条件式返工生产流程的控制方法技术

一种条件式重工生产流程的控制方法，用以控制一批晶片于一主流程上所进行的工艺，该主流程包括一前站及一后站，其中该前站具有一重工流程，而该后站具有一指定机台，其特征是，该控制方法包括下列步骤：　　　　设定一条件式重工机制；　　　　当该批晶片进入该前站而进行该前站的工艺时，如果该批晶片的工艺不良，则该批晶片会进入一重工流程而进行该重工流程的工艺，并且该条件式重工机制会记录该批晶片的一重工信息；　　　　该批晶片会返回该主流程而继续进行该主流程之其它站的工艺；　　　　当该批晶片进入该后站时，该条件式重工机制会依据该重工信息而使该批晶片进入该指定机台，以进行该后站的工艺。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种生产流程的控制方法，且特别是有关于一种。
技术介绍
集成电路(例如是罩幕式只读存储器(Mask ROM))在工艺的过程中，通常会在主流程(main route)上进行一连串的工艺，而完成集成电路的制造。但是如果一批晶片(LOT)于主流程的某个站中所进行的工艺不良，则会进入重工流程而进行重工工艺，直到重工工艺完成后，才会返回主流程而继续主流程之其它站的工艺。为了更清楚起见，请参照图1，其为正常的重工流程的示意图。在图1中，主流程102包括微影站104、蚀刻站106、以及其它站(未绘示)。当一批晶片于微影站104中所进行的微影工艺不良时，此批晶片会进入微影站104中的重工流程108而进行重工工艺，直到重工工艺完成后，此批晶片会返回主流程102而继续进行其它站的工艺(例如是显影后检视工艺)，之后会进入蚀刻站106进行蚀刻工艺。为了提高重工过的此批晶片的合格率，通常会指定此批晶片进入主流程102的蚀刻站106中的指定机台(例如是DPS机型的机台)。而公知的指定机台的重工流程的示意图，请参照图2所示。由图2可知，公知的集成电路生产方式是将主流程202中的微影站204至蚀刻站206的工艺亦建构于重工流程208之中，并且指定重工流程208的蚀刻站206中指定机台(例如是DPS机型的机台)，而使因为主流程202的微影站204所进行的工艺不良而需重工的一批晶片能达成提高合格率的目的。然而，这样的解决方式会因为重工流程208中的工艺站变的很长，而使基本记录设定容易出错。例如主流程202的设定有变更时，有时会忘了重新设定重工流程208；或者是重工流程208的设定有变更时，有时会忘了重新设定主流程202。再者，如果已重工过的此批晶片需再一次的重工，则需将此批晶片移回至重工流程208，再一次地进行重工工艺，而使出错率增加。另外，如果主流程202中有特别工程请求(special engineering request，简称SER)时，则在重工流程208中的此批晶片会因为错过特别工程请求而无法正确地制造出来。例如，在非生产时的测试过程中，虽然最初已事先设定于微影站204做特别工程请求，但是因为此特别工程请求只在主流程202中做特别工程请求，所以当于主流程202的微影站204做特别工程请求的一批晶片因为工艺不良而进入重工流程208时，将会因为错过特别工程请求，而与一般生产的一批晶片无异，而失去特别工程请求的效用(如图2所示)。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出一种。本专利技术是通过条件式的设定方式来达成指定机台的重工流程，所以无须将微影站至蚀刻站的工艺建构于重工流程中而与正常的重工流程无异，因此本专利技术既能增加晶片的生产合格率，而且也可以避免公知的指定机台的重工流程的缺点。为达成上述目的，本专利技术提出一种。此控制方法是用以控制一批晶片于主流程上所进行的工艺，主流程包括前站及后站，其中前站具有重工流程，而后站具有指定机台。在此控制方法中，首先会设定条件式重工机制。接着，当此批晶片进入前站而进行前站的工艺时，如果此批晶片的工艺不良，则此批晶片会进入重工流程而进行重工流程的工艺，并且条件式重工机制会记录此批晶片的重工信息。接下来，此批晶片会返回主流程而继续进行主流程的其它站的工艺。之后，当此批晶片进入后站时，条件式重工机制会依据重工信息而使此批晶片进入指定机台，以进行后站的工艺。另外，当此批晶片进入前站而进行前站的工艺时，如果此批晶片的工艺良好，则此批晶片会继续进行主流程的其它站及后站的工艺。在本专利技术的较佳实施例中，条件式重工机制包括前站的条件判断机制及后站的动作执行机制。其中条件判断机制系用以记录该重工信息。而动作执行机制是依据重工信息，而指定此批晶片进入指定机台。在本专利技术的较佳实施例中，前站的工艺包括微影工艺。在本专利技术的较佳实施例中，重工流程的工艺包括去除光阻。在本专利技术的较佳实施例中，后站的工艺包括蚀刻工艺。本专利技术还提出一种。此控制方法是用以控制一批晶片于主流程上所进行的工艺，主流程包括前站及后站，其中前站具有重工流程，而后站具有指定机台。