本发明目的在于形成一种充分降低漏电流的高品质金属氧化物介电薄膜。包括下述工序：在下部电极（２１０）上形成薄硅氮化膜（２１２）的热氮化工序、使用金属有机物前驱物在基体（２００）上堆积非晶质金属氧化物介电薄膜（２１３ａ）的成膜工序、在氧气气...

本发明提供了这样的半导体器件，所述半导体器件包括：双栅外围晶体管，其具有表面沟道ｎＭＯＳＦＥＴ的晶体管结构和表面沟道ｐＭＯＳＦＥＴ的晶体管结构；以及单元晶体管，其具有带凹沟道结构的ｎＭＯＳＦＥＴ结构，所述单元晶体管的栅电极具有包含近似恒...

通过用冗余字线置换具有缺陷地址的字线，信息保持在字线和冗余字线之间的关系中。换言之，信息保持在置换规则中。使用这种布置，诸如批号、所述批量之内的晶片号以及所述晶片之内的芯片位置之类的信息能够保持在芯片中，而根本不会增加芯片面积，并且不使...

首先，制备提供了存储单元的主要部分的基体结构，以及此后在该基体结构上形成包括多晶硅膜的下电极。接下来，在预定温度热氮化下电极的表面以形成氮化硅膜。在下电极的热氮化中，温度被增加到预定氮化温度，此后以比通常更平缓的速率降低温度。此后在下电...

本发明提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，其中涉及角部被弄圆，开口部被扩大了的沟槽的制造方法。采用使用了二氯乙烯（ＤＣＥ）的卤氧化法来实施各向异性氧化，形成了沟槽的肩部的膜厚厚，随着达到底部，膜厚逐渐变薄的各向异性氧化膜之后，除去...

用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体基片中形成栅沟道；在栅沟道的内壁中形成栅绝缘膜；至少向栅沟道内填充栅极材料；通过构图栅极材料形成栅极；和在与栅沟道相邻的半导体基片的规定位置使用掩模，在构图栅极材料前选择地形成穿通制止区。形...

一种半导体器件包括具有扩散层的半导体衬底。在半导体衬底上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成熔丝的熔丝部。在熔丝部和绝缘膜上形成夹层绝缘膜，并在夹层绝缘膜上形成和熔丝部相对应的天线部。

通过使用氮化硅膜１０３作为掩模在存储器单元区Ｍ内以以下状态形成栅沟槽１０８，所述状态是指通过栅绝缘膜１０１ｓ、保护膜１０２以及氮化硅膜１０３覆盖Ｐ型外围电路Ｐ区中的和Ｎ型外围电路Ｎ区中的半导体衬底１００。然后在所述栅沟槽１０８的内壁上形...

本发明的目标是提供通过以下形成防止接触插塞和位线之间短路的高可靠性接触插塞的方法：应用关于氮化硅膜具有１００以上蚀刻速率比的材料作为形成自动对准接触插塞的层间膜。在形成位线之后，所述位线的顶面和侧面被氮化硅膜覆盖，形成由无定形碳膜组成的...

非易失存储元件，包含：下电极１２、设置在下电极１２上的上电极１７以及包含相变材料并且连接在下电极１２和上电极１７之间的记录层１８。根据本发明，上电极１７与记录层１８的初始生长表面１８ａ接触。该结构可以通过在记录层１８之前形成上电极１７来...

非易失存储元件，包含：下电极１２、设置在下电极１２上的位线１４以及包含相变材料并且连接在下电极１２和位线１４之间的记录层１５。根据本发明，位线１４与记录层１５的初始生长表面１５ａ接触。该结构可以通过在记录层１５之前形成位线１４来得到，得...

一种非易失存储元件，包含：具有第一通孔１１ａ的第一层间绝缘层１１；形成在第一层间绝缘层１１上、具有第二通孔１２ａ的第二层间绝缘层１２；设置在第一通孔１１中的下电极１３；包含相变材料、设置在第二通孔１２中的记录层１５；设置第二层间绝缘层１...

一种非易失半导体存储器件包括：多个下电极，其以矩阵的方式布置；多个记录层图案，其每个布置在下电极上，并且包含相变材料；以及层间绝缘膜，其提供在下电极和记录层图案之间，并且具有多个孔，用于暴露下电极的一部分。下电极和记录层图案在每个孔中连...

本发明目的是提供一种具有低破损风险的高可靠性的半导体芯片。具体而言，本发明提供一种具有半导体硅衬底的半导体芯片，该半导体硅衬底包含半导体器件层、多孔硅域层，在所述半导体硅衬底的一个表面上的主表面区内形成所述半导体器件层，在背面即该半导体...

本发明中的非易失存储元件的制造方法，包括：第一步，在层间绝缘膜上形成黏附层，以使得与下电极建立电连接；第二步，在所述黏附层上形成包含相变材料的记录层；第三步，形成上电极，其电连接至所述记录层；以及第四步，在所示记录层内，对位于至少所述下...

相变存储器件具有：相变层；加热器电极，其具有与所述相变层保持接触的端面；不同种材料的接触栓塞，其具有第一导电材料栓塞，所述第一导电材料栓塞由第一导电材料制成，并且与所述加热器电极的另一个端面保持接触，和第二导电材料栓塞，其由具有小于所述...

一种相变存储器件，具有相变层，具有与相变层保持接触的一端的加热器电极，不同种材料的接触栓塞，具有由第一导电材料制成并与该加热器电极的另一端保持接触的第一导电材料栓塞，以及由具有小于第一导电材料的比电阻的第二导电材料构成的第二导电材料栓塞...

非易失存储元件包括：下电极；上电极；记录层，其布置在所述下电极和所述上电极之间，并且包含相变材料；以及位线，其直接布置在所述上电极上。所述位线形成得偏移于所述记录层。使用这种构造，能够减少记录层和上电极之间的接触面积以及上电极和位线之间...

一种电路图形曝光方法，用于向掩模辐射照光以将在所述掩模中形成的掩模图形转移（偏移）到半导体基片上，其中：所述掩模包括以预定节距布置的多个主掩模图形和在最外侧主掩模图形外布置的且不转移至所述半导体基片的辅助掩模图形；所述辅助掩模图形设有与...

本发明的半导体存储器件具有以下构造，其中，使用多个存储单元、位线和字线，该多个存储单元分别地包括连接至用于累积数据的存储元件的晶体管，该位线和字线用于指定多个存储单元之一。在和衬底正面垂直的方向形成以下结构，其中源电极和漏电极夹持有源区...