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本发明涉及半导体器件及其形成方法。一种半导体器件，其包括半导体衬底，所述半导体衬底具有第一栅极凹槽，所述第一栅极凹槽具有彼此面对的第一和第二侧壁。第一栅极绝缘膜覆盖所述第一和第二侧壁。第一栅极电极被设置在所述第一栅极绝缘膜上且在所述第一栅极...
该专利属于尔必达存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过尔必达存储器株式会社授权不得商用。

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