芯片信息管理方法、芯片信息管理系统和芯片信息管理程序技术方案

通过用冗余字线置换具有缺陷地址的字线，信息保持在字线和冗余字线之间的关系中。换言之，信息保持在置换规则中。使用这种布置，诸如批号、所述批量之内的晶片号以及所述晶片之内的芯片位置之类的信息能够保持在芯片中，而根本不会增加芯片面积，并且不使用大数据库。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片信息管理方法、芯片信息管理系统和芯片信息管理程序。具体地，本专利技术涉及具有冗余存储单元阵列以保存缺陷地址的半导体芯片的芯片信息管理方法、芯片信息管理系统和芯片信息管理程序。
技术介绍
诸如DRAM(动态随机存取存储器)之类的半导体芯片通过前端过程中的扩散处理在晶片单元中制造。前端过程中获得的半导体晶片被划分，以在后过程中产生许多半导体芯片，如众所周知的那样。因此，为了以较低的成本制造一个半导体芯片，重要的是增加从一个半导体晶片获得的半导体芯片的数目，并且改善获得的半导体芯片的生产率。通过减少芯片面积的尺寸和增加半导体晶片的尺寸，能够实现从一个半导体晶片获得的半导体芯片的数目的增加。通过在前端过程的许多步骤尽可能地排除降低生产率的各种因素，能够实现半导体芯片的生产率的改善。存在许多降低生产率的复杂因素，并且并不总是易于查明这些因素。然而，在半导体晶片被分成半导体芯片之前的晶片状态下，取决于降低芯片生产率的因素，存在发生缺陷的位置特征。例如，缺陷集中在半导体晶片的外围，或者缺陷集中在半导体晶片的一侧，或者合格与故障每隔一个芯片重复。这些特征成为发现降低生产率的因素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于将芯片信息存储到半导体芯片自己中的芯片信息管理方法，所述半导体芯片包括：存储单元阵列，其具有多个存储单元；多个缺陷地址存储电路，所述缺陷地址存储电路中的每一个都能够存储缺陷地址；以及冗余存储单元阵列，其能够置换对应于所述缺陷地址存储电路中存储的缺陷地址的存储单元，所述芯片信息管理方法包括：第一步，检测多个缺陷地址；第二步，基于要被存储的所述芯片信息，确定所述多个缺陷地址和存储所述缺陷地址的所述多个缺陷地址存储电路之间的关系；以及第三步，基于在所述第二步骤确定的所述关系，将所述缺陷地址存储在所述相应的缺陷地址存储电路中。

【技术特征摘要】
JP 2005-5-27 2005-1549321.一种用于将芯片信息存储到半导体芯片自己中的芯片信息管理方法，所述半导体芯片包括存储单元阵列，其具有多个存储单元；多个缺陷地址存储电路，所述缺陷地址存储电路中的每一个都能够存储缺陷地址；以及冗余存储单元阵列，其能够置换对应于所述缺陷地址存储电路中存储的缺陷地址的存储单元，所述芯片信息管理方法包括第一步，检测多个缺陷地址；第二步，基于要被存储的所述芯片信息，确定所述多个缺陷地址和存储所述缺陷地址的所述多个缺陷地址存储电路之间的关系；以及第三步，基于在所述第二步骤确定的所述关系，将所述缺陷地址存储在所述相应的缺陷地址存储电路中。2.如权利要求1所述的芯片信息管理方法，其中在所述第二步骤，将按照布局顺序的所述缺陷地址存储电路中存储的缺陷地址的大小相互关系链接到要被存储的所述芯片信息。3.如权利要求2所述的芯片信息管理方法，其中通过参考显示置换规则和相应信息之间的关系的数据表，通过确定在哪些缺陷地址存储电路中存储哪些缺陷地址，执行所述第二步骤。4.如权利要求1到3中任何一项所述的芯片信息管理方法，其中在所述第一步骤，有缺陷的存储单元的地址和部分的没有缺陷的存储单元的地址被检测为所述缺陷地址。5.如权利要求4所述的芯片信息管理方法，其中通过在所述存储单元阵列的运行测试中逐渐增加刷新周期，来检测所述部分的没有缺陷的存储单元。6.如权利要求1到3中任何一项所述的芯片信息管理方法，其中至少部分的所述多个缺陷地址存储电路被分成多个子组，并且至少两个子组具有相同的芯片信息。7.如权利要求1到3中任何一项所述的芯片信息管理方法，其中所述芯片信息包括所述半导体芯片在晶片上的位置信息。8.一种用于获得半导体芯片中存储的芯片信息的芯片信息管理方法，所述半导体芯片包括存储单元阵列，其具有多个存储单元；多个缺陷地址存储电路，所述缺陷地址存储电路中的每一个都能够存储缺陷地址；以及冗余存储单元阵列，其能够置换对应于所述缺陷地址存储电路中存储的缺陷地址的存储单元，所述芯片信息管理方法包括第一步，通过登记测试读取所述多个缺陷地址存储电路中存储的地址；第二步，通过分析在哪些缺陷地址存储电路中存储哪些地址，确定所述冗余存储单元阵列的置换规则；以及第三步，基于确定的置换规则，确定所述芯片信息。9.如权利要求8所述的芯片信息管理方法，其中在所述第二步骤，通过分析所述多个缺陷地址存储电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川澄男，
申请(专利权)人：尔必达存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]