本发明提供一种高深宽比开口刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该高深宽比开口刻蚀方法包括：利用n个刻蚀步顺序对待刻蚀膜层进行刻蚀以形成目标刻蚀开口，n个刻蚀步所达到的刻蚀深度与待刻蚀膜层中的n个以深宽比划分的深度位置一一对应，...

本申请公开了一种抽气系统，涉及半导体装备领域。一种抽气系统，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，抽气系统包括：第一抽气路径、充气路径、抽吸通道、与抽吸通道连接的抽气装置、压力检测元件和温度检测元件；第一抽气路径的一端用于与工艺腔室连接，第一...

本申请提供一种半导体工艺设备及其下电极结构，下电极结构包括基座、卡盘、顶针机构以及射频馈入机构，其中，卡盘设置于基座上方，用于承载晶圆；基座包括基座本体，基座本体内部形成有容置空腔，顶针机构包括顶针、顶针支架和中心导向轴，中心导向轴固定...

本发明提供了一种半导体工艺设备的物料调度方法及半导体工艺设备，采用最小化全部物料完成加工的时长与全部物料在所有加工位置的驻留时长之和为目标的任务调度模型，实现了对物料的不同工序动态调节物料在加工位置的滞留时长，有效避免了现有方案存在的超...

本申请公开了一种磁性件运动控制装置及磁控溅射设备，磁性件运动控制装置，包括：升降基座；第一升降机构，与升降基座连接，用于驱动升降基座进行升降运动；转动件，贯穿升降基座设置，并且相对升降基座可转动，转动件包括一纵向延伸的通孔；转动机构，设...

本申请公开一种磁流体密封装置和半导体工艺设备，属于半导体工艺技术领域。所公开的磁流体密封装置用于半导体工艺设备，该磁流体密封装置包括旋转轴、磁流体密封组件和冷却组件，磁流体密封组件和冷却组件均套设于旋转轴，且磁流体密封组件与冷却组件相连...

本申请公开一种半导体工艺腔室，属于半导体加工技术领域。所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、基座、内衬和接地件，所述基座设置于所述腔室本体内且用于承载晶圆，所述内衬环绕所述基座设置，所述内衬的顶端与所述腔室本体相连，所述接地件包括相连的第...

本实用新型提供一种半导体设备的工艺腔室及半导体设备，包括遮蔽盘和可升降的基座，基座用于将待加工工件传输至工艺位置或者装卸位置，遮蔽盘用于遮蔽基座上的待加工工件，遮蔽盘的朝向基座的一侧设置有第一加热部件，基座设置有第二加热部件，第一加热部...

本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种匹配器升降装置及半导体工艺设备。匹配器升降装置包括升降机构、升降板、承载板和调平组件，承载板用于承载匹配器，升降板设于升降机构，承载板设于升降板的上方，调平组件分别与承载板和升降板相连，升降机构...

本发明提供了一种半导体加工腔室和半导体加工设备，涉及芯片加工技术领域，为解决现有半导体加工腔室中反应腔室射频能量损耗和干扰的问题而设计。半导体加工腔室包括：由相对设置的腔底壁和腔体屏蔽罩形成的外腔体，位于外腔体内的至少一个反应腔室，与各...

本发明公开了一种分立式栅极结构的制备方法，包括：提供半导体膜层结构，第一区域内的栅绝缘层的顶面高于第二区域内的栅绝缘层的顶面，并且第一区域和第二区域内的栅极层表面齐平；利用第一工艺气体对第一区域和第二区域内的栅极层进行第一刻蚀步以形成栅...

本申请公开一种半导体工艺设备的清洗腔室，其包括腔室外壳(100)、清洗液收集机构(001)、清洗液排放机构(002)和用于承载晶圆(600)的承载座(700)，清洗液收集机构(001)和承载座(700)均设于腔室外壳(100)内，且清洗...

本申请公开一种半导体工艺设备及其晶舟旋转速度的确定方法，属于半导体工艺技术。该方法包括：获取目标晶圆在预设晶舟转速下一次薄膜沉积的第一膜厚分布数据；根据第一膜厚分布数据和薄膜沉积周期，对目标晶圆进行多个不同的晶舟转速下的M次薄膜沉积的膜...

本发明公开了一种GaN刻蚀方法及高电子迁移率器件的制造方法，该刻蚀方法包括：利用第一工艺气体刻蚀GaN层至预设深度，第一工艺气体包括氯基气体；利用第二工艺气体继续刻蚀GaN层至目标深度，第二工艺气体包括刻蚀气体和钝化气体，钝化气体用于在...

本申请公开了一种晶圆刻蚀方法及半导体处理设备，晶圆刻蚀方法包括：获取下聚焦环在当前晶圆角度所历经的起辉总时长；若所述起辉总时长大于或等于预设时长阈值，则沿预设方向将待刻蚀晶圆相对于所述下聚焦环改变一预设单位角度再进行刻蚀，其中，所述预设...

本发明实施例提供了一种半导体暖机工艺任务的执行方法和半导体工艺设备，该方法应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括伪片装载端口，所述伪片装载端口用于装载多片伪片，该方法包括：从伪片装载端口可用的伪片中选取执行暖机工艺任务需要的伪片；...

本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种工艺腔室包括：腔体、第一隔热层、第二隔热层和进气管；第一隔热层和第二隔热层分别设于腔体内，并沿工艺腔室轴向排布，第一隔热层与第二隔热层之间形成燃烧区；进气管的一端穿过第二...

本发明提供一种应用于半导体工艺装置的射频匹配方法，包括控制每个射频电源按照预设射频功率进行输出，以使腔体内启辉并生成等离子体；检测反射至射频电源的反射功率；调节匹配器，使反射功率与预设射频功率的比值小于反射比例阈值；获取当前各工艺腔室的...

本发明属于半导体技术领域，具体公开一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成相互间隔的第一叠层结构和第二叠层结构，第一叠层结构和第二叠层结构分别包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层；在第一叠层结构和第二叠层结构之间填充隔离墙和牺牲...

本发明实施例公开一种形成导电互连结构的方法，包括：在导电层上形成预定掩膜图案；对第一掩膜图案进行掺杂，以在所述第一掩膜图案中形成预定深度的掺杂区域，其中，所述第一掩膜图案为已掺杂的所述预定掩膜图案，第二掩膜图案为未掺杂的所述预定掩膜图案...