罩幕式只读存储器的制造方法及其结构技术

一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法于一基底上依序形成栅极介电层与条状的复数第一导体层，再于基底与第一导体层上形成介电层。接着，图案化介电层以形成复数的编码开口，其中每一编码开口底部暴露出第一导体层，再于编码开口底部的第一导体层中形成复数的阱区。然后，于介电层上与编码开口中形成条状的复数第二导体层并电性连接至阱区以形成一二极管存储单元数组。并且此二极管存储单元数组可以堆栈复数层以增加元件的集成度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种只读存储器(Read Only Memory，ROM)的制造方法，且特别是有关于一种罩幕式只读存储器(Mask ROM)的制造方法。
技术介绍
由于只读存储器具有不因电源中断而丧失其中所储存的资料的非挥发(Non-Volatile)特性，因此许多电器产品中都必须具备此类内存，以维持电器产品开机时的正常操作。只读存储器中最为基础的一种即是罩幕式只读存储器，一般常用的罩幕式只读存储器利用信道晶体管当作存储单元，并于程序化(Program)阶段选择性地植入离子到指定的信道区域，通过改变启始电压(Threshold Voltage)而达到控制存储单元在读取操作中导通(On)或关闭(Off)的目的。如上所述，罩幕式只读存储器的存储单元数组通常是由晶体管的型态所构成，然而，此种以晶体管构成存储单元数组的罩幕式只读存储器具有下述的问题由于晶体管对于其下方的硅基底、栅极氧化层等的品质要求较高，因此其制作工艺条件较为严苛，而且，由于此因素，使得此种以晶体管构成的存储单元数组并不容易向上堆栈一层以上。而且，晶体管形式的存储单元数组会由于漏电流等因素，使得其0/1的译码裕度较小并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：包括下列步骤：于一基底上依序形成栅极介电层与条状的复数第一导体层；于该基底与该些第一导体层上形成一第一介电层；图案化该第一介电层以形成复数的第一编码开口，其中每一该些第一编 码开口底部暴露出该些第一导体层；于该些第一编码开口底部的该些第一导体层中形成复数的第一阱区；以及于该第一介电层上与该些第一编码开口中形成条状的复数第二导体层，其中该些第二导体层电性连接该些第一阱区，以形成一第一存储单元数组。

【技术特征摘要】
1.一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于包括下列步骤于一基底上依序形成栅极介电层与条状的复数第一导体层；于该基底与该些第一导体层上形成一第一介电层；图案化该第一介电层以形成复数的第一编码开口，其中每一该些第一编码开口底部暴露出该些第一导体层；于该些第一编码开口底部的该些第一导体层中形成复数的第一阱区；以及于该第一介电层上与该些第一编码开口中形成条状的复数第二导体层，其中该些第二导体层电性连接该些第一阱区，以形成一第一存储单元数组。2.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于该些第一导体层的材质包括掺杂多晶硅。3.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于该些第一导体层的掺杂型态不同于该些第一阱区的掺杂型态。4.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于该些第二导体层的材质包括选自铝、钨与铜所组的族群其中之一。5.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于该些第一导体层的走向垂直于该些第二导体层的走向。6.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于还包括于每一该些栅极氧化层与每一该些第一导体层之间形成一字符线。7.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于于该第一介电层上与该些第一编码开口中形成条状的该些第二导体层的步骤之后，还包括(a)于该第一介电层与该些第二导体层上形成一第二介电层；(b)于该第二介电层上形成条状的复数第三导体层；(c)于该第二介电层与该些第三导体层上形成一第三介电层；(d)图案化该第三介电层以形成复数的第二编码开口，其中每一该些第二编码开口暴露出该些第三导体层底部；(e)于该些第二编码开口底部的该些第三导体层中形成复数的第二阱区；以及(f)于该第三介电层上与该些第二编码开口中形成条状的复数第四导体层，其中该些第四导体层电性连接该些第二阱区，以形成一第二存储单元数组。8.如权利要求7所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于该些第三导体层的材质包括掺杂多晶硅。9.如权利要求7所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于该些第三导体层的掺杂型态不同于该些第二阱区的掺杂型态。10.如权利要求7所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于该些第四导体层的材质包括选自铝、钨与铜所组的族群其中之一。11.如权利要求7所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于该些第三导体层的走向垂直于该些第四导体层的走向。12.如权利要求7所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于还包括重复(a)～(f)的步骤，以于该第二存储单元数组上更形成复数层第二存储单元数组。13.一种罩幕式只读存储器的结构，其特征在于包括一基底；栅极介电层，配置在该基底上；条状的复数第一导体层，配置在该些栅极介电层上；一第一介电层，配置于该基底与该些第一导体层上，其中该第一介电层具有复数个第一编码开口，且该些第一编码开口暴露出该些第一导体层表面；复数个第一阱区，个别配置于该些第一编码开口底部的该些第一导体层中；以及条...

【专利技术属性】
技术研发人员：林圣评，周聪乙，杨俊仪，李祥邦，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]