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一种闪存的制造方法，此方法在基底上依序形成穿遂介电层与导体层，之后图案化此导体层，以形成浮置栅极（ｆｌｏａｔｉｎｇ　ｇａｔｅ），然后于此浮置栅极两侧的基底中形成源极／漏极区。接着，形成一栅间介电层，此栅间介电层之中包含一氧化层，该氧化层以实...
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