半导体用的扫描工具的校正方法及其标准校正片技术

一种半导体用的扫瞄工具的校正方法，其特征在于其包括以下步骤：　　　　提供具有一标准图案的一晶圆，其中该标准图案的侧壁是呈斜坡状；以及　　　　利用一扫瞄工具扫瞄该晶圆上的该标准图案，以取得一讯号，该讯号是表现出该标准图案的侧壁处的位置，利用该讯号即能对该扫瞄工具作Ｘ方向、Ｙ方向以及Ｚ方向的校正。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件领域用于制造或处理半导体的方法或设备中的扫瞄工具的校正方法及其标准校正片，特别是涉及一种扫瞄式电子显微镜的匹配(match)与校正(calibration)的半导体用的扫瞄工具的校正方法及其用于校正扫瞄工具的标准校正片。
技术介绍
通常在半导体制程中，在一些制程步骤之后，都会使用扫瞄式电子显微镜(SEM tool)来观察晶圆上的图案是否有与预期的目标相符合。而且，在使用扫瞄式电子显微镜观察晶圆图案时，通常会先利用标准校正片来对扫瞄式电子显微镜作匹配(match)以及校正(calibration)的动作，以确保扫瞄式电子显微镜所呈现的结果不会产生偏差。而一般扫瞄式电子显微镜的校正的方法，是利用具有标准图案的标准校正片来进行。请参阅图1，是现有习知的用于校正扫瞄式电子显微镜的标准校正片的剖面示意图。该现有的标准校正片，是由一晶圆100以及晶圆100上的一膜层102所构成，且膜层102具有一标准图案104a或104b。特别是，标准图案104a或104b的侧壁都是垂直状的侧壁。之后，将该晶圆100置于扫瞄式电子显微镜中以进行扫瞄，即可取得标准图案104a或10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体用的扫瞄工具的校正方法，其特征在于其包括以下步骤提供具有一标准图案的一晶圆，其中该标准图案的侧壁是呈斜坡状；以及利用一扫瞄工具扫瞄该晶圆上的该标准图案，以取得一讯号，该讯号是表现出该标准图案的侧壁处的位置，利用该讯号即能对该扫瞄工具作X方向、Y方向以及Z方向的校正。2.根据权利要求1所述的半导体用的扫瞄工具的校正方法，其特征在于其中所述的晶圆是为一测试晶圆。3.根据权利要求1所述的半导体用的扫瞄工具的校正方法，其特征在于其中所述的晶圆是为一产品晶圆。4.根据权利要求1所述的半导体用的扫瞄工具的校正方法，其特征在于其中所述的扫瞄工具是为一扫瞄式电子显微镜。5.根据权利要求1所述的半导体用的扫瞄工具的校正方法，其特征在于其中所述的标准图案是为一开口图案，且该开口图案是为由上往下缩小的开口图案。6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马嘉淇，苏炎辉，吴敬斌，连楠梓，刘信成，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：