本发明提供了工艺任务的控制方法及半导体设备；其中，该方法包括：根据工艺配方中的多个预设时间计算半导体设备的瓶颈时间和单个工艺任务

本发明提供了一种工艺腔室进气装置

本发明公开了一种栅极结构制备方法和半导体工艺设备，在基底上形成第一介质层，对第一介质层刻蚀第一预设深度以得到具有第一斜率的第一子开口，对第一子开口的底部的第一介质层刻蚀第二预设深度以得到具有第二斜率的第二子开口，第二斜率大于第一斜率，对...

本发明提供了一种沟槽刻蚀方法，该方法包括：第一刻蚀步骤，利用第一刻蚀气体对基底进行刻蚀，以将第二类型开口所暴露出的基底刻蚀至预定深度；其中，第一刻蚀气体包括能够在第一类型开口底部形成钝化膜的第二气体；去除步骤，利用第二刻蚀气体去除第一类...

本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，半导体工艺腔室包括：腔室本体，所述腔室本体上设有抽气口；至少一个第一匀流板，在所述腔室本体内靠近所述抽气口的一侧设置，并将所述抽气口遮挡，每个所述第一匀流板上设置有多个匀流孔；连接组件，连...

本发明公开了一种含硅有机介电层的刻蚀方法和半导体工艺设备，利用循环交替的至少两个刻蚀步对含硅有机介电层进行刻蚀，其中，至少两个刻蚀步包括第一刻蚀步和第二刻蚀步，第一刻蚀步采用的刻蚀气体至少包括含氧气体，第二刻蚀步采用的刻蚀气体至少包括含...

本发明实施例提供了一种启辉匹配时间的确定方法

本申请提供了一种形成隔离槽的方法

本发明提供一种薄膜沉积方法及设备，该方法包括以下步骤：

本申请公开了一种刻蚀终点的确定方法

本申请公开一种半导体工艺设备及其排气系统，属于半导体技术领域

本申请公开一种去除沟槽底部氧化层的方法，所公开的方法包括：氧化步骤，氧化步骤用于对侧壁进行氧化，以使第二区域的表层被氧化成预设厚度的氮氧化物；反应步骤，反应步骤用于利用反应气体与第一区域的表层

本申请公开了一种流量调节装置及半导体工艺设备，流量调节装置包括：固定架；连接在固定架上的驱动气缸，驱动气缸的一端活动连接有流量调节块，流量调节块由朝向排放口的一端至朝向驱动气缸的一端渐扩，在驱动气缸的行程范围内，流量调节块趋近并封堵排放...

本发明提供了一种液体除泡装置和清洗设备，涉及半导体加工技术领域，为解决被测管路中的液体混合气泡较多的问题而设计

本实用新型公开一种用于半导体工艺设备的加热装置及半导体工艺设备，半导体工艺设备包括气源容器和管路组件，管路组件与气源容器连通，且位于气源容器之外；加热装置包括壳体、控制器、多个加热件和多个温度检测件；壳体内具有加热腔室，管路组件的至少部...

本实用新型提供一种半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，用于对半导体工艺设备的工艺腔室进行排气，包括：排气管路，排气管路的一端与工艺腔室连通；第一控压阀，第一控压阀的两端分别与排气管路的另一端和厂务排气管路连接；...

本申请提出了一种回收装置及半导体工艺设备。该回收装置包括回收杯及连管；回收杯的底部设置有回收孔道和安装槽；连管的一端插置于安装槽中以与回收杯固定、且连管的管腔与回收孔道连通；在回收孔道与管腔接触形成的结合面上，回收孔道的正投影落入管腔的...

本申请公开一种晶圆承载装置及半导体腔室，属于半导体技术领域。半导体腔室沿水平方向的两侧分别设有进气结构和排气结构，晶圆承载装置设于进气结构和排气结构之间，晶圆承载装置包括环形承载件和位于环形承载件下方、用于支撑环形承载件的流场控制结构，...

本申请公开一种半导体工艺设备的供液装置及半导体工艺设备，其中，所公开的供液装置包括储液容器、泵、压力传感器、控制器、背压阀、输液主管路和多个输液支管路；输液主管路的进液管口与储液容器的排液口连通，输液主管路的回液管口与储液容器的回液口连...

本申请公开一种冷却装置和半导体加工设备，冷却装置包括冷却本体，所述冷却本体具有容纳腔、进液口和至少两个排液口，所述进液口和各所述排液口均与所述容纳腔连通，多个所述排液口沿所述冷却本体的高度方向间隔排布，多个所述排液口中，一者与所述容纳腔...