本发明实施例公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底表面形成牺牲区；在所述牺牲区上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层；去除所述牺牲区，以在所述衬底与所述叠层结构之间形成空腔；在所述空腔内填充绝缘层；去...

本发明提供一种浓度控制方法和装置、半导体清洗设备，该装置包括：温度控制模块，用于控制半导体清洗设备的清洗槽中的药液温度，直至其达到设定温度值；压力检测模块，用于在药液温度达到设定温度值时，实时检测清洗槽的药液在指定位置的压力值；补水模块...

本发明提供了一种工艺参数的确定方法及半导体工艺设备，可以建立工艺参数与各分区膜厚的关系模型，根据该关系模型推算出沉积工艺的实验工艺参数，若基于该实验工艺参数进行晶圆薄膜沉积的膜厚不满足膜厚均匀性要求，则可以更新上述关系模型后再执行上述推...

本发明提供一种半导体清洗设备的供液装置及半导体清洗工艺的供液方法，该装置中，液体输送机构与第一储液槽、第二储液槽和回收槽，以及工艺腔室连接，用于在第一供液模式下，选择性地将第一储液槽和第二储液槽中的至少一者中的清洗液输送至半导体清洗设备...

本申请公开了射频电源控制系统和方法，以解决目前在射频设备软件异常的情况下，射频电源无法关闭的问题。射频电源控制系统包括控制模块、互锁回路和互锁模块；其中，射频电源位于互锁回路中，射频电源用于在互锁回路导通的情况下，输出射频功率，并且在互...

本发明提供一种原子层刻蚀工艺条件确定方法、反应腔室及设备，涉及半导体技术领域。该原子层刻蚀工艺条件确定方法包括：获取原子层刻蚀过程中对应实际工艺步骤的多组工艺数据，存储多组工艺数据并组成数据库，其中，每组工艺数据包括一一对应的实际工艺条...

本发明实施例提供了一种数据采集方法、CTC设备和一种数据采集系统，该方法应用于集簇设备控制程序CTC设备端，CTC设备端与设备数据采集EDA服务端连接，该方法包括：接收EDA服务端发送的需要采集的工艺参数编号和对应的采集频率；根据采集频...

本发明实施例提供了一种静电卡盘电源和半导体工艺设备。所述静电卡盘包括控制电压生成电路，用于根据用户设置值生成控制电压；升压电路，用于对所述控制电压进行升压以得到高压电压；参考电压引入电路，用于提供直流自偏电压，所述直流自偏压为所述半导体...

本实用新型提供一种籽晶固定结构、籽晶生长装置及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，籽晶固定结构应用于长晶设备，长晶设备包括坩埚，坩埚包括锅体和锅盖，籽晶固定结构包括：承载板，可拆卸地搭载在锅体的顶部，承载板上设置有相互连通的第一孔和第二...

本实用新型提供一种立式炉体及半导体热处理设备，涉及半导体热处理的技术领域。该立式炉体，包括本体，本体的底端固定设置有底板，底板设置有滚动组件，滚动组件包括滚动件，滚动件凸出于底板的底端面，且相对于底板滚动设置。该立式炉体，其底板设置有滚...

本实用新型公开了一种气体反应设备的互锁系统及气体反应设备，气体反应设备的反应腔体设置有多路第一进气管路和一路第二进气管路，且每个第一进气管路中设置有第一电磁阀，第二进气管路中设置有第二电磁阀，第一进气管路用于通入第一气体，第二进气管路用...

本申请公开了一种半导体腔室，包括：腔室本体，包括顶部设有开口的腔体，以及盖设在开口处的上盖；匀流件，包括与上盖间隔设置的匀流板，以及由匀流板的边缘延伸至上盖的底面的第一环形侧壁，第一环形侧壁的外侧面还设有第一凸伸部；喷淋件，设置于匀流件...

本申请提供了一种半导体腔室包括腔体、基座和升降机构，基座设置于腔体中，升降机构用于带动基座在腔体内升降；腔体具有环绕腔体内壁设置的第一密封环面，基座外缘设有第二密封环面，基座能够分隔腔体的内部形成工艺腔和传输腔。第一密封面和第二密封面中...

本申请涉及半导体工艺技术领域，具体而言，涉及一种电源引入板及半导体工艺设备。该电源引入板具有电流引入部和电流调节缝；电流引入部用于外接电源，以馈入射频；电流调节缝设置于电源引入板的边缘与电流引入部之间部位，且沿电源引入板的厚度方向，电流...

本申请公开一种半导体工艺设备，其包括炉体(100)、炉门(200)和锁紧部(300)，所述炉体(100)和所述炉门(200)中的一者包括锁紧配合部(110)，所述锁紧部(300)活动地设于所述炉体(100)和所述炉门(200)的另一者上...

本实用新型公开一种进气管安装检验装置及半导体热处理设备，涉及半导体技术领域，包括：两个定位块，每个定位块的一侧面设置为与内壁相贴合的接触面，接触面的中部设置有能够容纳进气管的凹槽，凹槽的槽底设置有行程开关，若进气管处于设定安装位置，则进...

本申请公开了一种辅助进气结构及半导体工艺腔室，涉及半导体装备领域。一种辅助进气结构包括：多个进气管路、分流座块和进气座块；所述分流座块具有多个第一通道，多个所述第一通道的进气口与多个所述进气管路一一对应连通；所述进气座块具有多个第二通道...

本发明提供的半导体热处理设备及其承载装置传输方法，该设备包括多个工艺腔室，多个工艺腔室划分为至少一组腔室组；承载装置与腔室组一一对应；至少一个传输执行机构，与承载装置一一对应地连接，传输执行机构用于驱动对应的承载装置执行传入动作或传出动...

本发明提供了一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，涉及半导体制造设备技术领域，为解决现有反应腔室密封结构的密封圈容易损坏的问题而设计。该半导体工艺设备的反应腔室包括工艺管、密封法兰和密封圈，工艺管的外壁设置有环形凸缘，环形凸缘靠...

本发明提供了一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，涉及半导体制造设备技术领域，为解决现有反应腔室密封结构的密封圈容易损坏的问题而设计。该半导体工艺设备的反应腔室包括工艺管、密封法兰和密封圈，工艺管的外壁设置有环形凸缘，环形凸缘靠...