【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种半导体器件的制造方法，且特别是有关于一种具有缩小间距的晶体管器件的制造方法。而晶体管的栅极导电物是利用公知的微影技术定义出的。通常光阻膜，其例如是先将一光阻旋涂至多晶硅材料上，之后利用投射光线(典型的是紫外光)穿透光罩上透光区域，以将影像转移至至光阻上。之后利用光化学反应改变光阻层被曝光的区域的溶解度，再利用溶剂，诸如显影液清洗光阻，以移除其高溶解度的区域，然后再烘烤保留下来的光阻。而这些保留下来的光阻将具有高的抗蚀刻能力，而能移除多晶硅材料。多晶硅材料未被光阻层覆盖的区域将会被蚀刻，而定义出晶体管器件的栅极导电物。然而，器件尺寸的最小值将受到光阻特征图案的限制，其可能影响的因素包括投射系统的分辨率，所谓分辨率指的是光学系统分辨靠近的两物体的距离。另外，当光通过光罩上狭缝似的透光区域时，绕射效应也可能会非预期的发生，此外，光的散射也可能会影响光学系统的分辨率。如此一来，光罩上的图案将可能无法成功的转移到光阻，而造成光阻特征图案产生偏斜。因此，微影工艺限制了公知集成电路的特征图案的最小宽度。这就是为何利用微影工艺来定义时，要缩小两晶体管的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成具有缩小间距的晶体管的方法，其特征在于，包括提供一基底，该基底上已形成有一第一导电层、一终止层以及一第二导电层；在该第二导电层上形成一图案化的光阻层；在该光阻层的表面上形成一第一介电层；利用该第一介电层为一蚀刻罩幕定义该第一导电层、该终止层以及该第二导电层；移除该光阻层以及该第一介电层；在该基底上方形成一绝缘层；移除该绝缘层至该第二导电层的上表面，以使该第二导电层暴露出来；移除该第二导电层；在该绝缘层的表面上形成一第二介电层；利用该第二介电层作为一蚀刻罩幕定义该终止层以及该第一导电层；以及移除该第二介电层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，移除该第二导电层的方法包括蚀刻该第二导电层，其中该绝缘层的蚀刻速率小于该第二导电层的蚀刻速率。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该终止层选自氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅所组成的族群其中之一。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一以及第二导电层包括多晶硅。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一以及第二介电层包括一高分子材料层，其于一蚀刻机台中形成。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，该绝缘层包括氧化层。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，移除该第二导电层的方法包括利用一干式蚀刻工艺。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，移除该绝缘层的方法包括利用一干式蚀刻工艺。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，移除该绝缘层的方法包括利用化学机械研磨工艺研磨该绝缘层。10.一种形成具有缩小间距的晶体管的方法，其特征在于，包括提供一基底，该基底上已形成有被一定义的终止层覆盖的一定义的第一导电层以及一定义的绝缘层，其中该绝缘层与该第一导电层以及该终止层相互布置，以使至少一部份的该定义的绝缘层的高度大于该第一导电层与该终止层的总高度；在该定义的绝缘层暴露的表面上形成一高分子材料层；利用该高分子材料层做为一蚀刻罩幕定义该终止层以及该第一导电层；以及移除该高分子材料层。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，提供一基底的步骤包括在一基底上形成该第一导电层、该终止层以及一第二导电层；在该第二导电层上形成一图案化的光阻层；在该光组层的表面上...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖俊仁，陈建维，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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