闪存的制造方法技术

一种闪存的制造方法，此方法在基底上依序形成穿遂介电层与导体层，之后图案化此导体层，以形成浮置栅极（ｆｌｏａｔｉｎｇ　ｇａｔｅ），然后于此浮置栅极两侧的基底中形成源极／漏极区。接着，形成一栅间介电层，此栅间介电层之中包含一氧化层，该氧化层以实时蒸气产生制作工艺（Ｉｎ－ｓｉｔｕ　ｓｔｅａｍ　ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ，ＩＳＳＧ）形成在浮置栅极上。然后于栅间介电层上形成控制栅极（ｃｏｎｔｒｏｌ　ｇａｔｅ）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种闪存的栅极间介电层的制造方法。
技术介绍
闪存元件由于其优越的资料保存特性，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种内存元件。典型的闪存元件，一般是被设计成具有堆栈式栅极(Stack-Gate)结构，此结构包括一穿隧氧化层，一用来储存电荷的多晶硅浮置栅极(Floating gate)，一氧化硅/氮化硅/氧化硅(Oxide-Nitride-Oxide，ONO)结构的栅间介电层，以及一用来控制资料存取的多晶硅控制栅极(Control Gate)。公知的中，于形成栅间介电层中的氧化层时，通常使用炉管热氧化法或以高温热氧化法(High temperature oxidation)，由于此两种方法的操作温度约在750℃至950℃之间，操作时间长达4小时至6小时，其制作工艺热预算高，因此，会使得已制作完成的源极与漏极内的杂质向外扩散，使源极与漏极的区域轮廓变大，导致两相邻的源极与漏极之间隔变小(亦即，信道区长度变小)，而造成在正常的操作电压之下产生击穿(Punch Through)现象。此外，传统炉管热氧化法所制作的氧化层表面粗糙，亦会导致元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存的制造方法，其特征在于：包括下列步骤：在一基底上形成一穿遂介电层；于该穿遂介电层上形成一导体层；图案化该导体层以形成一浮置栅极；于该浮置栅极两侧的该基底中形成一源极／漏极区；于该浮置栅极上形成 一栅间介电层，该栅间介电层包含一直接覆盖在该浮置栅极上的一第一氧化硅层，该第一氧化层以一实时蒸气产生制作工艺形成；以及于栅间介电层上形成一控制栅极。

【技术特征摘要】
1.一种闪存的制造方法，其特征在于包括下列步骤在一基底上形成一穿遂介电层；于该穿遂介电层上形成一导体层；图案化该导体层以形成一浮置栅极；于该浮置栅极两侧的该基底中形成一源极/漏极区；于该浮置栅极上形成一栅间介电层，该栅间介电层包含一直接覆盖在该浮置栅极上的一第一氧化硅层，该第一氧化层以一实时蒸气产生制作工艺形成；以及于栅间介电层上形成一控制栅极。2.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于还包括于该第一氧化硅层之上形成一氮化硅层。3.如权利要求2项所述的闪存的制造方法，其特征在于还包括于该氮化硅层之上形成一第二氧化硅层。4.如权利要求1项所述的闪存的制造方法，其特征在于该浮置栅极的材质包括掺杂多晶硅。5.如权利要求1项所述的闪存的制造方法，其特征在于该实时蒸气产生制作工艺的反应气体组成包括氢气与氧气。6.如权利要求5项所述的闪存的制造方法，其特征在于该实时蒸气产生制作工艺的氢气比例在1％至33％之间，氧气比例包括在99％至67％之间。7.如权利要求1项所述的闪存的制造方法，其特征在于该实时蒸气产生制作工艺的操作温度范围在850℃至1000℃之间，操作压力在5torr至15torr之间。8.如权利要求1项所述的闪存的制造方法，其特征在于该实时蒸气产生制作工艺的氧化反应时间介于50至70秒之间。9.一种闪存的制造方法，其特征在于包括下列步骤在一基底上形成一穿遂介电层；于该穿遂介电层上形成一导体层；图案化该导体层以形成一浮置栅极；于该浮置栅极两侧的该基底中形成一源极/漏极区；进行一氧自由基反应制作工艺，以使该浮置栅极氧化形成一底氧化层；于该底氧化硅层上形成一氮化硅层；于该氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑培仁，韩宗廷，谢荣裕，姚俊敏，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]