叠合标记的结构以及其形成方法技术

一种形成叠合标记的方法，其特征是，该方法包括：　　　　在一基底上形成一材料层；　　　　图案化该材料层，以形成一外部标记；　　　　在该材料层的表面上形成一第一膜层；　　　　进行一平坦化步骤，以移除部分该第一膜层；　　　　在该材料层上形成一第二膜层，覆盖该第一膜层，其中该第二膜层的应力是与该第一膜层的应力不同；　　　　移除该外部标记上方的该第二膜层；以及　　　　在该外部标记的内围形成一内部标号。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种叠合标记(Overlay Mark)的结构以及其形成方法，且特别是有关于一种可避免于半导体工艺中利用叠合标记对准时会发生对准量测错误的。
技术介绍
通常决定一晶圆的微影工艺(Photolithography Process)成败的因素，除了关键尺寸(Critical Dimension)的控制外，另一重要者即为对准精确度(Alignment Accuracy)。因此，对准精确度的量测，即叠合误差的量测是半导体工艺中重要的一环，而叠合标记就是用来量测叠合误差的工具，其是用来判断以微影工艺所图案化的光阻层图案与晶圆上之前一膜层之间是否有精确的对准。通常叠合标记会设计在晶圆上部分晶片周缘的角落处，用以量测该次微影工艺所图案化的光阻层图案与晶圆上之前一膜层之间是否有精确的对准。图1，其为公知于金属内连线工艺中一叠合标记的俯视示意图；图2A至图2C所示，其为图1中由I-I’的剖面示意图。请参照图1与图2A，通常在金属内连线工艺中，会先在基底100上形成一介电层102，之后图案化介电层102，以在特定位置处形成接触窗开口(未绘示)，并且同时在预定形成叠合标记之处形成沟渠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成叠合标记的方法，其特征是，该方法包括在一基底上形成一材料层；图案化该材料层，以形成一外部标记；在该材料层的表面上形成一第一膜层；进行一平坦化步骤，以移除部分该第一膜层；在该材料层上形成一第二膜层，覆盖该第一膜层，其中该第二膜层的应力是与该第一膜层的应力不同；移除该外部标记上方的该第二膜层；以及在该外部标记的内围形成一内部标号。2.如权利要求1所述的形成叠合标记的方法，其特征是，移除该外部标记上方的该第二膜层的步骤更包括将位于该外部标记的内围的该第二膜层都移除。3.如权利要求2所述的形成叠合标记的方法，其特征是，移除该外部标记上方以及该外部标记的内围的该第二膜层的方法包括在该第二膜层上形成一图案化光阻层，暴露出对应该外部标记以及该外部标记内围的区域；以及进行一蚀刻步骤，以移除未被该光阻层覆盖的该第二膜层。4.如权利要求1所述的形成叠合标记的方法，其特征是，该外部标记为一沟渠式外部标记或是一...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜裕林，张庆裕，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：