半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具有：多个晶体管，相互并联电连接，分别具有第一电极；二极管，并联电连接到所述多个晶体管，具有阳极电极；第一导电图案；第二导电图案，电连接到所述第一导电图案；多个第一连接部件，分别将所述多个晶体管的所述第一电极和所述第一导电图案直接连接；以及第二连接部件，将所述阳极电极和所述第二导电图案连接，所述第一电极是源极电极或发射极电极，所述多个晶体管相互相邻地配置。所述多个晶体管相互相邻地配置。所述多个晶体管相互相邻地配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及半导体装置。
[0002]本申请主张基于2020年9月18日申请的日本申请第2020
‑
157444号的优先权，并引用所述日本申请所记载的全部记载内容。

技术介绍

[0003]作为功率模块所使用的半导体装置，提出了晶体管的源极电极或发射极电极与二极管的阳极电极相互连接的半导体装置。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2015
‑
154079号公报
[0007]专利文献2：日本特开2019
‑
71490号公报
[0008]专利文献3：美国专利申请公开第2017/0125322号说明书

技术实现思路

[0009]本公开的半导体装置具有：多个晶体管，相互并联电连接，分别具有第一电极；二极管，并联电连接到所述多个晶体管，具有阳极电极；第一导电图案；第二导电图案，电连接到所述第一导电图案；多个第一连接部件，分别将所述多个晶体管的所述第一电极和所述第一导电图案直接连接；以及第二连接部件，将所述阳极电极和所述第二导电图案连接，所述第一电极是源极电极或发射极电极，所述多个晶体管相互相邻地配置。
附图说明
[0010]图1是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的立体图。
[0011]图2是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的俯视图。
[0012]图3是示出第一实施方式所涉及的半导体装置中的散热板、第一绝缘基板以及第二绝缘基板的关系的剖视图。
[0013]图4是示出第一晶体管的剖视图。
[0014]图5是示出第一二极管的剖视图。
[0015]图6是示出第二晶体管的剖视图。
[0016]图7是示出第二二极管的剖视图。
[0017]图8是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的电路图。
[0018]图9是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的动作的示意图(其一)。
[0019]图10是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的动作的示意图(其二)。
[0020]图11是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的动作的示意图(其三)。
[0021]图12是示出第一实施方式所涉及的半导体装置的动作的示意图(其四)。
[0022]图13是示出散热板的变形例的剖视图。
[0023]图14是示出第二实施方式所涉及的半导体装置中的第一绝缘基板和第二绝缘基板的构成的示意图。
[0024]图15是示出第三实施方式所涉及的半导体装置的俯视图。
[0025]图16是示出第三实施方式所涉及的半导体装置中的散热板与绝缘基板的关系的剖视图。
[0026]图17是示出第三实施方式的变形例中的散热板与导电层的关系的剖视图。
具体实施方式
[0027][本公开要解决的技术问题][0028]期望实现并联连接的多个晶体管的更稳定的动作。
[0029]本公开的目的在于提供能够实现并联连接的多个晶体管的更稳定的动作的半导体装置。
[0030][本公开的效果][0031]根据本公开，能够实现并联连接的多个晶体管的更稳定的动作。
[0032]以下，对用于实施的方式进行说明。
[0033][本公开的实施方式的说明][0034]首先，对本公开的实施方式进行列举说明。在以下的说明中，对同一或对应的要素标注同一附图标记，对于它们不重复相同的说明。
