【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造过程的光刻工序中使用的有机抗反射膜和光致抗蚀剂的。特别涉及抑制有机抗反射膜和光致抗蚀剂的边缘隆起和溶解残留物的。
技术介绍
参照图1至图6,对现有的旋涂型涂布机及涂布方法加以说明。现有的旋涂型涂布机中,由于只能使用一种冲洗液,所以无法调节有机抗反射膜和抗蚀剂各自的溶解速度。因此,与涂布机相连的多种有机抗反射膜和光致抗蚀剂各自的边缘隆起和溶解残留物不能抑制(例如,参考特开平10-242045号公报)。如图1所示,现有的涂布机由杯305(把因晶片的旋转而甩掉的有机抗反射膜和抗蚀剂和冲洗液作为废液收集)、晶片支架306、用于使晶片支架306旋转的电动机307、用于下滴有机抗反射膜或光致抗蚀剂的涂布喷嘴301(图中省略,但一般对于有机抗反射膜或光致抗蚀剂的每一种类和粘度都要准备多个涂布喷嘴)、用于下滴冲洗液的冲洗喷嘴303构成。如图1所示,仅配备有一个冲洗喷嘴303,也没有配备混合多种溶剂的装置。图2~图6示出通过该现有的涂布机进行有机抗反射膜涂布的状况。由于仅使用了一种冲洗液,故有机抗反射膜和抗蚀剂各自的溶解速度不能调节。因此,不能抑制与涂布 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:泷泽正晴,
申请(专利权)人:尔必达存储器株式会社,
类型:发明
国别省市:
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