形成绝缘性能改进的绝缘膜的方法技术

依照本发明专利技术形成绝缘膜的方法，将含氮气体与由硅和氯组成的化合物反应，条件为化合物与含氮气体的气流比低于１／３０，从而生成氮化硅膜。在本发明专利技术中，在气流比低于１／３０的条件下形成氮化硅膜，从而改进了具有氮化硅膜的绝缘膜的绝缘性能，进而降低了流经该绝缘膜的漏电流。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
专利
本专利技术涉及一种半导体器件的生产方法，更具体地说，是一种形成绝缘膜的方法。
技术介绍
为了建立一种能承受最小尺寸为0.14μm或更低的设计规则的下一代半导体器件的生产方法，必须进一步减少在半导体衬底中杂质的扩散。为此，必须在较低温度下形成用作使导体间彼此绝缘的氮化硅膜。然而，当氮化硅膜的形成温度降低到约600℃时，这与常规反应气体即二氯甲硅烷(SiH2Cl2，此后称之为“DCS”)和氨(NH3)的温度一致，那么所得氮化硅膜的沉积速度急剧降低并且导致产量不足。为了解决这些问题，如在日本专利未审公开343793/2002中所披露的，因为六氯乙硅烷(Si2Cl6，此后称之为HCD)即使在约600℃下也能沉积膜，所以已经用它取代DCS来形成氮化硅膜。下面，将用DCS作为反应气体形成的氮化硅膜命名为DCS-Si3N4，而用HCD作为反应气体形成的氮化硅膜命名为HCD-Si3N4。现在，将把DRAM(动态随机存取存储器)作为使用HCD-Si3N4的半导体器件的例子来进行描述。附图说明图1是DRAM中存储单元的示例性结构的横截面图。应注意，尽管Si(硅)衬底100(半导体衬底)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成绝缘膜的方法，所述方法包括以下步骤：提供由硅和氯组成的化合物和含氮气体，其条件是所述化合物与所述含氮气体的气流比低于１／３０；和将所述含氮气体与所述化合物反应以形成氮化硅膜。

【技术特征摘要】
JP 2003-5-19 140667/20031.一种形成绝缘膜的方法，所述方法包括以下步骤提供由硅和氯组成的化合物和含氮气体，其条件是所述化合物与所述含氮气体的气流比低于1/30；和将所述含氮气体与所述化合物反应以形成氮化硅膜。2.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：泷本俊英，藤原秀二，后久保刚，广田俊幸，相宗史记，
申请(专利权)人：尔必达存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]