非易失存储元件，包含：下电极１２；上电极１５；设置在下电极１２和上电极１５之间、包含相变材料的记录层１３和可以阻挡记录层１３相变的阻挡层１４。构成阻挡层１４的材料比构成记录层１３的材料具有更高的电阻。阻挡层１４抑制热向上电极１５辐射，极...

一种半导体器件，包含半导体衬底，ＭＯＳ晶体管和反熔丝元件。所述ＭＯＳ晶体管形成在所述半导体衬底上并包含沟道区和栅电极。所述沟道区具有预定导电类型。所述反熔丝元件形成在所述半导体衬底上并包含预定区和反熔丝电极。所述预定区具有预定导电类型并...

提供一种半导体存储装置，减小了相邻存储单元之间的加热造成的影响。存储单元具有：对应通电而发热的加热元件（１２）、因加热而相变的硫族化物层（１０）、以及对其进行驱动的晶体管（１６、１８）。位线（ＢＬ）在预定方向上延伸配设，并与存储单元电连...

一种半导体装置，进一步确保输入电路中的参照电压的噪声容限。上述半导体装置包括：焊盘（１４），输入参照电压（Ｖｒｅｆ）；输入电路（１３）；电阻元件（Ｒ１），连接在输入电路（１３）的输入端与焊盘（１４）之间；电容元件（Ｃ１），连接在输入电路...

一种探针卡具有多个探针组，这些探针组排列为预定图形。通过假设彼此相邻排列的多个单元区域１１－１４形成芯片组区域来获得预定图形。该单元区域的数量等于索引的数量。包括在芯片组区域中的单元区域之一被限定为特定单元区域。其间无间隙地排列该芯片组...

通过刻蚀金属板形成金属柱。因此，金属柱可以形成有精确的高度和精细间距。通过使用上封装中形成的金属柱将上和下封装连接在一起，能够获得具有精细电极间距的小型化半导体器件。

所述光掩模１０包含：衬底１１，位于所述衬底１１上的曝光区域１２，在所述曝光区域１２内形成的掩模图形１３，以及在所述曝光区域１２的外部曝光区域１４（右侧区域）内形成的掩模放大倍率信息１４Ｘ。包括所述掩模图形１３的所述整个曝光区域１２在沿着...

一种半导体器件包括通过照射激光束能断开的多个熔丝元件，和如二维地观察到的在多个熔丝元件之间设置的并能削弱激光束的衰减构件。每个衰减构件包括多个柱状体。用这种布置，包括多个熔丝单元的衰减构件会吸收从被断开的熔丝元件泄漏到半导体衬底侧的激光...

本申请涉及用于形成具有减小的图形尺寸的膜图形的方法。一种用于形成抗蚀剂图形的方法，包括：通过利用光刻在目标膜上形成抗蚀剂掩模，通过涂布以在该抗蚀剂掩模上形成混合－产生抗蚀剂膜，烘焙该混合－产生抗蚀剂膜以在抗蚀剂掩模和混合－产生抗蚀剂膜之...

提供一种相变存储器装置，能不需进行核实动作，使电路构成、写入次序变简单，并且，能在以前的１位的存储器单元区域中写入２位。具有使用相变膜作为存储元件的存储器单元的相变存储器装置具有：形成于所述相变膜的一个面侧的第１相变区域；和在所述相变膜...

提供一种半导体装置及其制造方法，可将加工沟槽时产生的飞边有效去除的同时使沟槽的形状最佳化，并不会产生寄生沟道、泄漏电流。在这种半导体装置中，沟槽（１１）使位于活性区域（Ｋ）侧、并与开口部（１１ａ）连接的一对第２内壁（１１ｃ）的截面轮廓线...

一种相变存储设备，包括：相变元件，用于通过改变电阻态来可重写地存储数据；存储单元，该存储单元排列在字线和位线的交叉处并且由串联连接的相变元件和二极管形成；选择晶体管，该选择晶体管形成于位于存储单元之下的扩散层中，用于响应于与栅极相连的字...

一种具有对应于和外部输出信号同步的两个内部时钟信号的锁存电路的两个锁存系统。该内部时钟信号和外部时钟信号的上升沿同步，并被产生为具有对应于外部时钟信号外部时钟频率１／２的频率的单触发脉冲。

本发明提供了一种包括反熔丝电路的半导体器件和向反熔丝电路写入缺陷地址的方法。根据本发明的反熔丝电路包括：反熔丝元件，以非易失的方式来保持数据；锁存电路，暂时地保持要被写入到反熔丝元件的数据。能够以纳秒的数量级执行对锁存电路的写入，因而，...

本发明的多个存储单元阵列、地址缓冲器、地址译码器，放大器，启动电路和输出电路分别形成在同一半导体芯片上；连接在远离所述输出电路的存储单元阵列上的地址译码器与所述地址缓冲器间连线的长度短于连接在靠近所述输出电路的存储单元阵列上的地址译码器...

一种同步半导体存储器，包括第一初始电路、第二初始电路和第三初始电路。第一初始电路接收外部时钟信号ＣＬＫ并与参考电压比较，比较结果被放大并输出为信号Φ１；第二初始电路接收时钟允许控制信号ＣＫＥ，并与参考电压比较，比较结果被放大并输出为信号...

一种带有电阻器的存储模块。用作阻抗调节器的该电阻器被直接或间接地与Ｃ／Ａ寄存器的输出晶体管的输出端连接在一起。电阻器对从Ｃ／Ａ总线的输入端看去Ｃ／Ａ寄存器的输出阻抗进行调节，使得该输出阻抗在由Ｃ／Ａ寄存器输出的内部信号的工作电压范围内基...

一种存储器系统，包括：　　　　多个存储模块，具有用于保存数据的存储区和用于发送并接收数据的缓冲器单元；　　　　一硬盘设备，将存储在所述存储模块中的数据拷贝到该硬盘设备上；　　　　一控制设备，在更换任意存储模块的过程中，该控制设备将所述总...

一种同步型半导体存储设备包括：存储单元阵列（１３），其中存储单元排列在矩阵中；行地址解码器（１２），其响应于字激活信号，基于行地址来激活在所述存储单元阵列中的字线中的一个；列解码器（１１），其基于列地址来激活在所述存储单元阵列中的位线对...

一种冗余控制电路包括：多个程序单元（１００）和电压控制部分（１０１，１０５，１０６，１０７）。在多个程序单元（１００）中，通过由于施加电压（ＳＶＴ）造成介质击穿来对表示缺陷位置的缺陷地址（ＸＡＤ）进行编程。电压控制部分（１０１，１０５，...