本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：基板；位于基板上的线路层，线路层的部分侧壁处设置有反射层；光纤阵列，与反射层间隔开的相对设置；光集成电路，部分地位于线路层上方，并且光集成电路的部分下表面位于反射层上方，以...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法，该半导体封装装置包括：第一线路层，具有第一表面；第二线路层，设置于所述第一表面，并设置有第一倾斜部；第一电子元件，主动面设置于所述第一倾斜部，非主动面设置有第一反射层；第二电子元件，相邻所述第一电子...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：光纤阵列元件；集成光路芯片，设置在光纤阵列元件的第一侧；反射面，设置在光纤阵列元件的第一侧并且位于集成光路芯片的上方，其中，反射面相对于光纤阵列元件或者集成光路芯片的角度可调节...

本申请涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：硅中介层，包括厚区与薄区，厚区的厚度大于薄区的厚度，硅中介层包括朝向相反的第一表面和第二表面，薄区自第一表面向第二表面方向减薄；导电孔，贯穿薄区并电连接硅中介层的第一表面和第二表面。该半导...

本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：基板，基板中具有空腔；扇出层，位于基板上方；第一芯片，连接于扇出层下方并且内埋于基板的空腔中；其中，基板与扇出层之间通过第一贯穿通孔直接电连接。板与扇出层之间通过第一贯穿通...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。半导体封装装置包括：线路层，所述线路层包括第一区和第二区；第一元件，设置于所述第一区上；第二元件，设置于所述第二区上；支撑件，设置于所述第一元件上；以及第一散热件，设置于所述第二元件上。所述第二元件...

本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，利用柔性线路板(Flexible Printed Circuit，FPC)可绕折的特点，将低介电常数/介电损耗(low dk/df)的载体作为支撑件，使FPC的接地反射导体绕折至FPC的辐射导体的...

提供了一种光电封装结构。所述光电封装结构包含热源、导热元件，和第一光电组件与第二光电组件。所述导热元件安置在所述热源上方。所述导热元件界定导热路径(P2)，热通过所述导热路径从所述热源传送到所述导热元件。所述第一光电组件与所述第二光电组...

本实用新型提出了一种半导体封装结构，该半导体封装结构的一个实施方式包括至少一个线路结构，而线路结构包括：第一介电层；导电层，凸出于所述第一介电层，所述导电层包括设置在所述第一介电层外侧的外凸部；阻挡层，连续延伸且直接接触所述外凸部的顶面...

本申请提供了一种半导体封装装置，该半导体封装装置的一个实施方式包括：第一芯片、第二芯片和桥接芯片，所述桥接芯片的主动面朝向所述第一芯片和所述第二芯片的非主动面设置，且所述桥接芯片通过导孔与所述第一芯片和所述第二芯片的主动面电性连接；封装...

本申请提出了一种半导体封装装置。本申请通过在包覆第一芯片和第二芯片的第一模封材的上下两侧，分别设置第一重布线层和第二重布线层，藉由CTE相同/相近的两层重布线层彼此对抗避免结构发生翘曲，并将桥接线路设置在第一重布线层和第二重布线层之间，...

本实用新型的实施例提供了一种用于电浆工艺的真空腔体，包括：上腔体，用于释放电浆；下腔体，与上腔体密封接合，下腔体用于容纳以下结构：电极，用于承载接受电浆工艺的产品；温控板，位于电极下方，温控板中具有复数个贯穿孔，复数个贯穿孔用于容纳热传...

本申请提出了一种半导体封装装置。该半导体封装装置包括：载体，间隔设置在载体上的光接收件和光发射件，透光层，以及滤光膜；透光层包覆光接收件，并具有相对的底面和顶面，底面朝向载体，顶面对外显露；滤光膜设置在透光层的顶面与底面之间，且投影范围...

本申请提供的半导体封装结构，利用一种含有碳黑材质的胶材，涂覆于电子元件的侧壁，再通过加热使其固化形成光阻挡体，该材质可通过光吸收原理实现侧光遮蔽效果。另外，该方式相对于DBR制程来说，成本较低，可以改善DBR制程易脱层、反光二次干扰之信...

本申请提出了一种半导体封装装置。本申请的半导体封装装置包括电子集成电路(EIC)和光子集成电路(PIC)以及电磁屏蔽结构，所述电磁屏蔽结构至少覆盖所述电子集成电路和光子集成电路的重叠区域。本申请通过在PIC、EIC外部设置电磁屏蔽结构，...

本申请提出了一种溅镀设备，通过在腔体外侧设置至少两个磁铁组，且靠近靶材的第一磁铁组的磁通量小于靠近产品的第二磁铁组的磁通量，使得腔体内磁性材料原子先穿过较弱的磁场让磁矩初步排列，再于远离靶材的位置穿过较强的磁场让磁矩进行进一步排列，以此...

本公开涉及半导体结构及其制造方法。通过在变形(deformation)最小处(例如基板的中心位置)设置用于连接基板之间的定位连接件，以尽量避免翘曲对定位连接件的对接点对位造成的影响，有利于提高产品良率。有利于提高产品良率。有利于提高产品...

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过利用下表面基本共面的高度控制板，控制电镀过程以实现在衬底上形成顶面基本共面的各第一导电柱。即通过利用各顶面基本共面的第一导电柱，可以提高衬底对外电连接的均匀度。进而提高产品电连接性能和良率。度...

本公开涉及半导体装置及其制造方法、半导体封装装置。该半导体装置包括：基板；至少两个第一导电件，位于基板的第一区域，其中，至少两个第一导电件对应于至少两种不同的高度；绝缘材，设置于相邻的第一导电件之间。在本公开的半导体装置及其制造方法、半...

本申请提出了一种半导体封装装置。本申请通过将第一芯片和第二芯片设置为彼此相对的L型，腾出可容纳桥接芯片的空间，即能将桥接芯片以桥接线路朝下的方向衔接在第一芯片和第二芯片之间，以此，除了能以桥接芯片抵挡来自上方的应力而保护桥接线路，还能缩...