半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：光纤阵列元件；集成光路芯片，设置在光纤阵列元件的第一侧；反射面，设置在光纤阵列元件的第一侧并且位于集成光路芯片的上方，其中，反射面相对于光纤阵列元件或者集成光路芯片的角度可调节。该半导体封装装置能够在半导体封装装置制造完成后对光纤阵列元件和集成光路芯片之间的光路进行微调，有利于提高半导体封装装置的耦光效率。有利于提高半导体封装装置的耦光效率。有利于提高半导体封装装置的耦光效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]硅光子(Silicon Photonics，Si
‑
Ph)技术用激光束代替电子信号传输数据，是一种基于硅光子学的低成本、高速的光通信技术。
[0003]图1是一种硅光子半导体封装装置的示意图。如图1所示，该半导体封装装置包括基板11、线路层12、发光阵列元件13、集成光路芯片14和反射部件15。线路层12设置在基板11上。集成光路芯片14设置在线路层12内。集成光路芯片14和反射部件15设置在线路层12上。其中，反射部件15位于集成光路芯片14的上方，发光阵列元件13位于反射部件15的一侧。反射部件15可对光线进行反射，从而实现发光阵列元件13和集成光路芯片14之间的耦光传输，发光阵列元件13和集成光路芯片14之间的光路如图1中的带有箭头的虚线所示。该半导体封装装置在制造完成后，发光阵列元件13、集成光路芯片14和反射部件15的相对位置便固定下来。如果发光阵列元件13和集成光路芯片14之间的光路有所偏移，无法进一步进行微调以改善耦光效率。
[0004]因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。

技术实现思路

[0005]本公开提供了一种半导体封装装置及其制造方法。
[0006]第一方面，本公开提供一种半导体封装装置，包括：
[0007]光纤阵列元件；
[0008]集成光路芯片，设置在所述光纤阵列元件的第一侧；
[0009]反射面，设置在所述光纤阵列元件的第一侧并且位于所述集成光路芯片的上方，其中，所述反射面相对于所述光纤阵列元件或者所述集成光路芯片的角度可调节。
[0010]在一些可选的实施方式中，所述反射面位于反射部件的表面，所述反射部件的第一部位与底部结构直接连接，所述反射部件的第二部位与所述底部结构之间设置有形变部件，所述形变部件用于调节所述反射面相对于所述光纤阵列元件或者所述集成光路芯片的角度。
[0011]在一些可选的实施方式中，所述底部结构包括基板和线路层，所述线路层设置在所述基板上，所述光纤阵列元件设置在所述线路层上，所述反射部件的第一部位与所述线路层或者所述基板直接连接，所述反射部件的第二部位与所述线路层之间设置有所述形变部件。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述反射部件的第一部位与所述线路层或者所述基板通过粘合材料接合。
[0013]在一些可选的实施方式中，所述反射部件为刚性材料。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述形变部件为热形变材料或者压电形变材料。
[0015]在一些可选的实施方式中，所述反射部件包括水平部和竖直部，所述竖直部与所述底部结构直接连接，所述水平部与所述底部结构之间设置有所述形变部件。
[0016]在一些可选的实施方式中，所述水平部包括斜面，所述斜面用于形成所述反射面。
[0017]在一些可选的实施方式中，所述水平部和所述竖直部一体制成。
[0018]第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置的制造方法，包括：
[0019]在集成光路芯片的周围设置介电材料，以形成线路层，其中，所述集成光路芯片的部分表面暴露在外；
[0020]将所述线路层设置与基板连接；
[0021]在所述线路层上设置光纤阵列元件，其中，所述集成光路芯片位于所述光纤阵列元件的第一侧；
[0022]将反射部件的第一部位与所述基板连接，并且在所述反射部件的第二部位与所述线路层之间设置形变部件，其中，所述反射部件具有反射面，所述反射面位于所述光纤阵列单元的第一侧并且位于所述集成光路芯片的上方，所述形变部件用于调节所述反射面相对于所述光纤阵列元件或者所述集成光路芯片的角度。
[0023]在一些可选的实施方式中，在所述将反射部件的第一部位与所述基板连接之前，所述方法还包括：
[0024]对金属部件进行冲压形成水平部和竖直部，其中，所述水平部具有斜面；
[0025]通过电镀方式在所述斜面处形成反射面，以得到所述反射部件。
[0026]在本公开提供的半导体封装装置及其制造方法中，反射面相对于光纤阵列元件或者集成光路芯片的角度可调节，因此能够在半导体封装装置制造完成后对光纤阵列元件和集成光路芯片之间的光路进行微调，有利于提高半导体封装装置的耦光效率。
附图说明
[0027]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0028]图1是现有技术中半导体封装装置的示意图；
[0029]图2
‑
图7是根据本公开实施例的半导体封装装置的第一示意图至第六示意图；
[0030]图8
‑
图15是根据本公开实施例的半导体封装装置的制造方法的示意图。
[0031]符号说明：
[0032]11、基板；12、线路层；13、发光阵列元件；14、集成光路芯片；15、反射部件；100、基板；200、线路层；210、导电柱；300、光纤阵列元件；400、集成光路芯片；410、收发光部位；500、反射部件；501、竖直部；502、水平部；503、斜面；510、反射面；520、粘合材料；600、集成电路芯片；700、形变部件；910、载体；920、键合头；930、毛细头；940、介电材料；950、表层线路；960、冲压装置；970、夹持装置；980、金属材料。
具体实施方式
[0033]下面结合附图和实施例对说明本公开的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本公开所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外，为了
便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。
[0034]需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本公开可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本公开所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本公开所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本公开可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本公开可实施的范畴。
[0035]还需要说明的是，本公开的实施例对应的纵向截面可以为对应前视图方向截面，横向截面可以为对应右视图方向截面，而水平截面可以为对应上视图方向截面。
[0036]应容易理解，本公开中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者之间的中间部件或层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：光纤阵列元件；集成光路芯片，设置在所述光纤阵列元件的第一侧；反射面，设置在所述光纤阵列元件的第一侧并且位于所述集成光路芯片的上方，其中，所述反射面相对于所述光纤阵列元件或者所述集成光路芯片的角度可调节。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述反射面位于反射部件的表面，所述反射部件的第一部位与底部结构直接连接，所述反射部件的第二部位与所述底部结构之间设置有形变部件，所述形变部件用于调节所述反射面相对于所述光纤阵列元件或者所述集成光路芯片的角度。3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述底部结构包括基板和线路层，所述线路层设置在所述基板上，所述光纤阵列元件设置在所述线路层上，所述反射部件的第一部位与所述线路层或者所述基板直接连接，所述反射部件的第二部位与所述线路层之间设置有所述形变部件。4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述反射部件的第一部位与所述线路层或者所述基板通过粘合材料接合。5.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述形变部件为热形变材料或者压电形变材料。6.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述反射部件包括水平部和竖...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：