半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件及其形成方法。一种半导体器件，其包括半导体衬底，所述半导体衬底具有第一栅极凹槽，所述第一栅极凹槽具有彼此面对的第一和第二侧壁。第一栅极绝缘膜覆盖所述第一和第二侧壁。第一栅极电极被设置在所述第一栅极绝缘膜上且在所述第一栅极凹槽的下部中。第一掩埋绝缘膜掩埋所述第一栅极凹槽，并且覆盖所述第一栅极电极。第一扩散区与所述第一栅极绝缘膜的第一上部相邻。所述第一上部在所述第一栅极凹槽的所述第一侧壁的上部上。第二扩散区与所述第一栅极凹槽的整个所述第二侧壁的部分相接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及一种。对于在2010年11月30日提交的日本专利申请No. 2010-266916和在2011年5 月10日提交的日本专利申请No. 2011-105376要求优先权，它们的内容通过引用结合于此。
技术介绍
近些年来，诸如DRAM(动态随机存取存储器)的半导体器件已经被微型化。因此， 如果晶体管的栅极长度缩短，则晶体管的短沟道效应是显著的。结果，亚阈值电流增大，并且晶体管的阈值电压(Vt)减小。此外，当半导体衬底的杂质浓度增大，以便抑制晶体管的阈值电压(Vt)的减小时，结泄漏电流增大。由此，当诸如DRAM的半导体器件的存储器单元被微型化时，刷新特性的劣化是严重的问题。作为用于解决这样的问题的结构，在日本专利特开公布No. 2006-339476和日本专利特开公布No. 2007-081095中公开了沟槽栅极晶体管，其中，栅极电极被掩埋在半导体衬底的主表面中形成的沟槽中(也称为“凹沟道晶体管”)。当晶体管是沟槽栅极晶体管时，可以在物理上充分地保证有效的沟道长度(栅极长度)，并且，可以实现DRAM，该DRAM包括精细单元，该精细单元具有等于或小于60nm的最小处理尺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：三笠典章，
申请(专利权)人：尔必达存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：