本说明书实施方式提供了一种工艺配方的同步方法、装置及半导体工艺设备，该工艺配方的同步方法包括：采用多线程的异步任务处理方式，确定目标工艺设备中未存储于配方数据库的目标工艺配方，并将所述目标工艺配方同步至所述配方数据库。相比于采用单线程处...

本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体工艺设备，该方法包括：利用第一工艺气体对粗化层进行修饰，以降低粗化层的表面粗糙度，第一工艺气体包括能够与粗化层反应的化学刻蚀气体和能够对粗化层物理轰击的物理轰击气体，物理轰击气体在第一工艺气体...

本发明提供了一种物料优化调度的方法，包括：获取系统所需运行的物料列表和工艺顺序，所述物料包括晶片和晶片传送盒；对物料列表中的每个物料进行查询，以确定各个物料的当前状态；根据各个物料的当前状态和工艺顺序，模拟计算各条物料运行路径；所述运行...

本发明提供一种工艺腔室清洁方法，包括：采用第一等离子体清洁步去除工艺腔室内的硅基副产物；在第一等离子体清洁步之后，采用第二等离子体清洁步去除工艺腔室内的碳氟基副产物；在第二等离子体清洁步之后，采用第三等离子体清洁步去除工艺腔室内的金属副...

本发明公开了一种铝层刻蚀方法及电子器件的制造方法，铝层刻蚀方法包括：在待刻蚀铝层上形成纳米级的掩膜层；通入刻蚀气体对所述铝层进行刻蚀，所述刻蚀气体含氯元素；实时监测刻蚀过程中的光谱信息，在所述铝层的特征产物的光谱强度下降之前停止刻蚀，所...

本申请公开了一种进气装置及半导体处理设备，进气装置包括：转接结构，以及沿第一方向排列并分别设置于转接结构的相对两侧的第一匀气结构和第二匀气结构；转接结构内设有沿第二方向延伸并用于与半导体处理设备连通的传输通道；第一匀气结构设有沿第三方向...

本说明书实施例提供了一种控制方法、装置、半导体设备及计算机可读存储介质，所述控制方法响应于携带有目标腔室组信息的抽气指令，控制与目标并行腔室组对应的阀门组打开，控制所述抽气泵对所述目标并行腔室组中的各所述过渡腔室均进行抽真空操作。在该过...

本申请提供一种工艺腔室及其进气组件，属于半导体制造领域，进气组件包括第一腔体和第二腔体，二者均呈环状，第二腔体设置在第一腔体内；第二腔体内具有匀流腔，第二腔体的外壁与第一腔体的内壁间形成缓冲腔；第一腔体具有沿其周向分布的多个第一出气孔，...

本申请提供了一种坩埚装载装置和半导体设备，涉及半导体加工技术领域，为解决坩埚向长晶炉中装卸困难的问题而设计。坩埚装载装置包括安装架，与安装架滑动连接的第一升降模块，位于第一升降模块上的安装座、第二升降模块和炉盖模块；炉盖模块用于封闭开口...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，多个连接组，分别与多个载片舟一一对应地设置，每个连接组包括连接结构，连接结构被设置为与对应的载片舟中的各舟片电性连接，且使各相邻的两个舟片的极性相反；各相邻两个连接组的连接结构在相邻两个载片...

本申请公开一种用于气相沉积工艺腔室的上衬环、下衬环、进气衬体和内衬，其中，上衬环包括第一环本体、第一导流件和第二导流件，第一导流件和第二导流件相对设置，且凸出于第一环本体的下端面，第一导流件的第一端和第二导流件的第一端均位于上衬环的进气...

本申请公开一种清洁装置。所公开的清洁装置包括箱体(10)、冷凝部(20)、加热器(30)和承载座(40)，箱体(10)具有容置空间(13)，冷凝部(20)和承载座(40)均位于容置空间(13)中，且冷凝部(20)位于承载座(40)的上方...

本发明提供一种进气组件、进气装置及半导体工艺腔室，进气组件包括进气部、气体分配层和环形均流腔；进气部具有进气通道，气体分配层连通进气通道；气体分配层包括环绕进气部设置的至少一个分配腔，距离进气部最近的分配腔为第一分配腔；环形均流腔环绕进...

本发明公开了一种半导体膜层的刻蚀方法和半导体工艺设备，在第一刻蚀步中，利用第一工艺气体同时对第一区和第二区的第一介质层进行刻蚀，并使得刻蚀停止在第一区的第二掩膜层表面，在第二刻蚀步中，利用第二工艺气体同时对第一区的第一介质层和第二掩膜层...

本发明提供一种匀流组件、进气装置及半导体设备，匀流组件内部具有匀流腔，匀流腔的顶壁上设有沿自身厚度方向贯穿顶壁的多个进气口，匀流腔的底壁上设有沿自身厚度方向贯穿底壁的多个出气口；匀流腔内部设有与多个进气口一一对应设置的多个进气管，以及与...

本发明公开了一种GaN层的刻蚀方法、半导体器件的制备方法和半导体工艺设备，GaN层包括层叠设置的第一GaN层和第二GaN层，第一GaN层的缺陷密度大于第二GaN层的缺陷密度，利用第一刻蚀气体对第一GaN层进行刻蚀，利用第二刻蚀气体对第二...

本说明书提供了一种含钨层的刻蚀方法及半导体工艺设备，其中，所述含钨层的刻蚀方法通过对含钨层交替进行沉积步和刻蚀步，并在刻蚀步中对形成有保护膜的含钨层进行物理轰击和化学刻蚀的方式，在含钨层中形成了陡直度较高的孔。具体地，在沉积步中形成的保...

本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种含钨层的刻蚀方法及半导体工艺设备，该刻蚀方法包括步骤：主刻蚀步，对上表面具有目标图形刻蚀掩膜层的含钨层表面进行各向异性刻蚀，以形成开口；掩膜增厚步，在开口的内侧壁及目标图形刻蚀掩膜层的上表面沉积...

本申请提供了一种形成沟槽的方法、半导体器件的制造方法及工艺设备，该方法包括：在半导体衬底的表面上形成掩膜层；掩膜开口暴露半导体衬底的第一部分的部分表面和第二部分的部分表面，第一部分与第二部分材料不同；交替循环执行改性层生成步骤和改性层刻...

本公开总体涉及等离子体半导体处理和用于这种处理的处理工具。在示例中，处理工具包括腔室、基板支撑件和聚焦环(FR)移动组件。基板支撑件布置在腔室中并具有支撑表面。(FR)移动组件布置在腔室中，并且包括框架和机械联接到框架的区段支撑件。每个...