三维立体掩膜制造技术

本发明专利技术公开了一种三维立体掩膜，通过增加掩膜上边界图案周缘的不透光层的厚度，增加入射光通过边界图案的路径长度，改善通过边界图案的入射光的光相干性，借此降低因为光干涉所造成的光学邻近效应，减少曝出的边界图案发生变形或是聚焦深度不足的问题，使三维立体掩膜能够曝出良好的图形。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置，且特别涉及一种三维立体掩膜，其可获得良好的边界图案，增进光刻曝光的效果。
技术介绍
在半导体工业中，光阻图案的制作是利用光刻曝光工具如步进机或是扫描机，在感光材料上曝光以定义出所需的图案。其步骤首先在半导体基底上涂布一层光阻层之后，利用曝光工具将掩膜上的图案投影至光阻层，然后将光阻层曝光的部分使用显影剂进行显影，使光阻层显现出掩膜上的图案。之后利用此图案化的光阻层为罩幕，进行后续的蚀刻或是离子注入工艺。掩膜一般以透明平板为基底，在平板上形成不透明的线路来定义所需的图案。透明平板一般由石英构成，不透明线路则通过蚀刻铬(Chrome)层定义出所需的电路图案。以辐射光源发出的入射光照射掩膜，经过掩膜的图案遮蔽以及光绕射形成图像，并且经过投影系统将虚拟图像投射在光阻层上。关于曝光技术其更进一步说明可参考pages274-276 of VLSI Technology edited by S.M.Sze(1983)。请参照图1，其是传统掩膜的结构剖面示意图。利用蚀刻、印刷等技术，在透明基板102上形成具有开口图案106的不透明的铬层104，借此形成掩膜100。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维立体掩膜，包括：　　　　一基底透光层；　　　　一不透光层，位于该基底透光层上，该不透光层具有一开口图案，且该开口图案中具有一边缘开口；以及　　　　一准直突起，位于该边缘开口的周缘的不透光层上。

【技术特征摘要】
1.一种三维立体掩膜，包括一基底透光层；一不透光层，位于该基底透光层上，该不透光层具有一开口图案，且该开口图案中具有一边缘开口；以及一准直突起，位于该边缘开口的周缘的不透光层上。2.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于该基底透光层的材质包括石英。3.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于该不透光层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪齐元，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]