随着存储单元(memory cell)的尺寸缩小而减少，使得存储单元中在状态“1”的信道电流与状态“0”的信道电流间的差异也被降低。本专利技术的目的是提供一种，可以防止本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非挥发性内存，包括： 一基底，该基底中具有一沟渠； 一埋入式位线，横越该沟渠； 一字线，至少覆盖该沟渠并越过该埋入式位线； 一电荷捕捉层，位于该基底与该字线之间。

【技术特征摘要】
1.一种非挥发性内存，包括一基底，该基底中具有一沟渠；一埋入式位线，横越该沟渠；一字线，至少覆盖该沟渠并越过该埋入式位线；一电荷捕捉层，位于该基底与该字线之间。2.如权利要求1所述的非挥发性内存，其特征在于其中该沟渠的形状包括U形。3.如权利要求1所述的非挥发性内存，其特征在于其中该电荷捕捉层包括氧化硅/氮化硅/氧化硅层。4.如权利要求1所述的非挥发性内存，其特征在于其中位于该埋入式位线与该字线之间还包括一埋入式位线氧化层。5.如权利要求1所述的非挥发性内存，其特征在于其中该字线的材质包括多晶硅。6.一种非挥发性内存的制造方法，其特征在于包括提供一基底；于该基底中形成一沟渠；于该基底上形成一电荷捕捉层，并覆盖该沟渠表面；暴露出部分该基底以形成一区域，其中该区域横越该沟渠；于该区域的该基底中形成一埋入式位线；于该埋入式位线所暴露出的表面形成一埋入式位线氧化层；于该电荷捕捉层上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭东政，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]