[0035](1)本公开的一方式所涉及的半导体装置具有：多个晶体管，相互并联电连接，分别具有第一电极；二极管，并联电连接到所述多个晶体管，具有阳极电极；第一导电图案；第二导电图案，电连接到所述第一导电图案；多个第一连接部件，分别将所述多个晶体管的所述第一电极和所述第一导电图案直接连接；以及第二连接部件，将所述阳极电极和所述第二导电图案连接，所述第一电极是源极电极或发射极电极，所述多个晶体管相互相邻地配置。
[0036]多个晶体管相互相邻地配置。第一电极(源极电极或发射极电极)与第一导电图案由第一连接部件直接连接，阳极电极与第二导电图案由第二连接部件连接，第一导电图案与第二导电图案被电连接。因此，能够降低多个晶体管各自的功率环路的电感，能够在多个晶体管之间抑制功率环路的电感的偏差。因此，能够实现并联连接的多个晶体管的更稳定的动作。
[0037](2)本公开的另一方式所涉及的半导体装置具有：多个晶体管，相互并联电连接，分别具有第一电极；二极管，并联电连接到所述多个晶体管，具有阳极电极；第三导电图案；多个第一连接部件，分别将所述多个晶体管的所述第一电极和所述第三导电图案直接连接；以及第二连接部件，将所述阳极电极和所述第三导电图案连接，所述第一电极是源极电极或发射极电极，所述多个晶体管相互相邻地配置。
[0038]多个晶体管相互相邻地配置。第一电极(源极电极或发射极电极)与第三导电图案由第一连接部件直接连接，阳极电极与第三导电图案由第二连接部件连接。因此，能够降低多个晶体管各自的功率环路的电感，能够在多个晶体管之间抑制功率环路的电感的偏差。因此，能够实现并联连接的多个晶体管的更稳定的动作。
[0039](3)也可以是，在(1)或(2)中，所述多个晶体管集中在矩形形状的第一区域内。在
这种情况下，易于抑制功率环路的电感的偏差。
[0040](4)也可以是，在(1)～(3)中，所述多个晶体管在第一方向上排列配置。在这种情况下，将多个晶体管集中而易于抑制功率环路的电感的偏差。
[0041](5)也可以是，在(1)～(4)中，所述第二连接部件独立于所述多个第一连接部件。在这种情况下，易于抑制功率环路的电感的偏差。
[0042](6)也可以是，在(1)～(5)中，在所述多个晶体管中的相互相邻的晶体管之间未配置所述二极管。在这种情况下，易于抑制功率环路的电感的偏差。
[0043](7)也可以是，在(1)～(6)中，所述晶体管是使用碳化硅构成的场效应晶体管。在这种情况下，能在晶体管中得到优异的耐压。
[0044](8)也可以是，在(1)～(7)中，所述二极管是使用碳化硅构成的肖特基势垒二极管。在这种情况下，能在二极管中得到优异的耐压。
[0045](9)也可以是，在(1)～(8)中，具有：壳体，收容所述多个晶体管和所述二极管；以及控制端子，连接到所述多个晶体管的控制电极，装配于所述壳体，所述壳体具有：一对侧壁部，相互对置；以及一对端壁部，将所述侧壁部的两端相连，所述控制端子设置在所述侧壁部和所述端壁部中的位于离所述多个晶体管最近的部分。在这种情况下，能够将多个晶体管集中在控制端子的附近。因此，易于降低多个晶体管之间的栅极环路的电感的不同。因此，易于实现并联连接的多个晶体管的更稳定的动作。
[0046][本公开的实施方式的详细内容][0047]以下，对本公开的实施方式详细地进行说明，但本实施方式不限于这些内容。需要说明的是，在本说明书和附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，具有：多个晶体管，相互并联电连接，分别具有第一电极；二极管，并联电连接到所述多个晶体管，具有阳极电极；第一导电图案；第二导电图案，电连接到所述第一导电图案；多个第一连接部件，分别将所述多个晶体管的所述第一电极和所述第一导电图案直接连接；以及第二连接部件，将所述阳极电极和所述第二导电图案连接，所述第一电极是源极电极或发射极电极，所述多个晶体管相互相邻地配置。2.一种半导体装置，具有：多个晶体管，相互并联电连接，分别具有第一电极；二极管，并联电连接到所述多个晶体管，具有阳极电极；第三导电图案；多个第一连接部件，分别将所述多个晶体管的所述第一电极和所述第三导电图案直接连接；以及第二连接部件，将所述阳极电极和所述第三导电图案连接，所述第一电极是源极电极或发射极电极，所述多个晶体管相互相邻地配置。3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中，所述多个晶体管集中在矩形形状的第一区域内。4.根据权利要求1至权利要求3中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：金田达志，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：