本申请公开了一种半导体工艺设备及其工艺控制方法，解决半导体工艺在测温装置异常时无法有效控温、影响半导体工艺设备可靠性的问题。包括：获取半导体工艺设备中工艺腔室内置的承载台的第一温度和第二温度；判断第二温度是否异常；若确定第二温度正常，则...

本发明提供一种晶舟组件，包括多个晶舟，至少一个晶舟的出舟侧底部具有前导电舟脚，至少一个晶舟的入舟侧底部具有后导电舟脚，前导电舟脚的顶部具有接触凸起，后导电舟脚的底部具有接触凹槽，相邻两个晶舟中位于出舟侧的晶舟进入工艺腔室中时，其后导电舟...

本发明公开了一种半导体工艺设备及其整流结构清洁方法，半导体工艺设备包括：工艺腔室，工艺腔室包括：腔体、等离子体发生装置、承载装置、驱动装置和整流结构，腔体内部形成有工艺腔；整流结构设置于腔体内，整流结构将工艺腔从上至下上下分隔为发生腔和...

本发明公开了一种光反射结构的形成方法及发光器件，该光反射结构的形成方法，包括：提供基底，在基底上形成衬垫层；刻蚀衬垫层，在基底上形成周期性分布的微结构；在基底上形成光疏介质层，光疏介质层覆盖微结构的表面以及微结构之间的基底表面；刻蚀去除...

本发明公开一种转接装置，所公开的转接装置用于将水阻计转接至工艺槽，转接装置包括壳部和封堵部，壳部设有进水孔、出水孔和第一内腔，第一内腔分别与进水孔和出水孔连通；进水孔用于与工艺槽连通；出水孔用于与水阻计连通；封堵部活动地设于第一内腔内，...

本申请公开一种半导体处理设备的调度方法和装置、半导体处理设备，其中调度方法包括：S130，判断装载台当前是否存在晶圆盒，且第一机械手是否承载有当前在所述装载台的晶圆盒中的晶圆，若是，则执行步骤S140，若否，则执行步骤S150；S140...

本发明提供一种尾气排放装置及半导体热处理设备，涉及半导体技术领域。该尾气排放装置包括排放气路、氧气检测气路和吹扫气路，其中，排放气路用于排放尾气；氧气检测气路并联连通于排放气路，氧气检测气路的进气端连通于排放气路的第一位置、出气端连通于...

本发明公开了一种静电卡盘气孔清洗装置及方法，装置包括：清洗架，清洗架顶部设有平台，平台上设有贯穿平台上下表面的开口；支撑环组件，与开口的边缘搭接配合，用于将不同尺寸的静电卡盘支撑在圆孔上方；加压冲洗装置，包括冲洗液供给端和冲洗管路，冲洗...

本发明实施例提供了一种工艺任务的处理方法和一种半导体工艺设备，应用于半导体工艺设备，半导体工艺设备与工厂自动化系统连接，本发明通过接收工厂自动化系统发送的工艺任务，然后从工艺任务中获取目标参数，根据目标参数中的配方控制方式和配方标识，以...

本申请公开了一种控温组件、上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备，上电极控温组件包括：导热基座；加热环，设置于导热基座的顶面，用于对导热基座的边缘进行加热；多个第一加热带，由加热环的内侧向加热环的圆心延伸，并且沿加热环的周向均匀分布，第一...

本申请公开了一种半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种半导体工艺设备，包括：微环境室、移载台和密封夹持装置；所述密封夹持装置具有第一压紧端和第二压紧端，所述第一压紧端和所述第二压紧端在水平方向上位于晶圆盒的两侧，所述移载台用于承载晶圆...

本申请涉及集成化半导体工艺腔室和半导体工艺设备。该半导体工艺腔室通过在腔室本体下方设置盒体支架结构，将多个盒体集成在腔室本体下方，具有很高集成度，便于增加传输平台能挂接的半导体工艺腔室数量；所设置的盒体支架包括多个沿支撑杆长度方向排列的...

本申请公开了一种气源箱，包括：气源箱本体，所述气源箱本体上设有第一排风口，用于连接外部排风系统；多个供气盒，设置于所述气源箱本体内，所述供气盒上设有进风口和出风口；排风管道，用于将所述出风口与所述第一排风口连通；多组供气管路，用于向半导...

本发明提供了一种物料传输控制方法、工艺腔室模块及半导体工艺设备。该方法应用于半导体工艺设备，可以随机械手的取物料动作或放物料动作进行物料信息传递。本发明实施例可以在物料的流动过程中实现物料信息传递和数据摆渡，随着机械手对物料的取放，物料...

本申请公开了一种晶圆调度方法、装置及半导体设备，基于当前批次的晶圆的源腔室和目标腔室，确定用于搬运当前批次的晶圆的目标机械手；实时从调度存储对象中获取目标机械手的调度模式，调度存储对象是在启动加工任务时生成的，目标机械手调度模式是通过机...

本发明公开了一种硅转接板的制备方法，包括：S1：提供填充绝缘层和导电金属的硅衬底；S2：采用第一刻蚀气体刻蚀硅衬底的背面至第一设定时长，第一刻蚀气体包括碳氟类气体，刻蚀过程中在绝缘层的顶部形成有栏栅状沉积物；S3：采用第二刻蚀气体刻蚀硅...

本申请公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括预清洗工艺腔室(100)、杂质承接内衬(200)和冷却盘(300)，所述预清洗工艺腔室(100)具有腔室空间(130)；冷却盘(300)设于腔室空间(130)内；杂质承接内衬(20...

本申请公开了一种工艺腔室及半导体处理设备，工艺腔室包括腔室本体，以及设置于腔室本体内的承载组件和隔离组件；承载组件包括基盘以及真空机械卡盘，真空机械卡盘叠设于基盘的底面，真空机械卡盘通过真空吸附将晶圆吸附固定于基盘的上方；隔离组件套设在...

本申请公开了一种传输装置、半导体工艺设备及晶圆传输方法，涉及半导体领域。一种传输装置包括：吸附手指、加热元件、第一测温元件、第二测温元件和控制元件；吸附手指具有吸附部，加热元件和第一测温元件均设置于吸附部，第二测温元件设置于吸附手指，并...

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的工艺任务启动方法、排程方法、电子设备、存储介质和半导体工艺设备，获取本次工艺任务；规划本次工艺任务的初步输入规划时间；以获取本次工艺任务执行多个中间动作对应的多个滞留时间，确定调整精度，从而推迟或提...