使半导体沉积层平整的方法技术

一种使半导体沉积层平整的方法，至少包括下述步骤：　　　　提供一基材；　　　　用高密度等离子化学气相沉积法（ｈｉｇｈ　　ｄｅｎｓｉｔｙ　　ｐｌａｓｍａ　　ｃｈｅｍｉｃａｌ　　ｖａｐｏｒ　　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＨＤＰ　　ＣＶＤ）在上述基材上形成一半导体沉积层；　　　　用溅射蚀刻法（ｓｐｕｔｔｅｒ　　ｅｔｃｈｉｎｇ）处理上述半导体沉积层表面；以及　　　　用化学机械研磨法（ｃｈｅｍｉｃａｌ　　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ，ＣＭＰ）使半导体沉积层的表面平整。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种依序用溅射蚀刻法(sputter etching)及化学机械研磨法(chemical mechanical polishing，CMP)处理半导体沉积层表面的方法。
技术介绍
在科技日新月异发展的现代社会中，各式各样号称为高科技的电子产品相继地融入现代人的生活中，使得现代人借助于这些电子产品来达到便利生活的目的。所以，电子产品成为现代人日常生活中不可或缺部分。其中，各种电子产品皆配置有不同的相应的集成电路(integrated circuit，IC)，而IC是通过半导体制造工艺将晶体管、二极管、电阻器及电容器等电路元件聚集于晶片(Die)上，形成完整的逻辑电路，以实现控制、计算或记忆等功能，从而使电子产品发挥其功能并处理现代人的各种事务。这给人们的生活带来极大的方便。请参照图1A～1E，这些图是传统的半导体制造工艺中流程剖面图。首先，在图1A中，提供一基材12，基材12例如是一晶片(wafer)，并在基材12上形成一氮氧化硅(SiON)层14。接着，在氮氧化硅层14上形成一氮化硅(SiN)层16，并在氮化硅层16上对光致抗蚀剂层18构图，如图1B所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种使半导体沉积层平整的方法，至少包括下述步骤提供一基材；用高密度等离子化学气相沉积法(high density plasma chemical vapordeposition，HDP CVD)在上述基材上形成一半导体沉积层；用溅射蚀刻法(sputter etching)处理上述半导体沉积层表面；以及用化学机械研磨法(chemical mechanical polishing，CMP)使半导体沉积层的表面平整。2.如权利要求1所述的方法，其中上述用溅射蚀刻法处理上述半导体沉积层的表面的步骤还包括用氧气(O2)等离子溅射该半导体沉积层表面的工序。3.如权利要求1所述的方法，其中上述用溅射蚀刻法处理上述半导体沉积层的表面的步骤还包括用氩气(Ar)等离子溅射该半导体沉积层表面的工序。4.如权利要求1所述的方法，其中上述用溅射蚀刻法处理上述半导体沉积层的表面的步骤还包括用氮气(N2)等离子溅射该半导体沉积层表面的工序。5.如权利要求1所述的方法，其中上述用溅射蚀刻法处理上述半导体沉积层表面的步骤还包括用一氧化二氮(N2O)等离子溅射该半导体沉积层表面的工序。6.如权利要求1所述的方法，其中上述基材包括一晶片。7.如权利要求6所述的方法，其中上述用高密度等离子化学气相沉积法在上述基材上形成一半导体沉积层的步骤还包括在上述基材上形成一氮氧化硅(SiON)层；在该氮氧化硅层上形成一氮化硅(SiN)层；在该氮化硅层上形成一已构图的光致抗蚀剂层；去除暴露的部分的上述氮化硅层及氮氧化硅层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：林经祥，廖振伟，杨云祺，洪永泰，陈俊甫，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：