半导体加工腔室和半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体加工腔室和半导体加工设备，涉及芯片加工技术领域，为解决现有半导体加工腔室中反应腔室射频能量损耗和干扰的问题而设计。半导体加工腔室包括：由相对设置的腔底壁和腔体屏蔽罩形成的外腔体，位于外腔体内的至少一个反应腔室，与各个反应腔室分别对应的导电连接件，导电连接件用于电连接位于外腔体外部的射频电源；反应腔室包括：相对且间隔设置的上电极和下电极以及上电磁屏蔽罩，上电磁屏蔽罩位于上电极上方以屏蔽上电极的至少部分表面；导电连接件穿过上电磁屏蔽罩与上电极电连接。本发明专利技术提供的半导体加工腔室可以减少工艺进行时反应腔室射频能量损耗和干扰。耗和干扰。耗和干扰。

【技术实现步骤摘要】
半导体加工腔室和半导体加工设备


[0001]本专利技术涉及芯片加工
，具体而言，涉及一种半导体加工腔室和半导体加工设备。

技术介绍

[0002]随着对微处理器、存储器的计算速度和功率需求的持续增加，组件的关键尺寸(CD)的持续降低，半导体器件制造面临着越来越大的挑战，特别在“后摩尔定律”时代，纳米级器件结构需要薄膜沉积精确控制在原子层级别。等离子体原子层沉积(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition，PEALD)技术已经成为下一代新型器件制造战略中的关键技术。与PVD和PECVD相比较，PEALD沉积的薄膜具有良好的共形性，精确的厚度控制能力，对高深宽比图形(pattern)结构的优异填充能力。此外，PEALD较低的工艺温度还有利于工艺的整合。然而，PEALD反应速度慢导致的低产能限制了其在集成电路产业的大产能(mass production)上的应用。为此出现的批次型(batch
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type)、双腔(twin chamber)和四腔(quadruple chamber)的等形式的P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工腔室，其特征在于，包括：由相对设置的腔底壁(100)和腔体屏蔽罩(450)形成的外腔体，位于所述外腔体内的至少一个反应腔室，与各个所述反应腔室分别对应的导电连接件(410)，所述导电连接件(410)用于电连接射频电源(510)；所述反应腔室包括：相对且间隔设置的上电极(520)和下电极以及上电磁屏蔽罩(300)，所述上电磁屏蔽罩(300)位于所述上电极(520)上方以屏蔽所述上电极(520)的至少部分表面；所述导电连接件(410)穿过所述上电磁屏蔽罩(300)与所述上电极(520)电连接。2.根据权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述外腔体内还设置有电磁屏蔽管(330)；所述电磁屏蔽管(330)的一端紧贴所述上电磁屏蔽罩(300)，另一端紧贴于所述腔体屏蔽罩(450)。3.根据权利要求2所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述上电磁屏蔽罩(300)包括：环形的罩侧壁(311)和与所述罩侧壁(311)固定设置的罩顶板(321)；所述罩顶板(321)设有供所述导电连接件(410)穿过的第一通孔。4.根据权利要求3所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述罩顶板(321)包括多块拼接设置的子板体(322)，相邻所述子板体(322)在拼接处重叠。5.根据权利要求4所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述子板体(322)设有预留开口，所述预留开口用于供所述导电连接件(410)穿过；且所述电磁屏蔽管(330)面向所述上电磁屏蔽罩(300)一端的管口覆盖所述预留开口。6.根据权利要求4所述的半导体加工腔室，其特征在于，相邻所述子板体(322)的拼接部位设有凸棱(324)，并且相邻的所述子板体(322)对应设置的所述凸棱(324)在水平面上重叠搭接且固定连接；或者，相邻所述子板体(322)的拼接部位，其中一者设置第一插槽(325)，另一者设置用于与所述第一插槽(325)匹配插接的第一凸起(326)。7.根据权利要求3所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述外腔体内还设置有：位于所述上电极(520)面向所述上电磁屏蔽罩(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：王歆銘，李浩东，郭浩，翟浩，迟文凯，任晓艳，王昊，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：