半导体封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：基板，基板中具有空腔；扇出层，位于基板上方；第一芯片，连接于扇出层下方并且内埋于基板的空腔中；其中，基板与扇出层之间通过第一贯穿通孔直接电连接。板与扇出层之间通过第一贯穿通孔直接电连接。板与扇出层之间通过第一贯穿通孔直接电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体封装件中，为了满足高I/O连接件的需求，半导体基板的层数越来越多，厚度也随之增加。随着层数越来越多良率问题也越来越严重。因此，现有技术中在基板上设置扇出(fanout)层，以将基板中的部份线路层利用扇出层取代，通过贯穿通孔将扇出层电性连接至基板，此做法除了可降低基板层数之外，也可减少基板厚度，同时也可提高制程良率。
[0003]然而，在多功能的系统级封装(SIP，System In a Package)技术趋势下，越来越多的芯片被整合在半导体封装件中，也就是说越来越多的芯片被安置在载板(如上述基板和扇出层)表面，使得半导体封装件的水平方向上的长宽尺寸增加，难以实现微小化需求。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中的上述问题，本专利技术提出一种半导体封装结构及其形成方法。
[0005]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种半导体封装结构，包括：基板，基板中具有空本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板，所述基板中具有空腔；扇出层，位于所述基板上方；第一芯片，连接于所述扇出层下方并且内埋于所述基板的所述空腔中；其中，所述基板与所述扇出层之间通过第一贯穿通孔直接电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述扇出层包括上重布线层以及接合在所述上重布线层和所述基板之间的下重布线层。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述上重布线层与所述下重布线层之间通过微凸块相互接合。4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述下重布线层中具有第一下桥接线路，所述第一下桥接线路连接在相邻的所述第一芯片之间。5.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：