【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关一种半导体内连线(inter-connection)工艺,且特别是有关于一种接触窗(contact)的制造方法。然而,公知的接触窗制造方法由于使用氧化层作为研磨终点(endpoint),而氧化层又是属于亲水性的材质(hydrophilic material),所以当进行化学机械研磨的工艺时,所采用的研磨液(slurry)多为水溶液(aqueous solution),因此在化学机械研磨工艺期间的研磨速率将会增加,进而造成氧化层损耗(oxide loss)以及钨层的碟形缺陷(dishing)。本专利技术的再一目的在提供一种,以防止导体层发生碟形缺陷。本专利技术的另一目的在提供一种,以减少作为内金属介电层(inter-metal dielectric layer或pre-metal dielectric layer,简称IMD layer或PMD layer)的氧化层的损耗。根据上述与其它目的,本专利技术提出一种,包括于一基底上先形成一层内金属介电层,再于内金属介电层上形成一层覆盖层,其中覆盖层为低介电常数且斥水的材质(hydrophobicmaterial),而适于采用斥水含碳类(hydrophobic C species)作为覆盖层的材质,且其介电常数通常低于3.5,并需低于内金属介电层的介电常数。然后,图案化覆盖层与内金属介电层,以形成一接触窗开口。接着,于基底上沉积一层导体层,以填满接触窗开口。随后,以覆盖层作为研磨终点,对导体层进行一化学机械研磨工艺,借以去除接触窗开口以外的导体层。此外,本专利技术也可应用于介层窗的制造。由于本 ...
【技术保护点】
一种接触窗的制造方法,其特征是,该方法包括:提供一基底;于该基底上形成一介电层;于该介电层上形成具有低一介电常数的一覆盖层,其中该覆盖层为斥水含碳的材质,且该介电常数低于该介电层的介电常数;图案化该覆盖层与该介电层,以形成一 开口;以及于该开口中填入一导体层。
【技术特征摘要】
1.一种接触窗的制造方法,其特征是,该方法包括提供一基底;于该基底上形成一介电层;于该介电层上形成具有低一介电常数的一覆盖层,其中该覆盖层为斥水含碳的材质,且该介电常数低于该介电层的介电常数;图案化该覆盖层与该介电层,以形成一开口;以及于该开口中填入一导体层。2.如权利要求1所述的接触窗的制造方法,其特征是,该覆盖层包括无机的材质。3.如权利要求1所述的接触窗的制造方法,其特征是,该覆盖层包括有机的材质。4.如权利要求1所述的接触窗的制造方法,其特征是,于该基底上形成该介电层之前,更包括于该基底上形成一金属层;以及图案化该金属层,以形成一金属线。5.如权利要求1所述的接触窗的制造方法,其特征是,于该基底上形成该介电层之后,更包括进行一平坦化工艺。6.如权利要求5所述的接触窗的制造方法,其特征是,该平坦化工艺包括化学机械研磨工艺。7.如权利要求1所述的接触窗的制造方法,其特征是,于图案化该覆盖层与该介电层之后,更包括于该基底上形成一阻障层覆盖该开口。8.如权利要求7所述的接触窗的制造方法,其特征是,该阻障层的材质包括钛/氮化钛。9.如权利要求1所述的接触窗的制造方法,其特征是,于该开口中填入该导体层的步骤,包括于该基底上沉积一导体层,并填满该开口;以及以该覆盖层为研磨终止层,对该导体层进行一化学机械研磨工艺,以去除该开口以外的该导体层。10.如权利要求9所述的接触窗的制造方法,其特征是,该导体层的材质包括钨。11.如权利要求1所述的接触窗的制造方法,其特征是,该介电层的材质选自包括氧化硅与氮化硅的族群。12.如权利要求1所述的接触窗的制造方法,其特征是,该介电层的材质包括低介电常数的材质。13.如权利要求1所述的接触窗的制造方法,其特征是,该覆盖层的该介电常数低于3.5。14.一种接触窗的制造方法,其特征是,该方法包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:张炳一,郑培仁,
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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