本文公开一种制造半导体器件的方法，包括：堆叠多个半导体芯片以形成第一芯片层叠体，提供底部填料以填充半导体芯片之间的间隙，使得在第一芯片层叠体周围形成填角部分，以及修整填角部分以形成第二芯片层叠体。

本发明提供了一种包括反熔丝电路的半导体器件和向反熔丝电路写入地址的方法。根据本发明的反熔丝电路包括：反熔丝元件，以非易失的方式来保持数据；锁存电路，暂时地保持要被写入到反熔丝元件的数据。能够以纳秒的数量级执行对锁存电路的写入，因而，即使...

本发明涉及一种半导体器件。一种器件，包括：半导体衬底；穿透半导体衬底的第一穿透电极；第一测试焊盘；和耦合在第一穿透电极和第一测试焊盘之间的第一三态缓冲器。第一三态缓冲器在其控制端子上接收缓冲器控制信号。该器件进一步包括为第一三态缓冲器提...

本发明提供一种形成具有金红石晶体结构的氧化钛膜的方法，所述金红石晶体结构具有高电容率。所述方法包括：形成无定形氧化锆膜的步骤；通过原子层沉积(ALD)法使用甲基环戊二烯基三(二甲基氨基)钛作为钛前体在所述无定形氧化锆膜上形成无定形氧化钛...

半导体器件及形成该半导体器件的方法。一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一栅沟槽，所述第一栅沟槽具有彼此相对的第一侧和第二侧；第一扩散区，位于所述第一栅沟槽下方；第二扩散区，位于所述半导体衬底中，所述第二扩散区覆盖所述第一栅沟槽的所...

本发明涉及一种具有芯片裂纹检测结构的半导体器件。一种器件，其包括半导体衬底、第一穿透电极和每个都穿过所述第二半导体衬底的多个第二穿透电极、形成在所述衬底的一侧上的第一端子和多个第二端子以及形成在衬底的相反侧上的第三端子和多个第四端子。第...

本发明涉及成膜含有氧化锆膜的电介质膜的方法，该方法具有：供给由在结构中含有环戊二烯基环的锆化合物构成的锆原料和氧化剂，在被处理基板上成膜氧化锆膜的工序；供给由在结构中含有环戊二烯基环的钛化合物构成的钛原料和氧化剂，在上述氧化锆膜上成膜氧...

公开了一种用于形成氮化物膜的方法。其中公开了使用垂直炉的等离子体辅助ALD方法，并且通过重复循环直到获得期望的膜厚度来执行该方法。该循环包括引入包含待被氮化的源的源气体、吸收、吹扫、引入氮化气体并且氮化该源，并且随后吹扫。相对于引入源气...

本发明涉及半导体器件及其形成方法。一种半导体器件，其包括半导体衬底，所述半导体衬底具有第一栅极凹槽，所述第一栅极凹槽具有彼此面对的第一和第二侧壁。第一栅极绝缘膜覆盖所述第一和第二侧壁。第一栅极电极被设置在所述第一栅极绝缘膜上且在所述第一...

本发明提供半导体装置及其制造方法、以及吸附位阻断原子层沉积法。在电容器的电介质膜中，为了即使设置用于改善泄漏特性的Al掺杂层，也不能通过Al掺杂层截断电介质膜，从而抑制了尺寸效应的影响，提供结晶性良好的电介质膜，而在电介质膜中具有至少1...

本发明提供一种半导体器件，其包括但不限于：半导体衬底；位线；和接触部分。半导体衬底具有第一沟槽，所述第一沟槽至少具有相互面对的第一和第二侧表面。位线位于第一沟槽中。位线与半导体衬底绝缘。接触部分位于第一沟槽中。接触部分电连接到位线。接触...

本发明的目的在于提供一种高速且低成本的信息处理系统，能够确保存储容量的扩展性，且使用性良好。构成含有信息处理装置、易失性存储器及非易失性存储器的信息处理系统。信息处理装置、易失性存储器及非易失性存储器串联连接，通过减少连接信号个数，确保...

本发明提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜中形成第一孔；在所述第一孔内形成阻挡膜；在所述第一孔中填充导电材料以形成第一插塞；在所述第一层间绝缘膜上形成第二层间绝缘膜；在所述第二...

本发明提供一种固态存储器、数据处理系统和数据处理装置。该固态存储器包括：具有其中层叠多个结晶层的超晶格叠层，结晶层包括具有相互不同组成的第一和第二结晶层；在超晶格叠层的层叠方向上在第一表面上提供的下电极；以及在层叠方向上超晶格叠层的第二...

本发明涉及具有单端读出放大器的半导体器件。通过单个ＭＯＳ晶体管放大信号电压，由此防止了芯片面积的增大。半导体存储器件中的读出放大器具有存储单元，存储单元用于基于信号输入／输出端和电源端之间的电阻值的大小来存储信息，半导体存储器件具有以下...

本发明提供了一种具有单端读出放大器的半导体器件。补偿了制造工艺、电源电压、接合点温度和造成变化的其它因素，并防止了读出放大器的操作裕度减小。具有分级位线结构的半导体存储器件中的单端读出放大器包括：第一ＭＯＳ晶体管，其用于放大从存储单元输...

本发明涉及具有单端读出放大器的半导体器件。在防止芯片尺寸增大且抑制了功耗增大的同时，来对ＭＯＳ晶体管的温度相关性进行补偿。该半导体器件具有ＤＲＡＭ单元，ＤＲＡＭ单元由信息电荷累积电容器和存储单元选择晶体管构造，监控构成读出电路的ＭＯＳ晶...

本发明提供一种半导体存储装置和包括该半导体存储装置的数据处理系统。一种半导体装置，包括多个存储单元阵列、多个端口、多个内部地址生成电路以及控制器。多个内部地址生成电路可以生成多个存储单元阵列的第一和第二存储单元阵列的第一和第二内部地址。...

本发明涉及一种低ｋ膜的制造方法、半导体装置及其制造方法。其中，包括多孔二氧化硅膜的低介电常数膜的疏水性通过如下步骤改善：将多孔二氧化硅膜形成用原料涂布至衬底上，及进行气相转移处理以将衬底暴露于未添加水的有机胺蒸气的气氛中。同时，通过将孔...

半导体装置，具有：半导体封装件（２）；以及安装基板（５），该安装基板（５）具有通过焊料突起（４）而与半导体封装件（２）电连接的焊盘（８）。安装基板（５）上形成了多个由多个焊盘（８）配置而成的列，构成位于分别离主边最近的一侧的列的焊盘（８...