【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种闪存，特别是关于一种为改善相邻记忆胞元干扰的0NO闪存数组。
技术介绍
图1显示两个记忆胞元102及104的闪存数组100，包括一基底106、一ONO(Oxide-Nitride-Oxide)层108、多晶硅110及112、位线114、116及118、埋藏扩散区120、122及124、氧化层126、字符线128以及信道130及132。如图所示，ONO层108在基底106上，多晶硅110、112及氧化层126在ONO层108上，位线114在多晶硅110右侧的基底内，位线116在多晶硅110及112之间的基底内，位线118在多晶硅112左侧的基底内，埋藏扩散区120、122及124分别包覆在位线114、116及118的周围，字符线128两个多晶硅110及112，信道130在埋藏扩散区120及122之间，信道132在埋藏扩散区122及124之间。当现有的闪存数组100使用带对带(band to band)程序化及抹除某一记忆胞元，例如图1中胞元104中ONO层108的资料136时，可能干扰与其相邻的记忆胞元102，使在胞元102中的资料134亦被程...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种为改善相邻记忆胞元干扰的ONO闪存数组，其特征在于，包括一基底，具有一第一及第二埋藏扩散区；一信道，在该第一及第二埋藏扩散区之间；一ONO层，在该信道上方，供储存数据；一第一口袋，在该信道一侧，与该第一埋藏扩散区邻接，具有一第一浓度；以及一第二口袋，在该信道另一侧，与该第二埋藏扩散区邻接，具有一...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘慕义，叶致锴，范左鸿，卢道政，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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