一种半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，用于对半导体工艺设备的工艺腔室进行排气，包括：排气管路，排气管路的一端与工艺腔室连通；第一控压阀，第一控压阀的两端分别与排气管路的另一端和厂务排气管路连接；至少一条辅排气管路，辅排气管路的两端分别与厂务排气管路和排气管路连接，辅排气管路上设置有开度调节部件；解决现有技术中的控压阀能够适应的工况的气体流量存在上限，难以满足目前工艺腔室中大流量进气的控压需求的问题。室中大流量进气的控压需求的问题。室中大流量进气的控压需求的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备


[0001]本技术属于半导体
，更具体地，涉及一种半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造业的快速发展，在集成电路制造方面，器件特征尺寸不断缩小，芯片的集成度越来越高，对工艺指标的要求越来越严格，新工艺的发展逐渐受制于工艺设备的更新升级。用于集成电路制造领域的立式炉可分为两大类，一类是常压立式扩散炉，另一类是低压立式炉，对于立式炉来说，稳定的压力控制是保证工艺结果稳定的重要条件。低压立式炉的压力控制系统采用的是真空泵和控制阀，压力控制范围比较高，成本也相对较高。常压立式扩散炉通常仅采用单个控压阀进行控压，只能控制相对压力。为了提升设备产能，立式扩散炉的工艺腔室不断加大，随着工艺腔室的增大，工艺腔室的通入气量也要同步增加。气量增大以后，超出了现有控压阀的控压范围，工艺腔室的压力控制成为一个难题。控压阀作为一个关键部件，其能够适应的工况的气体流量存在上限，随着工艺腔室的通入气体流量的增大，原有的控压阀难以满足使用需求，在原有控压阀上直接进行改进技术难度大，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的排气装置，用于对所述半导体工艺设备的工艺腔室进行排气，其特征在于，包括：排气管路，所述排气管路的一端与所述工艺腔室连通；第一控压阀，所述第一控压阀的两端分别与所述排气管路的另一端和厂务排气管路连接；至少一条辅排气管路，所述辅排气管路的两端分别与所述厂务排气管路和所述排气管路连接，所述辅排气管路上设置有开度调节部件。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备的排气装置，其特征在于，所述开度调节部件包括调节阀。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备的排气装置，其特征在于，所述调节阀上游的所述辅排气管路上设置有压力测量部件。4.根据权利要求1所述的半导体工艺设备的排气装置，其特征在于，所述开度调节部件上游的所述辅排气管路上设置有开闭控制部件。5.根据权利要求1所述的半导体工艺设备的排气装置，其特征在于，所述开度调节部件包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘科学，位思梦，吴艳华，王玉霞，郭信鸽，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：