硫属化合物相变式非挥发性记忆体及其记忆元件与制造方法技术

一种记忆元件，是应用于硫属化合物（Ｃｈａｌｃｏｇｅｎｉｄｅ）相变式（Ｐｈａｓｅ－Ｃｈａｎｇｅ）非挥发性记忆体，其特征在于其包括：　　　　一上电极；　　　　一下电极；以及　　　　一相变式薄膜，夹于该上电极以及该下电极之间，其中该相变式薄膜是为掺杂有一元素在其中的硫属化合物，且该元素可促进硫属化合物固融体结晶速度加快。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种记忆体元件(记忆体元件，以下称记忆体元件)及其制造方法，特别是涉及一种硫属化合物(Chalcogenide)相变式(Phase-Change)非挥发性记忆体及其记忆元件与制造方法(CHALCOGENIDEPHASE-CHANGE MEMORY AND MEMORY ELEMENT THEREOF AND FABRICATINGMETHOD)。
技术介绍
非挥发性记忆体是一种不会因电源供应中断而使储存在其中的资料消失的记忆体，且目前具有可进行多次资料的程序化、读取、抹除等动作的非挥发性记忆体例如闪存((flash memory)、氮化硅记忆体(NROM)等等，已经广泛用于各种个人计算机和电子设备。而随着元件积集度的提高以及记忆体元件(内存元件，以下称记忆体元件)操作速度日益提升的要求下，硫属化合物相变式非挥发性记忆体(内存，以下称记忆体)是一种具有高积集度、低操作电压、高速程序化与读取的非挥发性记忆体，而且此种记忆体可以与CMOS制程整合在一起，因此已逐渐为人所重视。而关于硫属化合物相变式非挥发性记忆体可参考Stefan Lai，Tyler Lowrey，”OUM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种记忆元件，是应用于硫属化合物(Chalcogenide)相变式(Phase-Change)非挥发性记忆体，其特征在于其包括一上电极；一下电极；以及一相变式薄膜，夹于该上电极以及该下电极之间，其中该相变式薄膜是为掺杂有一元素在其中的硫属化合物，且该元素可促进硫属化合物固融体结晶速度加快。2.根据权利要求1所述的记忆元件，其特征在于其中所述的元素包括锡(Sn)。3.根据权利要求1所述的记忆元件，其特征在于其中所述的掺杂于硫属化合物中的该元素的比例是介于0.1％至90％莫耳百分比。4.根据权利要求3所述的记忆元件，其特征在于其中所述的掺杂于硫属化合物中的该元素的比例是低于10％莫耳百分比。5.根据权利要求1所述的记忆元件，其特征在于其中所述的硫属化合物是为Ge2Sb2Te5。6.一种记忆元件的制造方法，其是应用于硫属化合物相变式非挥发性记忆体，其特征在于其包括以下步骤形成一下电极；在该下电极上形成一相变式薄膜，其中该相变式薄膜是为掺杂有一元素在其中的硫属化合物，该元素可促进硫属化合物固融体结晶速度加快；以及在该相变式薄膜上形成一上电极。7.根据权利要求6所述的记忆元件的制造方法，其特征在于其中形成该相变式薄膜的方法是利用已掺杂有该元素在其中的硫属化合物靶材来进行溅镀制程以形成。8.根据权利要求6所述的记忆元件的制造方法，其特征在于其中形成该相变式薄膜的方法是利用含有该元素的靶材与硫属化合物靶材来进行共溅镀制程以形成。9.根据权利要求6所述的记忆...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈逸舟，龙翔澜，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：