等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种防止异常放电的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其设置于上述等离子体处理腔室内，用于保持基片；和与上述基片支承部相对的喷淋头，上述喷淋头具有喷淋板，上述喷淋板形成有释放气体的气体流路，并包括：具有凹部的基材；和插入并被接合于上述凹部的埋入部件，上述气体流路包括：形成于上述基材并与上述凹部连通的第一流路；形成于上述埋入部件的第二流路；以及连通路，其形成于上述基材和上述埋入部件中的至少一者，将上述第一流路与上述第二流路连通。上述第二流路连通。上述第二流路连通。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及一种等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种等离子体处理装置，其具有上部电极，该上部电极通过使形成有气体释放孔的下部部件、形成有连通孔的中间部件和形成有气体通路孔的上部部件层叠而成。
[0003]另外，在专利文献2中公开了一种等离子体蚀刻用多层硅电极板，其将具有贯通细孔的薄的硅电极板重叠多个并用螺纹件固定在具有贯通细孔的冷却板。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利第5336968号公报
[0007]专利文献2：日本专利第3873277号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术问题
[0009]在一个方面中，本专利技术提供一种防止异常放电的等离子体处理装置。
[0010]用于解决技术问题的技术方案
[0011]为了解决上述技术问题，依照一个方式，能够提供一种等离子体处理装置，其包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其设置于上述等离子体处理腔室内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其设置于所述等离子体处理腔室内，用于保持基片；和与所述基片支承部相对的喷淋头，所述喷淋头具有喷淋板，所述喷淋板形成有释放气体的气体流路，所述喷淋板包括：具有凹部的基材；和插入并被接合于所述凹部的埋入部件，所述气体流路包括：形成于所述基材并与所述凹部连通的第一流路；形成于所述埋入部件的第二流路；以及连通路，其形成于所述基材和所述埋入部件中的至少一者，将所述第一流路与所述第二流路连通。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一流路和所述第二流路非同轴地配置。3.如权利要求1或2所述的等离子体处...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉山秀树，猪狩浩，长山将之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：