每个层叠的存储芯片具有ＩＤ产生器电路，用来根据其制造工艺产生识别信息。由于存储芯片的制造工艺意味着工艺变化，即使ＩＤ产生器电路在设计上相同，各个ＩＤ产生器电路产生的ＩＤ彼此不同。存储控制器指示ＩＤ检测电路检测各个存储芯片的ＩＤ，并基于检...

本发明公开了一种制造具有不同厚度氧化膜的半导体器件的方法，该方法包括：在衬底（３０１）上形成第一栅氧化膜（３０２）后，通过第一氧氮化工艺形成氮化层（３０３）。从衬底的薄膜部区上有选择地除去第一栅氧化膜。第二栅氧化膜形成工艺在薄膜部区中形...

在一种半导体集成电路器件中，一个写命令译码器对写命令进行译码并输出译码脉冲。一个命令计数器电路对译码脉冲进行计数，作为命令的数目。一个锁存器电路响应来自命令计数器电路的计数输出而锁存写ａＤＤＲｅｓｓ。一个延迟计数器电路响应译码脉冲对延迟...

通过使用内插器将包括若干层叠式ＤＲＡＭ芯片的ＣＯＣ　　ＤＲＡＭ安装在主板上。该内插器包括Ｓｉ单元和ＰＣＢ。该Ｓｉ单元包括Ｓｉ基板和绝缘层单元，该绝缘层中安装了配线。该ＰＣＢ包括用于在该Ｓｉ单元中的配线的参考面。在芯片组和该ＣＯＣ　　ＤＲ...

一种制造半导体器件中的ＭＯＳ晶体管的方法，包括下述步骤：通过利用多步骤注入和相关的多步骤热处理将掺杂剂注入到沟道层或源极／漏极区中，其中所述多步骤注入包括多个注入步骤，每个注入步骤以低于１×１０↑［１３］／ｃｍ↑［２］的剂量注入掺杂剂，...

在制造半导体器件的过程中，在晶片的背面上形成第一吸杂层，然后在芯片的背面和侧表面上形成第二吸杂层，由此使得这些吸杂层作为阻止在装配工序中背面研磨之后产生的金属杂质的捕获点。

一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在硅衬底上形成沟槽用于器件隔离；以及在从生长掩埋氧化膜之后直至生长栅多晶硅的期间的任一步骤中，在包含稀有气体的气氛中对硅衬底进行退火。

一种半导体器件，包括一个具有四条边的矩形芯片，分别与不同外部端子相连的金属丝，以及一个沿着矩形芯片的四条边中的一条安放并且直接与连在不同外部端子上的金属丝相连的焊接区。由于不同外部端子通过金属丝而直接焊接到焊接区上，经由一根金属丝从一个...

一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底上形成硅晶核、淀积第一非晶硅、淀积第二非晶硅、以及通过使晶核以固相方式生长而使第一和第二非晶硅晶化。

一种半导体器件包括圆柱形电容器，每个电容器包括相应的圆柱形电极。每个圆柱形电极包括半球形硅颗粒。从圆柱形电极的上部区域突出的半球形硅颗粒具有较大的尺寸，从圆柱形电极的下部区域突出的半球形硅颗粒具有较小的尺寸，或圆柱形电极的下部区域没有半...

通过如下步骤来实现制造半导体器件的方法。在置于室中的半导体基片的导电部分上形成层间绝缘膜；形成接触孔以通过层间绝缘膜到达导电部分；形成阻挡金属层以覆盖接触孔的侧壁部分的底部；从含氟的材料气体中形成钨层，并且通过后净化工艺从钨层中去除氟，...

提供了一种半导体器件生产系统，可不去除封装树脂就读出芯片的位置信息，从而迅速识别故障成因和提高芯片的产量。替换地址读取装置（４１）从被测试为有故障的半导体器件中读取冗余地址。芯片位置分析装置（４２）从冗余地址组合中估计有故障的半导体器件...

一种ＣＭＯＳ器件，包括半导体基板、栅极绝缘膜和具有掺杂硼和磷的硅层、氮化钨层和钨层的栅极电极。在硅层的厚度方向的硼浓度分布中，硼的最大浓度和最小浓度的比小于１００。该ＣＭＯＳ器件具有比较低的ＮＢＴＩ（负偏置温度稳定性）退化。

一种形成在电容器孔内的层叠电容器包括下电极、电容器绝缘膜和上电极。下电极包括形成在下部绝缘膜上的多个岛、以及覆盖下部绝缘膜上的各岛的金属膜。下电极的较大表面增加了层叠电容器的电容。

本发明的相变存储器装置具有：半导体基板；分别设置在矩阵状排列的多个字线和多个位线的各交点上的一个ＭＯＳ晶体管；多个相变存储器元件，在半导体基板上堆积相变材料的相变层中，在和一个ＭＯＳ晶体管的扩散层的上部相对的区域中形成，存储保持多位数据...

穿透半导体基片并且与半导体基片绝缘隔离的贯通电极包括内部贯通电极、四边形环状半导体以及外围贯通电极。四边形环状半导体围绕内部贯通电极形成，并且外围贯通电极围绕四边形环状半导体形成。

本发明的层叠型半导体装置具有：底部基板，在端部形成将多个连接端子直线状排列的端子列，并具有将上述多个连接端子及外部端子电连接的布线图形；一个或多个半导体芯片，具有以和上述端子列大致平行的位置关系直线状排列的焊盘列，被层叠在上述底部基板上...

在存储器模块中，排列多个半导体存储器插件并安装在模块基板上，并且将控制半导体插件配置在半导体存储器插件的排列的中央部、且安装在模块基板上。相对于半导体存储器插件的排列方向非热连接地设置有：与控制半导体插件热连接的控制半导体用散热器、和与...

一种具有在由半导体硅基板上的氧化膜和栅布线限定的各个预定位置中提供的升高的源／漏结构的半导体装置，其中升高的源／漏结构的上端部的形状沿垂直于半导体硅基板的方向在半导体硅基板上的正投影图像基本上与由半导体硅基板上的相应的氧化膜和栅布线限定...

披露了包括多个半导体芯片和多个直通线组的半导体器件。直通线组中的每一个都由唯一数目的直通线组成。和直通线组相关的数目彼此互质。当对于每个直通线组选择直通线中的一个时，通过多个直通线组的选择的直通线的组合，指定半导体芯片中的一个。