在此控制方法中，首先会设定条件式重工机制，条件式重工机制包括前站的条件判断机制及后站的动作执行机制。接着，当此批晶片进入前站而进行前站的工艺时，如果此批晶片的工艺良好，则此批晶片会继续进行主流程的其它站及后站的工艺。而当此批晶片进入前站而进行前站的工艺时，如果此批晶片的工艺不良，则此批晶片会进入重工流程而进行重工流程的工艺，并且条件判断机制会记录此批晶片的重工信息。接下来，已重工的此批晶片会返回主流程而继续进行主流程的其它站的工艺。最后，当已重工的此批晶片进入后站时，动作执行机制会依据重工信息而使已重工的此批晶片进入指定机台，以进行后站的工艺。综上所述，本专利技术是通过条件式的设定方式来达成指定机台的重工流程，所以无须将微影站至蚀刻站的工艺建构于重工流程中而与正常的重工流程无异，因此本专利技术既能增加晶片的生产合格率，而且也可以避免公知的指定机台的重工流程的缺点。附图说明图1为正常的重工流程的示意图；图2为公知的指定机台的重工流程的示意图；图3为根据本专利技术一较佳实施例的条件式重工生产流程的示意图；以及图4为根据本专利技术一较佳实施例的的流程图。102、202、302主流程104，204微影站106，206蚀刻站108、208、308重工流程304前站306后站310其它站S402～S420本专利技术一较佳实施例的施行步骤具体实施方式请参照图3，其为根据本专利技术一较佳实施例的条件式重工生产流程的示意图。由图3可知，主流程302包括前站304、后站306、以及其它站310。其中前站304会进行例如是微影的工艺，并且具有重工流程308，而在重工流程308中，会进行例如是去除光阻的工艺。后站306会进行例如是蚀刻的工艺，并且具有指定机台(例如是DPS机型的机台)。而其它站310会进行例如是显影后检视的工艺。接下来请参照图4，其为根据本专利技术一较佳实施例的的流程图。底下将配合图3做说明。此控制方法是用以控制一批晶片于主流程302上所进行的工艺。在此控制方法中，首先会设定条件式重工机制，条件式重工机制包括前站304的条件判断机制及后站306的动作执行机制(如步骤S402)。接着，当此批晶片进入前站304而进行前站304的工艺(如步骤S404)时，会判断此批晶片的工艺是否良好(如步骤S406)。如果此批晶片的工艺良好，则良好的此批晶片会继续进行主流程302的其它站310的工艺，并且进入后站306(如步骤S410及步骤S412)。而如果此批晶片的工艺不良，则此批晶片会进入重工流程308而进行重工流程308的工艺，并且条件判断机制会记录此批晶片的重工信息(如步骤S408)。接着，已重工的此批晶片会返回主流程302而继续进行主流程302的其它站310的工艺，然后进入后站306(如步骤S410及步骤S412)。接下来，当此批晶片进入后站306时，动作执行机制会激活，而依据重工信息来判断此批晶片是否重工过(如步骤S414)。如果动作执行机制判断此批晶片已重工过，则会使已重工的此批晶片进入指定机台，以进行后站306的工艺(如步骤S416)。而如果动作执行机制判断此批晶片未重工过(亦即是此批晶片是良好的)，则会使良好的此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种条件式重工生产流程的控制方法，用以控制一批晶片于一主流程上所进行的工艺，该主流程包括一前站及一后站，其中该前站具有一重工流程，而该后站具有一指定机台，其特征是，该控制方法包括下列步骤设定一条件式重工机制；当该批晶片进入该前站而进行该前站的工艺时，如果该批晶片的工艺不良，则该批晶片会进入一重工流程而进行该重工流程的工艺，并且该条件式重工机制会记录该批晶片的一重工信息；该批晶片会返回该主流程而继续进行该主流程之其它站的工艺；当该批晶片进入该后站时，该条件式重工机制会依据该重工信息而使该批晶片进入该指定机台，以进行该后站的工艺。2.如权利要求1所述的条件式重工生产流程的控制方法，其特征是，更包括下列步骤当该批晶片进入该前站而进行该前站的工艺时，如果该批晶片的工艺良好，则该批晶片会继续进行该主流程的其它站及该后站的工艺。3.如权利要求1所述的条件式重工生产流程的控制方法，其特征是，该条件式重工机制包括该前站的一条件判断机制及该后站的一动作执行机制。4.如权利要求3所述的条件式重工生产流程的控制方法，其特征是，该条件判断机制系用以记录该重工信息。5.如权利要求3所述的条件式重工生产流程的控制方法，其特征是，该动作执行机制是依据该重工信息，而指定该批晶片进入该指定机台。6.如权利要求1所述的条件式重工生产流程的控制方法，其特征是，该前站的工艺包括微影工艺。7.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶斯顺，赖孟正，郭子福，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：