本技术提供一种半导体热处理设备，包括反应腔室和与反应腔室连通的进气腔室，反应腔室能够容纳晶舟，进气腔室包括依次连通的多级进气腔，其中至少一级进气腔包括多个进气子腔，多个进气子腔在与反应腔室的轴向平行的方向上间隔设置。本技术提供的半导体热...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备；该半导体工艺腔室包括腔室本体、承载装置、磁控管组件、偏置磁场组件和磁屏蔽件，偏置磁场组件设于腔室本体内，且环绕于承载装置设置；磁屏蔽件设于偏置磁场组件上方，用于对偏置...

本发明实施例提供了一种半导体设备的通信方法和半导体工艺设备，该方法应用于下位机，下位机分别与上位机和通信模块连接，通信模块与多个半导体设备的硬件执行单元串联连接，方法包括：调用预先创建的读线程，读取通信模块获取的多个硬件执行单元的上行数...

本申请提供一种半导体工艺设备及其校准装置，用于校准晶圆的位置，校准装置包括推动机构以及驱动机构，其中，推动机构的数量为两个以上，推动机构包括抵推部，抵推部能够由其初始位置移动至其校准位置，并在移动过程中推动晶圆移动，以校准晶圆；驱动机构...

本发明公开了一种半导体器件的制备方法和半导体工艺设备，其中制备方法包括：在基底上形成突出于基底的鳍部以及横跨鳍部的伪栅结构，去除未被伪栅结构覆盖的鳍部，利用第一刻蚀气体对去除鳍部后的表面区域进行平坦化，第一刻蚀气体包括主刻蚀气体和辅助刻...

本发明实施例提供了一种半导体设备的硬件执行单元的配置方法和装置，包括：确定半导体设备的硬件执行单元的标识；根据硬件执行单元的标识，获取对应的控制组件和配置信息；不同标识对应的控制组件，为针对不同标识的硬件执行单元所实现的功能设置得到；配...

本发明提供一种半导体工艺设备及其控制方法和控制装置。其中，控制方法包括在半导体工艺开始之前进行的配方优化步骤；配方优化步骤包括：获取半导体工艺的初始配方；根据初始配方中的各个工艺步骤的工艺参数，依次判断每个工艺步骤是否需要进行点火；若否...

本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，其设有空腔，其包括：内衬、调整环和驱动机构；所述内衬的位于所述空腔下方的部位设有与所述空腔连通的多个第一穿孔，所述调整环设置于所述内衬的背离所述空腔的一侧，所述调整环设有多个第二穿孔，所述第二穿孔与...

本申请公开了一种升降工装，涉及工具领域。一种升降工装，用于半导体工艺设备，所述升降工装包括：旋转升降机构；所述旋转升降机构包括底盘、主动轮、从动轮和用于升降半导体工艺设备中的部件的升降件，所述主动轮和所述从动轮分别可旋转地设于所述底盘，...

本发明涉及及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种传输腔室、半导体工艺设备及拆装工装，该传输腔室包括：可拆卸式固接的上腔室和下腔室，上腔室具有上容纳腔，上腔室的侧壁具有多个连通于上容纳腔的传片口；下腔室具有下容纳腔，上容纳腔的下敞口与下容...

本技术提供一种晶舟传输机构及半导体工艺设备。晶舟传输机构包括：驱动源，用于提供旋转动力；传动组件，与驱动源和半导体工艺设备的晶舟连接，用于将驱动源提供的旋转动力转换为沿指定方向的直线动力，并传递至晶舟；制动组件，能够在制动状态和解除制动...

本发明提供一种晶圆解吸附方法、静电卡盘及半导体加工设备，该包括：在需要对晶圆进行解吸附时，关闭静电吸附电源；在确定静电吸附电源关闭之后，设置静电吸附电源的解吸附电压，并开启静电吸附电源；解吸附电压与静电吸附电源在上一次开启时的吸附电压的...

本技术提供一种传输腔室及半导体工艺设备，传输腔室用于半导体工艺设备，传输腔室内设置有传输装置、检测装置和调整装置，传输装置能够承载晶圆在传输腔室和半导体工艺设备的工艺腔室之间进行传输，检测装置用于对承载于传输装置上的晶圆上的定位标记的相...

本申请公开了一种上电极组件及半导体工艺腔室，上电极组件包括层叠设置的电极板和加热组件；所述加热组件沿径向包括中心加热区和至少一个环形加热区，所述至少一个环形加热区依次环绕所述中心加热区设置，所述中心加热区以及所述至少一个环形加热区分别独...

本发明实施例提供了一种特种气体安全控制方法和一种半导体工艺设备，该方法包括：获取腔室的压力值；在压力值大于预设压力阈值的情况下，当需打开第二气体阀门和第三气体阀门时，控制第一电路断开，第二电路和第三电路接通，使第一气体阀门关闭、第二气体...

本公开总体涉及等离子体半导体处理和用于这种处理的处理工具。在示例中，处理工具包括腔室和基板支撑件。腔室具有在腔室内的内部容积。基板支撑件布置在腔室中的内部容积中。基板支撑件包括支撑表面，该支撑表面构造成在腔室中的内部容积中支撑半导体基板...

本发明实施例提供了一种半导体工艺配方的比较方法和装置。方法包括：获取第一配方和第二配方；第一配方包括多个第一工艺步骤和各个第一工艺步骤对应的第一配置项；第二配方包括多个第二工艺步骤和各个第二工艺步骤对应的第二配置项；将第一工艺步骤的第一...

本发明提供一种温度控制方法、装置和计算机可读介质，该方法包括：在加热半导体加工设备的承载组件的第一加热分区达到当前目标温度值的过程中，根据第一加热分区的温度状态，确定该温度状态对应的控温模式；根据控温模式下的温度比例，控制承载组件的第二...

本申请公开一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域

本申请公开一种晶圆卡盘及半导体工艺设备。所公开的晶圆卡盘包括卡盘本体、多个夹持部件、传动件、弹性连接件、缓冲器和驱动机构，传动件转动地设于卡盘本体，多个夹持部件转动地设于卡盘本体，且均与传动件传动配合，弹性连接件弹性连接卡盘本体和传动件...