本实用新型提供一种槽式清洗设备。其包括：工艺槽体；升降机构，包括多个用于承载晶圆且沿第一水平方向间隔排布的卡槽；传感器组件和反光件，二者沿第二水平方向相对设置于工艺槽体两侧，且高于工艺槽体的上边沿；第二水平方向与第一水平方向相互垂直；传...

本实用新型提供一种槽式清洗设备。其包括：工艺槽体；升降机构，包括多个用于承载晶圆且沿第一水平方向间隔排布的卡槽；传感器组件和反光件，二者沿第二水平方向相对设置于工艺槽体两侧，且高于工艺槽体的上边沿；第二水平方向与第一水平方向相互垂直；传...

本实用新型提供一种喷淋组件及半导体清洗设备，涉及晶圆清洗领域。该喷淋组件包括摆臂和喷头，喷头包括转向件，转向件可拆卸式连接于摆臂端部；摆臂设置有第一通道，转向件设置有第三通道，第三通道与第一通道连通；转向件绕摆臂端部的轴线可转动，且能固...

本实用新型提供一种喷淋组件及半导体清洗设备，涉及晶圆清洗领域。该喷淋组件包括摆臂和喷头，喷头包括转向件，转向件可拆卸式连接于摆臂端部；摆臂设置有第一通道，转向件设置有第三通道，第三通道与第一通道连通；转向件绕摆臂端部的轴线可转动，且能固...

本申请公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括第一腔室、承载部、升降杆、第一吹扫进气管和吹扫格栅；承载部位于第一腔室内；第一腔室设有避让孔；吹扫格栅位于第一腔室内，且设于避让孔的内侧端口；吹扫格栅设有穿孔和与穿孔连通的过流孔；...

本申请公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括第一腔室、承载部、升降杆、第一吹扫进气管和吹扫格栅；承载部位于第一腔室内；第一腔室设有避让孔；吹扫格栅位于第一腔室内，且设于避让孔的内侧端口；吹扫格栅设有穿孔和与穿孔连通的过流孔；...

本申请提供一种半导体工艺设备及其安装调节装置，用于将光学测温件固定安装于半导体工艺设备的测温窗口的外侧。安装调节装置包括安装座和调节组件，其中，光学测温件安装于安装座远离半导体工艺腔室一侧；安装座具有透光口，以能够使光学测温件的测温光线...

本申请提供一种半导体工艺设备及其安装调节装置，用于将光学测温件固定安装于半导体工艺设备的测温窗口的外侧。安装调节装置包括安装座和调节组件，其中，光学测温件安装于安装座远离半导体工艺腔室一侧；安装座具有透光口，以能够使光学测温件的测温光线...

本申请公开了一种聚焦环及半导体工艺腔室，聚焦环包括：环体，包括相对设置的第一内环形面和第一外环形面，以及从上下两侧分别连接第一内环形面和第一外环形面的第一顶面和底面；环形凸台，设置于第一顶面，并与环体同轴设置；环形凸台包括第二内环形面和...

本发明提供一种线圈、线圈组件、线圈装置及电感耦合等离子体半导体工艺设备。线圈以回转延伸的方式设置在平面上，线圈包括多个弧形部和连接部，弧形部和连接部绕线圈的回转中心设置；线圈具有第一端和第二端，自线圈的第一端至第二端，弧形部与连接部依次...

本发明提供了一种半导体器件的刻蚀方法，该刻蚀方法包括：第一刻蚀阶段：利用第一刻蚀气体对目标膜层进行刻蚀，以在目标膜层上形成第一开口槽；第一刻蚀气体含有对目标膜层起刻蚀作用的第一元素和能够与目标膜层生成聚合物以保护第一开口槽的侧壁的第二元...

本发明公开一种半导体工艺设备，包括一外石英轴和石英轴固定装置，该石英轴固定装置包括：轴筒，轴筒用于容纳外石英轴，轴筒的筒壁包括可变形段和不可变形段；环形夹紧结构，环形夹紧结构沿可变形段的周向设置，包括设于可变形段的内周的弹性凸环，弹性凸...

本申请公开一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体、校准机构以及设于腔体之内的承载座、托架和遮蔽部件；校准机构设于腔体；遮蔽部件可随托架在第一位置与第二位置之间切换；在遮蔽部件处在第一位置的情况下，遮蔽部件与承载座错开，且校准机构可将遮蔽...

本发明提供一种温度控制装置、方法及半导体工艺设备，该装置中，第一供应单元用于提供第一温度的流体；第二供应单元用于提供第二温度的流体；液泵与流体通道的输出端连接；流体控制单元用于将第一供应单元提供的流体，和/或第二供应单元提供的流体，和/...

本发明提供一种半导体加工设备的门结构及半导体加工设备，其中，半导体加工设备的门结构包括门板，且门板上开设有第一窗口，第一窗口上设置有用于观察半导体加工设备内部的视窗，视窗至少包括第一层观察窗、第二层观察窗以及位于第一层观察窗、第二层观察...

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的控制方法、工半导体工艺设备和下位机，所该方法应用于下位机，包括：接收上位机发送配置文件，配置文件包括硬件信息、业务需求信息；根据硬件信息，配置实现硬件控制逻辑的控制类；控制类提供调用接口；根据业务需...

本发明实施例公开一种半导体器件、光器件及半导体结构的制造方法，其中所述制造方法包括：在衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的功能层和牺牲层，所述功能层和所述牺牲层由相同材料构成，所述牺牲层掺杂有n型或p型杂质，且所述牺牲层的掺杂...

本申请公开一种半导体工艺设备及其平坦化晶圆表面的方法，属于半导体工艺技术。该方法包括：提供表面具有待平坦化膜层的待平坦化晶圆，待平坦化膜层具有不平坦表面；通过第一工艺气体对待平坦化膜层进行第一等离子体刻蚀，以使得不平坦表面平坦化；第一工...

本发明实施例提供一种用于半导体工艺设备阻抗匹配的最优匹配路径的获取方法、应用于半导体工艺设备的阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半导体工艺设备。该阻抗匹配方法包括：在工艺开始时，将阻抗匹配器的可调元件的参数值调节为预设的初始值；当射频电源开启时...

本发明提供了用于形成鳍式场效应晶体管的栅极结构的方法，包括：首先主刻蚀工艺阶段利用第一工艺气体，对栅极层刻蚀至第一预定位置；然后第一软着陆工艺阶段利用第二工艺气体，继续对栅极层刻蚀至第二预定位置；其中，第一软着陆工艺阶段产生的刻蚀副产物...