一种非易失存储元件包括：记录层，其包括相变材料；下电极，其与记录层相接触地提供；上电极，其与记录层的上表面的部分相接触地提供；保护绝缘膜，其与记录层的上表面的其他部分相接触地提供；以及层间绝缘膜，其在保护绝缘膜上提供。从而能够获得高热效...

本发明提供一种半导体集成电路装置。通过使用内插器将包括若干层叠式ＤＲＡＭ芯片的ＣＯＣ　ＤＲＡＭ安装在主板上。该内插器包括Ｓｉ单元和ＰＣＢ。该Ｓｉ单元包括Ｓｉ基板和绝缘层单元，该绝缘层中安装了配线。该ＰＣＢ包括用于在该Ｓｉ单元中的配线的参...

ＤＲＡＭ的存储器单元选择ＭＩＳＦＥＴ Ｑｔ的栅电极８Ａ（字线）的薄层电阻和位线ＢＬ１、ＢＬ２的薄层电阻分别等于或小于２Ω／囗。在形成栅电极８Ａ（字线）或位线ＢＬ１、ＢＬ２的步骤期间形成周边电路的互连，由此可减少制造ＤＲＡＭ的步骤的数目。

一种半导体器件的制造方法包含下列步骤。首先，依次在Ｓｉ衬底上形成Ｒｕ或ＲｕＯ＃－［２］膜和ＳｉＯ＃－［２］层。然后，在ＳｉＯ＃－［２］层上形成抗蚀剂图形，并将其作为掩模来蚀刻ＳｉＯ＃－［２］层以形成接触孔。在接触孔的底部暴露Ｒｕ或ＲｕＯ...

在要求进行刷新操作的半导体存储器中，在每次结束刷新操作时，控制方法将作为比外部电源电压高的升高电压的位线电压、作为施加到半导体衬底上的负电压的存储阵列衬底电压以及用于再现保持在存储单元内的数据的位线预充电电压停止预定的周期。在这种情况下...

一个数据总线的信号线路包括在第一接线板上的第一导线和在第二接线板上的第二导线。第二接线板被安装在第一接线板上以便彼此串联连接第一和第二导线，从而建立信号线路。半导体器件与第二导线连接。在该数据总线系统中，按照第二接线板上半导体器件的附加...

一种制造半导体设备的方法，依次包括以下步骤：　　　　在底层绝缘膜上淀积金属导电膜；　　　　依次在所述金属导电膜上淀积第一和第二绝缘膜；　　　　对所述第一和第二绝缘膜进行构图，以具有基本相同的构图区域；　　　　从所述第一绝缘膜有选择地腐蚀...

一种存储系统，具有安装了多个存储电路的模块、以及用于控制所述多个存储电路的控制器，其中所述模块安装了通过用于数据传输的数据布线而连接至所述控制器的至少一个缓冲器，并且所述缓冲器和所述多个存储电路通过所述模块内的内部数据布线相互连接。

一种具有三个或多个不同费米能级的多晶硅栅电极结构的半导体装置，其特征在于：　　　　具有最低费米能级的Ｐ型多晶硅位于第一Ｎ型表面沟道ＭＯＳ晶体管上；　　　　具有最高费米能级的第一Ｎ型多晶硅位于第二Ｎ型表面沟道ＭＯＳ晶体管上，以及　　　　具...

一个半导体集成电路设备，包含：　　　　（ａ）一实际输入电路；　　　　（ｂ）一实际输出电路；　　　　（ｃ）具有和所述实际输入电路的特性相同的复制输入电路；　　　　（ｄ）具有和所述实际输出电路的特性相同的复制输出电路；　　　　（ｅ）一依据外...

一种半导体器件，其在钨膜和多晶硅层之间具有降低的接触电阻和带有具有降低的栅电阻且被预防耗尽的栅电极。根据制造装置半导体器件的方法，一种半导体器件，其在形成栅电极之后且在栅电极上执行侧面选择性氧化之前，通过在氨气体中在７００℃－９５０℃的...

本发明公开了一种层叠型半导体封装件。其中，分别具有安装面的两个半导体芯片（１１）、（１２）相互对向地安装到基板（１３）的表面和底面上，从而使半导体芯片（１１）、（１２）的安装面夹着基板（１３），所述安装面上按预定的排列设有多个芯片引脚。...

一种形成电容绝缘膜的方法，包括的步骤是：通过供给包括金属而不含氧的金属源，在底膜上沉积由金属构成的单原子膜，采用ＣＶＤ技术沉积包含所述金属的金属氧化膜。这种方法能够高生产量地提供具有更好的膜特性的金属氧化膜。

一种涂布机，通过用冲洗液进行边缘冲洗，除去在晶片上形成的涂膜的在晶片侧面上形成的边缘残留物，其特征在于，　　　　具有混合对涂膜具有不同溶解速度的多种溶剂后，进行边缘冲洗的装置。

一种制造集成电路的方法，它包含下列步骤：以氮化硅（１４）和侧壁间隔（１６）作为掩模，利用干法腐蚀方法，在衬底（１）的隔离区中制作沟槽（２ａ）；从氮化硅（１４）清除侧壁间隔（１６）；以及借助于对衬底（１）进行热氧化而处理有源区周边的衬底（...

提供了一种具有槽的半导体设备的制造方法，以在槽的拐角部分形成氧化膜，该氧化膜比其它部分厚度大且应力小。当形成于半导体衬底中的槽被氧化时，它在含有预定重量百分比的二氯乙烯的氧气气氛中被氧化，以使得形成在槽的拐角部分比其它部分的厚度更大的氧...

依照本发明形成绝缘膜的方法，将含氮气体与由硅和氯组成的化合物反应，条件为化合物与含氮气体的气流比低于１／３０，从而生成氮化硅膜。在本发明中，在气流比低于１／３０的条件下形成氮化硅膜，从而改进了具有氮化硅膜的绝缘膜的绝缘性能，进而降低了流...

本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括通过下列步骤形成两层氮化硅膜作为绝缘膜：将含氮气体与二氯甲硅烷反应，形成一层氮化硅膜；将含氮气体与由硅和氯组成的化合物反应，形成另一层氮化硅膜。一层氮化硅膜的漏电流性能优越，而另一层氮化...

在其中形成通孔的部分上形成具有相同宽度的位线和一对的两条钨布线，使得该位线和钨布线以规则间隔布置。在该钨布线之间形成用于连接到另一布线层连接的通孔。在该通孔上形成由钨制成的连接布线，从而在该通孔周围具有预先确定的裕度。在光刻处理中，形成...

一种半导体器件具有双栅电极结构。该栅电极具有包括掺杂多晶硅膜、ＷＳｉ↓［２］膜、ＷＮ膜和Ｗ膜的层结构。形成在Ｐ沟道区域中的多晶硅膜上的ＷＳｉ↓［２］膜形成有多个彼此隔开的ＷＳｉ↓［２］微粒，从而防止了掺杂在多晶硅膜中的杂质的双边扩散。