【技术实现步骤摘要】
半导体封装
[0001]本专利技术构思涉及半导体封装,更具体地,涉及具有堆叠的半导体芯片的半导体封装。
技术介绍
[0002]随着期望电子产品的小型化、高容量和高性能,也期望半导体封装的高集成和高速度。为此,已经开发了具有包括堆叠的半导体芯片的多个半导体芯片的半导体封装。
技术实现思路
[0003]本专利技术构思提供了具有堆叠的半导体芯片并具有改善的结构可靠性的半导体封装。
[0004]为了实现上述技术问题,本专利技术构思提供如下的半导体封装。
[0005]根据本专利技术构思的一方面,提供了一种半导体封装,其包括:第一半导体芯片,包括具有彼此相反的有源表面和无源表面的第一半导体基板,第一半导体芯片包括穿透第一半导体基板的至少一部分的多个第一贯通电极;多个第二半导体芯片,包括具有彼此相反的有源表面和无源表面的第二半导体基板,第二半导体基板的有源表面面对第一半导体基板的无源表面,所述多个第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上;多个接合焊盘,布置在第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片之间;芯片接合绝缘层,被配置为围绕所述多个接合焊盘并布置在第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片之间;以及至少一个支撑虚设基板,堆叠在所述多个第二半导体芯片上并具有布置在其下表面上的支撑接合绝缘层,其中所述多个第二半导体芯片中的至少一些包括穿透第二半导体基板的至少一部分的多个第二贯通电极,其中所述多个接合焊盘将所述多个第一贯通电极电连接到所述多个第二贯通电极,其中所述至少一个支撑虚设基板的总垂直高度大于第一半导体 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装,包括:第一半导体芯片,包括具有彼此相反的有源表面和无源表面的第一半导体基板,所述第一半导体芯片包括穿透所述第一半导体基板的至少一部分的多个第一贯通电极;多个第二半导体芯片,包括具有彼此相反的有源表面和无源表面的第二半导体基板,所述第二半导体基板的所述有源表面面对所述第一半导体基板的所述无源表面,所述多个第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上;多个接合焊盘,布置在所述第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片之间;芯片接合绝缘层,被配置为围绕所述多个接合焊盘并布置在所述第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片之间;以及至少一个支撑虚设基板,堆叠在所述多个第二半导体芯片上并具有布置在其下表面上的支撑接合绝缘层,其中所述多个第二半导体芯片中的至少一些包括穿透所述第二半导体基板的至少一部分的多个第二贯通电极,其中所述多个接合焊盘将所述多个第一贯通电极电连接到所述多个第二贯通电极,其中所述至少一个支撑虚设基板的总垂直高度大于所述第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片中每个的各自的垂直高度。2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述至少一个支撑虚设基板包括堆叠在所述多个第二半导体芯片上的多个支撑虚设基板,以及所述多个支撑虚设基板中的至少一些的各自的垂直高度等于或小于所述第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片中每个的各自的垂直高度。3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述多个支撑虚设基板当中的最上面的支撑虚设基板的垂直高度小于所述多个支撑虚设基板当中的剩余的支撑虚设基板的每个的垂直高度。4.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述多个支撑虚设基板当中的最上面的支撑虚设基板的垂直高度大于所述多个支撑虚设基板当中的剩余的支撑虚设基板、所述第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片中每个的各自的垂直高度。5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中仅一个支撑虚设基板堆叠在所述多个第二半导体芯片上,所述一个支撑虚设基板具有比所述第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片中每个的各自的垂直高度大的垂直高度。6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述多个第二半导体芯片的水平宽度小于所述第一半导体芯片的水平宽度,其中所述至少一个支撑虚设基板的水平宽度小于所述多个第二半导体芯片的所述水平宽度。7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,在覆盖所述多个第二半导体芯片当中的最上面的第二半导体芯片的上表面的所述支撑接合绝缘层中,与所述至少一个支撑虚设基板垂直重叠的部分的厚度大于不与所述至少一个支撑虚设基板垂直重叠的部分的厚度。8.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,在覆盖所述第一半导体芯片的上表面的芯片接合绝缘层中,在垂直方向上与所述多个第二半导体芯片重叠的部分的厚度具有比不与
所述多个第二半导体芯片垂直重叠的部分大的值。9.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述至少一个支撑虚设基板是裸晶片的一部分,其中所述多个第二半导体芯片当中的最上面的第二半导体芯片不具有所述第二贯通电极,其中所述支撑接合绝缘层的上表面和下表面仅与半导体材料接触。10.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述多个接合焊盘、所述芯片接合绝缘层和所述支撑接合绝缘层中的每个被扩散接合以各自形成一个整体。11.一种半导体封装,包括:高带宽存储器(HBM)控制器管芯,包括具有彼此相反的有源表面和无源表面的第一半导体基板,所述HBM控制器管芯包括穿透所述第一半导体基板的至少一部分的多个第一贯通电极;多个动态随机存取存储器(DRAM)管芯,包括具有彼此相反的有源表面和无源表面的第二半导体基板,所述第二半导体基板的所述有源表面面对所述第一半导体基板的所述无源表面,所述多个DRAM管芯堆叠在所述第一半导体基板上;多个接合焊盘,布置在所述HBM控制器管芯和所述多个DRAM管芯之间;芯片接合绝缘层,被配置为围绕所述多个接合焊盘并...
【专利技术属性】
技术研发人员:池永根,姜芸炳,李相勋,李忠善,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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