半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法，该半导体封装装置包括：第一线路层，具有第一表面；第二线路层，设置于所述第一表面，并设置有第一倾斜部；第一电子元件，主动面设置于所述第一倾斜部，非主动面设置有第一反射层；第二电子元件，相邻所述第一电子元件设置于所述第一表面；第三电子元件，设置于所述第二线路层上，并对应所述第一反射层；所述第二电子元件输出的光线能够经所述第一反射层反射至所述第三电子元件。述第三电子元件。述第三电子元件。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]硅光子结构中，其FAU(Fetch and Add Unit，读取和自増单元)与PIC(photonic integrated circuit，集成光路芯片)的WG(WAVEGUIDE，波导)会透过反射镜mirror来进行耦光作业，因此基板上必须要同时放置EIC、PIC、mirror和FAU，其整体宽度尺寸较大。

技术实现思路

[0003]本公开提供了半导体封装装置及其制造方法。
[0004]第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：
[0005]第一线路层，具有第一表面；
[0006]第二线路层，设置于所述第一表面，并设置有第一倾斜部；
[0007]第一电子元件，主动面设置于所述第一倾斜部，非主动面设置有第一反射层；
[0008]第二电子元件，相邻所述第一电子元件设置于所述第一表面；
[0009]第三电子元件，设置于所述第二线路层上，并对应所述第一反射层；
[0010]所述第二电子元件输出的光线能够经所述第一反射层反射至所述第三电子元件。
[0011]在一些可选的实施方式中，所述第三电子元件对应所述第一反射层设置有光传输区。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述第二电子元件输出的光线能够经所述第一反射层反射至所述光传输区。
[0013]在一些可选的实施方式中，所述第一线路层还具有与所述第一表面相对的第二表面，所述装置还包括：
[0014]电连接件，设置于所述第二表面并电连接所述第一线路层。
[0015]在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：
[0016]底部填充剂，设置于所述第一电子元件与所述第二线路层之间，及所述第三电子元件与所述第二线路层之间。
[0017]在一些可选的实施方式中，所述第一倾斜部设置有焊盘；
[0018]所述第一电子元件主动面通过所述焊盘设置于所述第一倾斜部上。
[0019]在一些可选的实施方式中，所述第一电子元件的一端抵接所述第三电子元件。
[0020]在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：
[0021]保护层，设置于所述第二电子元件及所述第三电子元件上。
[0022]在一些可选的实施方式中，所述第二线路层为包括至少一层电路的重布线层。
[0023]在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：
[0024]第三线路层，设置于所述第一表面，并设置有第二倾斜部，所述第二电子元件设置于所述第三线路层与所述第二线路层之间；
[0025]第四电子元件，主动面设置于所述第二倾斜部，非主动面设置有第二反射层；
[0026]第五电子元件，设置于所述第三线路层上，并对应所述第二反射层；
[0027]所述第二电子元件输出的光线能够经所述第二反射层反射至所述第五电子元件。
[0028]第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置的制造方法，包括：
[0029]提供第一线路层，所述第一线路层具有第一表面；
[0030]在所述第一表面设置第二线路层，所述第二线路层设置有第一倾斜部；
[0031]提供第一电子元件；
[0032]在所述第一电子元件非主动面设置第一反射层；
[0033]将所述第一电子元件主动面设置于所述第一倾斜部；
[0034]提供第二电子元件；
[0035]将所述第二电子元件相邻所述第一电子元件设置于所述第一表面；
[0036]提供第三电子元件；
[0037]将所述第三电子元件设置于所述第二线路层上，并对应所述第一反射层，以使所述第二电子元件输出的光线能够经所述第一反射层反射至所述第三电子元件。
[0038]在一些可选的实施方式中，所述第三电子元件对应所述第一反射层设置有光传输区。
[0039]在一些可选的实施方式中，所述方法还包括：
[0040]在所述第一电子元件与所述第二线路层之间，及所述第三电子元件与所述第二线路层之间设置底部填充剂。
[0041]在本公开提供的半导体封装装置及其制造方法，通过设计半导体封装装置包括：第一线路层，具有第一表面；第二线路层，设置于第一表面，并设置有第一倾斜部；第一电子元件，主动面设置于第一倾斜部，非主动面设置有第一反射层；第二电子元件，相邻第一电子元件设置于第一表面；第三电子元件，设置于第二线路层上，并对应第一反射层；第二电子元件输出的光线能够经第一反射层反射至第三电子元件；通过复用第一电子元件的非主动面设置第一反射层，可以免除mirror的设置，将第一电子元件设置于第二电子元件、第三电子元件、第一线路层和第二线路层所形成的容置空间内，因此可以降低半导体封装装置的宽度尺寸。
附图说明
[0042]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0043]图1A是根据本公开的半导体封装装置的一个实施例的纵向截面结构示意图；
[0044]图1B是根据图1A实施例中虚线部分的局部放大示意图；
[0045]图1C是根据图1A实施例中虚线部分的又一局部放大示意图；
[0046]图2A、2B、2C、2D是根据本公开的半导体封装装置的不同实施例的纵向截面结构示意图；
[0047]图3A
‑
3H是根据本公开的一个实施例在各个阶段制造的半导体封装装置的纵向截面结构示意图。
[0048]符号说明：
[0049]11
‑
第一线路层；11a
‑
第一表面；11b
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第二表面；12
‑
第二线路层；12c
‑
第一倾斜部；13
‑
电连接件；14
‑
底部填充剂；15
‑
焊盘；16
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保护层；21
‑
第一电子元件；22
‑
第二电子元件；23
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第三电子元件；24
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第一反射层；25
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光传输区；26
‑
第三线路层；26c
‑
第二倾斜部；27
‑
第四电子元件；28
‑
第五电子元件；29
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第二反射层；θ
‑
第一反射层24与第一表面11a之间的夹角。
具体实施方式
[0050]下面结合附图和实施例对说明本公开的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本公开所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。
[0051]需要说明的是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：第一线路层，具有第一表面；第二线路层，设置于所述第一表面，并设置有第一倾斜部；第一电子元件，主动面设置于所述第一倾斜部，非主动面设置有第一反射层；第二电子元件，相邻所述第一电子元件设置于所述第一表面；第三电子元件，设置于所述第二线路层上，并对应所述第一反射层；所述第二电子元件输出的光线能够经所述第一反射层反射至所述第三电子元件。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第三电子元件对应所述第一反射层设置有光传输区。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第二电子元件输出的光线能够经所述第一反射层反射至所述光传输区。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一线路层还具有与所述第一表面相对的第二表面，所述装置还包括：电连接件，设置于所述第二表面并电连接所述第一线路层。5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置还包括：底部填充剂，设置于所述第一电子元件与所述第二线路层...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：