本发明公开了一种鳍式场效应晶体管中的凹槽刻蚀方法，包括：提供衬底，衬底表面具有多个栅极和位于栅极之间的鳍形结构；刻蚀相邻栅极之间的鳍形结构，形成初始凹槽，初始凹槽的内壁表面附着有刻蚀过程中产生的副产物；去除初始凹槽内壁表面上的副产物；再...

本发明提供一种前电极组件，半导体工艺设备包括工艺腔室和固定设置在工艺腔室中且相互平行的两个支撑杆，承载晶圆的第一晶舟支撑于两个支撑杆上，前电极组件包括用于设置在每个支撑杆上的第一复位接触机构，第一复位接触机构具有可移动的晶舟接触面，且晶...

本发明提供了一种下位机、半导体工艺设备及其工艺控制方法，涉及半导体工艺技术领域，该下位机包括：工艺控制模块；工艺控制模块，用于在接收到上位机发送的工艺开始指令时，获取存储的工艺配方数据，执行工艺开始指令对应的工艺配方；在执行工艺配方的每...

本发明实施例提供了一种供电安全回路和半导体工艺设备，所述供电安全回路用于接入厂务进电和不间断电源，进行配电输出；供电安全回路包括供电模块处于闭合状态时，接入所述厂务进电进行配电输出；开关控制模块与所述供电模块连接，在处于闭合状态时，控制...

本申请实施例提供了一种刻蚀均匀性的调节方法，涉及半导体工艺技术领域，所述刻蚀均匀性的调节方法包括：确定经刻蚀处理的晶圆的内圈刻蚀均匀性参数是否大于第一预设值，在内圈刻蚀均匀性参数大于第一预设值的情况下，改变晶圆相对于上电极遮挡件的沿水平...

本发明提供的反应腔室的进气机构、反应腔室及外延生长设备，其包括进气腔体和匀流板，进气腔体包括朝向反应腔室的进气端面，匀流板设置在进气腔体的进气端面上；在进气腔体中形成有沿水平方向依次排列的多个进气腔，每个进气腔均延伸至进气端面；在进气腔...

本发明提出一种应用程序消息弹窗的实现方法、装置、电子设备及存储介质，其中该方法包括：定义窗体为消息弹窗载体，窗体包括至少一个区；响应于第一类参数，设置至少一个区的第一类属性；响应于第二类参数，设置至少一个区中数据的第二类属性；根据第一类...

本实用新型提供一种晶圆承载装置，承载部件承载晶圆，定位部件的第一定位段与承载部件定位配合，第二定位段与旋转部件定位配合，用于定位承载部件与旋转部件的相对位置，旋转部件通过带动定位部件旋转带动承载部件旋转；承载部件的底部设置有第一定位孔，...

本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体而言，涉及一种半导体设备的工艺腔室。半导体设备的工艺腔室包括腔体、内衬以及内门组件；内衬设于腔体内，内衬设有传片口；内门组件包括内门，内门用于遮挡或者避让传片口；内门的内部具有内门气道，内衬的内部具...

本申请公开了一种半导体工艺设备及其挡板装置，该半导体工艺设备的挡板装置包括相互平行设置的第一挡板和第二挡板，且第一挡板与第二挡板间隔预设距离，第一挡板为带通孔的环状体，第二挡板与第一挡板紧固连接，且第一挡板在垂直于平行的方向上的投影覆盖...

本实用新型提供一种下电极结构及半导体工艺设备，下电极结构，应用于半导体工艺设备，下电极结构包括静电卡盘、绝缘盘、转接盘、进液管和出液管，静电卡盘设置在绝缘盘上，绝缘盘设置在转接盘上；绝缘盘中设置有进液通道和出液通道，静电卡盘中设置有冷却...

本申请公开了一种工艺腔室，涉及半导体装备领域。一种工艺腔室，包括腔体、设置于腔体顶部的介质窗、耦合线圈和用于调节耦合线圈的调节装置；所述调节装置包括机架和线圈支架，所述耦合线圈设置于所述线圈支架，并位于所述介质窗的背离所述腔体的一侧，所...

本实用新型提供一种用于半导体工艺腔室的调试辅助装置，包括底座、固定杆和移动杆，底座呈环状，固定杆固定设置在底座上，移动杆与固定杆连接，并能够相对于固定杆升降，且与底座的环内对应设置，移动杆能够下降靠近底座，并能够穿入底座的环内，或者能够...

本申请提供一种机械手，用于托起晶圆，包括托手和多个支撑部；多个支撑部在托手的第一表面上沿预设圆周分布，用于支撑晶圆的边缘，支撑部远离托手的一端具有用于支撑晶圆支撑面，各个支撑部的支撑面与第一表面之间形成让位空间。在机械手托起翘曲的晶圆时...

本申请实施例提供了一种密封装置及半导体工艺设备，其中，所述密封装置包括：极靴组件、磁性件和磁性液体；所述极靴组件包括沿转轴的径向方向依次设置的导磁环、环形的柔性导磁件和非导磁件；所述柔性导磁件用于供所述转轴穿过，所述导磁环环绕所述柔性导...

本实用新型公开了一种用于原子层沉积的进气系统及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，包括：容器，用于容置前驱体；载气管路，通过容器与反应腔室连通；稀释气体管路，与载气管路靠近反应腔室一端连通，以通过载气管路与反应腔室连通；第一管路隔离部件...

本实用新型提供一种半导体热处理设备的热电偶定位工装，其中，第一定位件和第二定位件的定位凹部对接形成用于夹持热电偶的定位孔；第一定位件和第二定位件的第一端均设置有定位面，用于与半导体热处理设备的反应腔室内壁相配合，以限定位于定位孔中的热电...

本申请公开了一种半导体工艺设备及其进气系统，属于半导体工艺技术领域，该进气系统包括混流器和工艺气体管路；混流器上设置有一个气体出口以及至少两个气体入口，每个气体入口连接有一个带第一气体流量控制器的进气管路；气体出口通过压力控制气体支路和...

本申请提供一种半导体工艺设备及其顶针装置，用于在半导体工艺设备的反应腔内支撑晶片，顶针装置包括顶针组件、伸缩缸机构、安装机构以及限位机构，其中，顶针组件位于反应腔内，伸缩缸机构与顶针组件相连，用于带动顶针组件升降；安装机构用于将伸缩缸机...

本实用新型提供一种半导体工艺设备，涉及半导体制造领域。该半导体工艺设备，包括传输腔室，设置于传输腔室的一侧且用于进行半导体工艺的第一工序的第一腔室，以及设置于传输腔室的另一侧且用于在进行完第一工序后进行第二工序的第二腔室，传输腔室与第一...