非易失性存储单元阵列的操作方法技术

一种非挥发性存储单元阵列的操作方法，适用于操作ＮＡＮＤ型存储单元阵列，其中各个存储单元具有电荷陷入层。在进行此非挥发性存储单元阵列的操作时，利用Ｆ－Ｎ穿隧效应进行整个存储单元阵列的抹除，并利用热电洞注入效应进行单一存储单元单一位的编码。由于采用Ｆ－Ｎ穿隧效应，其电子注入效率较高，故可以降低抹除时的存储单元电流，并同时能提高操作速度。而且，电流消耗小，可有效降低整个芯片的功率损耗。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种非挥发性存储单元阵列(Non-Volatile MemoryArray)的操作方法，且特别是有关于一种单一存储单元二位(1 Cell 2 Bits)储存的可电抹除且可程序只读存储器(Electrically Erasable ProgrammableRead Only Memory，EEPROM)阵列的操作方法。
技术介绍
非挥发性存储器中的可电抹除且可程序只读存储器具有可进行多次数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器器件。典型的可电抹除且可程序只读存储器以掺杂的多晶硅制作浮栅极(Floating Gate)与控制栅极(Control Gate)。当存储器进行程序化(Program)时，注入浮栅极的电子会均匀分布于整个多晶硅浮栅极层之中。然而，当多晶硅浮栅极层下方的穿隧氧化层有缺陷存在时，就容易造成器件储存的电子的遗失，影响器件的可靠度。于是，为了解决可电抹除可程序只读存储器器件漏电流的问题，而采用一电荷陷入层取代多晶硅浮栅极，此电荷陷入层的材质例如是氮化硅。在此电荷陷入层的上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非挥发性存储单元阵列的操作方法，该非挥发性存储单元阵列包括复数个存储单元列，各该存储单元列中的该些存储单元串联连接于一第一选择晶体管与一第二选择晶体管之间；各该存储单元至少包括具一基底、一源极区、一漏极区、一电荷陷入层与一栅极；复数字元线在行方向平行排列，且连接同一行的该些存储单元的该栅极；复数上位线分别连接各该些第一选择晶体管的源极；复数下位线分别连接各该些第二选择晶体管的漏极；一第一选择栅极线连接同一行的该些第一选择晶体管的栅极，一第二选择栅极线连接同一行的该些第二选择晶体管的栅极；其特征在于该方法包括：在进行抹除操作时，于该些字符线上施加一第一电压，于该些存储单元的该基底上施加一第二...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种非挥发性存储单元阵列的操作方法，该非挥发性存储单元阵列包括复数个存储单元列，各该存储单元列中的该些存储单元串联连接于一第一选择晶体管与一第二选择晶体管之间；各该存储单元至少包括具一基底、一源极区、一漏极区、一电荷陷入层与一栅极；复数字元线在行方向平行排列，且连接同一行的该些存储单元的该栅极；复数上位线分别连接各该些第一选择晶体管的源极；复数下位线分别连接各该些第二选择晶体管的漏极；一第一选择栅极线连接同一行的该些第一选择晶体管的栅极，一第二选择栅极线连接同一行的该些第二选择晶体管的栅极；其特征在于该方法包括在进行抹除操作时，于该些字符线上施加一第一电压，于该些存储单元的该基底上施加一第二电压，该第一电压与该第二电压的电压差足以使电子注入该些存储单元的该电荷陷入层，以进行整个存储单元阵列的抹除；进行程序化操作时，于选定的该存储单元所耦接的该字符线上施加一第三电压，非选定该些字符线上施加一第四电压，以打开该些存储单元的信道，于选定的该上位线施加一第五电压，非选定该些上位线与该些下位线施加一第六电压，以利用热电洞注入效应程序化该存储单元的一源极侧位；以及进行读取操作时，于选定的该存储单元所耦接的该字符线上施加一第七电压，非选定该些字符线上施加一第八电压，以打开该些存储单元的信道，于选定的该下位线施加一第九电压，非选定该些上位线与该些下位线施加一第十电压，以读取该存储单元的该源极侧位。2.如权利要求1所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征在于还包括于选定的该存储单元所耦接的该字符线上施加该第三电压，非选定该些字符线上施加该第四电压，以打开该些存储单元的信道，于选定的该下位线施加该第五电压，非选定该些下位线与该些上位线施加该第六电压，以利用热电洞注入效应程序化该存储单元的一漏极侧位。3.如权利要求2所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征在于还包括进行读取操作时，于选定的该存储单元所耦接的该字符线上施加该第七电压，非选定该些字符线上施加该第八电压，以打开该些存储单元的信道，于选定的该上位线施加该第九电压，非选定该些下位线与该些上位线施加该第十电压，以读取该存储单元的该漏极侧位。4.如权利要求1所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征在于该电压差为0伏特至-40伏特左右。5.如权利要求1所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征在于该第一电压为0伏特至-20伏特左右。6.如权利要求1所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征在于该第二电压为0伏特至20伏特左右。7.如权利要求1所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征在于该第三电压为0伏特至-15伏特左右。8.如权利要求1所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征在于该第四电压为0伏特至10伏特左右。9.如权利要求1所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征在于该第五电压为0伏特至10伏特左右。10.如权利要求1所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征在于该第六电压为0伏特至10伏特左右。11.如权利要求1所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征在于该第七电压为0伏特至10伏特左右。12.如权利要求1所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征在于该第八电压为0伏特至10伏特左右。13.如权利要求1所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征在于该第九电压为0伏特至5伏特左右。14.如权利要求1所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征在于该第十电压为0伏特至5伏特左右。15.一种非挥发性存储单元阵列的操作方法，适用于操作NAND型存储单元阵列，该存储单元阵列包括复数个存储单元列，各该存储单元列中的该些存储单元串联连接于一第一选择晶体管与一第二选择晶体管之间；各该存储单元至少包括具一基底、一源极区、一漏极区、一电荷陷入层与一栅极；复数字元线在行方向平行排列，且连接同一行的该些存储单元的该栅极；复数上位线分别连接各该些第一选择晶体管的源极；复数下位线分别连...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶致锴，蔡文哲，卢道政，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]