微声多信道选通放大模块半导体封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种微声多信道选通放大模块半导体封装结构及其制备方法，属于半导体领域，第一硅基转接板设有多个凹槽以容纳组成微声多信道选通放大模块的元器件裸芯片；第二硅基转接板设有与凹槽相对应的通孔，第二硅基转接板的厚度基于元器件裸芯片的厚度确定；第三硅基转接板设在第二硅基转接板的上方，第三硅基转接板的表面设有微声多信道选通放大模块的控制焊盘和电源焊盘；第一硅基转接板、第二硅基转接板和第三硅基转接板均设有连接线以使得控制焊盘和电源焊盘均与元器件裸芯片进行连接。本发明专利技术在第一硅基转接板上设凹槽容纳元器件裸芯片，第二硅基转接板设通孔，且厚度基于元器件裸芯片的厚度确定，可大幅缩减结构尺寸，减少寄生参数影响。减少寄生参数影响。减少寄生参数影响。

【技术实现步骤摘要】
微声多信道选通放大模块半导体封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种微声多信道选通放大模块半导体封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]面对无线通信、雷达、微波测量等领域对抗干扰、模块化、高性能、小型化、高可靠电子系统日益增长的需求，抗干扰、模块化、小型化射频电路，已经被认为是未来射频电子技术发展的主流趋势之一。然而，传统微声多信道选通放大模块是在常规的印制板（PCB板）上将各封装好的元器件进行电装实现，从而使电子系统难以小型化，同时还会引入寄生参数，降低了模块的性能参数。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种微声多信道选通放大模块半导体封装结构及其制备方法，用以解决现有技术中传统微声多信道选通放大模块是在常规的印制板上将各封装好的元器件进行电装实现，从而使电子系统难以小型化，同时还会引入寄生参数，降低了模块的性能参数的问题。
[0004]本专利技术提供一种微声多信道选通放大模块封装结构及其制备方法，包括：微声多信道选通放大模块；硅基转接板单元，所述硅基转接板单元包括至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微声多信道选通放大模块半导体封装结构，其特征在于，包括：微声多信道选通放大模块；硅基转接板单元，所述硅基转接板单元包括至少一第一硅基转接板、至少一第二硅基转接板和第三硅基转接板，所述第一硅基转接板设有多个凹槽以容纳组成所述微声多信道选通放大模块的元器件裸芯片；所述第二硅基转接板设在所述第一硅基转接板的上方，所述第二硅基转接板设有与所述凹槽相对应的通孔，所述第二硅基转接板的厚度基于所述元器件裸芯片的厚度确定；所述第三硅基转接板设在所述第二硅基转接板的上方，所述第三硅基转接板的表面设有所述微声多信道选通放大模块的控制焊盘和电源焊盘；所述第一硅基转接板、所述第二硅基转接板和所述第三硅基转接板均设有连接线以使得所述控制焊盘和所述电源焊盘均与所述元器件裸芯片进行连接，构成微声多信道选通放大模块半导体封装结构。2.根据权利要求1所述的一种微声多信道选通放大模块半导体封装结构，其特征在于，所述微声多信道选通放大模块的元器件裸芯片包括放大器裸芯片、第一选择半导体开关裸芯片、第一多信道匹配电路裸芯片、多信道半导体微声信号提取器裸芯片、第二多信道匹配电路裸芯片、第二选择半导体开关裸芯片，所述放大器裸芯片的一端连接有一输入/输出焊盘，另一端与所述第一选择半导体开关裸芯片连接的一端，所述第一选择半导体开关裸芯片的另一端与所述第一多信道匹配电路裸芯片的一端连接，所述第一多信道匹配电路裸芯片的另一端与所述多信道半导体微声信号提取器裸芯片的一端连接，所述多信道半导体微声信号提取器裸芯片的另一端与所述第二多信道匹配电路裸芯片的一端连接，所述第二多信道匹配电路裸芯片的另一端与所述第二选择半导体开关裸芯片的一端连接，所述第二选择半导体开关裸芯片的另一端与另一输入/输出焊盘连接。3.根据权利要求2所述的一种微声多信道选通放大模块半导体封装结构，其特征在于，所述硅基转接板单元还包括：重布线层，设在所述第三硅基转接板上，用于实现所述第三硅基转接板中的连接线与所述控制焊盘和所述电源焊盘之间的连接，以旋转所述放大器裸芯片的方向，构成输入级半导体微声多信道选通放大模块或输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓阳，叶志，魏家贵，王永安，王宇，孙志国，孟腾飞，高黄杰，
申请(专利权)人：北京航天微电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：