一种半导体封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装结构，其包括基板、元器件、铟片、芯片、散热盖、绝缘的围挡结构和环形结构。基板上连接元器件和芯片，芯片外侧设有多个元器件，散热盖覆盖铟片、芯片和元器件，围挡结构设于基板上；围挡结构包围在芯片的外侧周，分隔开所述芯片和元器件；环形结构包围在铟片的外侧周，环形结构的内圈尺寸大于铟片的尺寸，阻挡熔化后的铟。本发明专利技术通过环形结构和围挡结构来保护元器件，使铟片熔化后不会溢流和串流到元器件上，整体结构简单，节省原材料，且能保证芯片的使用效果。且能保证芯片的使用效果。且能保证芯片的使用效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装结构


[0001]本专利技术涉及封装
，特别涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

[0002]在芯片封装过程中，会在芯片表面安装散热盖，并且在芯片与散热盖之间设有一层导热界面材料，以便于将芯片工作过程中产生的热量快速散出。铟是性能出色且应用较广的导热界面材料。目前，芯片与散热盖之间一般采用铟片作为导热界面材料。
[0003]铟片的熔点在156℃，芯片在植球以及后续上PCB板时经历高温回流，回流过程中温度高于铟片的熔点，可能导致铟片熔化后的铟出现溢流和串流到各元器件上的现象，导致元器件被侵蚀损坏，影响芯片的使用效果。
[0004]为解决上述铟片熔化后易侵蚀元器件的问题，现有技术中是在所有元器件的外面都包覆保护胶，且保护胶要与顶部的散热盖接触。这无疑浪费了很多原材料，也因为所有元器件外面都要包覆保护胶，所需作业时间较多，严重降低了半导体封装结构的生产效率。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构，通过环形结构和围挡结构的组合解决现有技术中铟片熔化溢流和串流到元器件上，导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括基板、元器件、铟片、芯片、散热盖、绝缘的围挡结构和环形结构，所述基板上连接元器件和芯片，所述芯片外侧设有多个元器件，所述散热盖覆盖铟片、芯片和元器件，所述围挡结构设于基板上；所述围挡结构包围在芯片的外侧周，分隔开所述芯片和元器件；所述环形结构包围在铟片的外侧周，所述环形结构的内圈尺寸大于铟片的尺寸，阻挡熔化后的铟。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述环形结构设于散热盖顶部，所述环形结构的内圈尺寸与围挡结构的内圈尺寸相同。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述环形结构与围挡结构之间存在间隙，所述围挡结构的宽度为0.2mm
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1mm，高度为0.1mm
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0.8mm，所述环形结构的宽度为0.2mm
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1mm，高度为0.1mm
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0.3mm。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述环形结构与围挡结构均采用不导电胶制成。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述环形结构为设于散热盖顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟小辉，张国栋，潘明东，王乾，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：