半导体设备的工艺腔室及半导体设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体设备的工艺腔室及半导体设备，包括遮蔽盘和可升降的基座，基座用于将待加工工件传输至工艺位置或者装卸位置，遮蔽盘用于遮蔽基座上的待加工工件，遮蔽盘的朝向基座的一侧设置有第一加热部件，基座设置有第二加热部件，第一加热部件和第二加热部件用于在预溅射工艺时同时对待加工工件进行加热，其中，待加工工件包括晶圆以及承载晶圆的承载盘。本实用新型专利技术提供的半导体设备的工艺腔室及半导体设备，能够降低承载盘破碎的风险，提高承载盘的使用稳定性及寿命。提高承载盘的使用稳定性及寿命。提高承载盘的使用稳定性及寿命。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备的工艺腔室及半导体设备


[0001]本技术涉及半导体
，具体地，涉及一种半导体设备的工艺腔室及半导体设备。

技术介绍

[0002]磁控溅射镀膜工艺是物理气相沉积工艺的一种。在现有的磁控溅射镀膜工艺中，晶圆会承载在承载盘上进行传输，在晶圆承载在承载盘上传输至工艺腔室内后，会在工艺腔室内进行磁控溅射镀膜工艺。磁控溅射镀膜工艺包括预溅射工艺阶段和镀膜工艺阶段，预溅射工艺阶段是为了使工艺腔内的等离子体启辉逐渐稳定，在预溅射工艺阶段中，工艺腔室内的基座对承载盘进行承载，并对承载盘承载的晶圆进行加热，工艺腔室内的遮蔽盘遮蔽在承载盘的上方，对承载盘承载的晶圆进行遮蔽，待工艺腔内的等离子体启辉稳定后，遮蔽盘离开承载盘的上方，取消对承载盘承载的晶圆的遮蔽，之后，可以进行镀膜工艺阶段，在晶圆的表面上镀膜。
[0003]但是，如图5所示，在现有的预溅射工艺阶段中，基座是从承载盘3的下方对承载于承载盘3上的晶圆进行加热(如图5中箭头所示)，导致承载盘3的上表面和下表面存在温差，造成承载盘3产生中间低边缘高的形变(如图5所示)，很容易造成承载盘3的破碎。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备的工艺腔室及半导体设备，其能够降低承载盘破碎的风险，提高承载盘的使用稳定性及寿命。
[0005]为实现本技术的目的而提供一种半导体设备的工艺腔室，包括遮蔽盘和可升降的基座，所述基座用于将待加工工件传输至工艺位置或者装卸位置，所述遮蔽盘用于遮蔽所述基座上的所述待加工工件，所述遮蔽盘的朝向所述基座的一侧设置有第一加热部件，所述基座设置有第二加热部件，所述第一加热部件和所述第二加热部件用于在预溅射工艺时同时对所述待加工工件进行加热，其中，所述待加工工件包括晶圆以及承载所述晶圆的承载盘。
[0006]可选的，所述遮蔽盘的朝向所述基座的一侧具有容置槽，所述第一加热部件设置在所述容置槽内。
[0007]可选的，所述第一加热部件包括光发热件，所述光发热件用于朝向所述待加工工件辐射热量，所述遮蔽盘还设置有反光部件，所述反光部件设置在所述容置槽内，并位于所述第一加热部件的背离所述基座的一侧，所述反光部件用于将所述第一加热部件发出的光反射向所述待加工工件。
[0008]可选的，所述反光部件的数量为多个，多个所述反光部件叠置。
[0009]可选的，所述第一加热部件的数量为多个，多个所述第一加热部件沿所述遮蔽盘的径向间隔布置，每个所述第一加热部件均呈条状且延伸方向均与多个所述第一加热部件
的间隔方向垂直，自所述遮蔽盘的中心至边缘，相邻的两个所述第一加热部件的间距逐渐减小。
[0010]可选的，所述工艺腔室还包括电连接组件，所述遮蔽盘包括遮蔽盘本体和绝缘固定环，所述遮蔽盘本体的朝向基座的一侧具有凹槽，所述固定环设置在所述凹槽的槽口端面下方，所述固定环与所述凹槽共同形成所述容置槽，所述第一加热部件的电极插入至所述固定环内与所述固定环固定连接，所述电连接组件的部分设置于所述固定环内，所述第一加热部件的电极通过所述电连接组件与电源电连接。
[0011]可选的，所述电连接组件包括正极连接部件、负极连接部件、正极导电部件和负极导电部件，所述正极连接部件设置在所述固定环内，并与所有所述第一加热部件的正极电连接，所述负极连接部件设置在所述固定环内，并与所有所述第一加热部件的负极电连接，所述正极导电部件的两端分别与所述电源的正极和所述正极连接部件电连接，所述负极导电部件的两端分别与所述电源的负极和所述负极连接部件电连接。
[0012]可选的，所述正极连接部件呈弧状，并沿所述固定环的周向延伸，和/或，所述负极连接部件呈弧状，并沿所述固定环的周向延伸。
[0013]可选的，所述固定环内设置有绝缘部件，所述正极连接部件与所述负极连接部件间隔设置，所述绝缘部件设置在所述正极连接部件与所述负极连接部件重叠的部分之间。
[0014]可选的，所述遮蔽盘的背离所述基座的一侧覆盖有隔热盖。
[0015]可选的，所述工艺位置包括预溅射工艺位和主溅射工艺位，所述预溅射工艺位位于所述主溅射工艺位和所述装卸位置之间，当所述待加工工件位于所述预溅射工艺位时，所述承载盘与所述遮蔽盘之间的距离大于等于1mm且小于等于2mm。
[0016]可选的，所述第一加热部件的加热功率和排布方式与所述第二加热部件的加热功率和排布方式相同。
[0017]本技术还提供一种半导体设备，包括如本技术提供的所述工艺腔室。
[0018]本技术具有以下有益效果：
[0019]本技术提供的半导体设备的工艺腔室，通过在遮蔽盘的朝向基座的一侧设置第一加热部件，可以在预溅射工艺阶段，遮蔽盘遮蔽基座上的待加工工件时，借助第一加热部件和第二加热部件同时对待加工工件进行加热，这样在预溅射工艺阶段，可以从待加工工件的上方和下方同时对待加工工件进行加热，从而能够降低承载盘在预溅射工艺阶段上表面和下表面的温差，继而能够降低承载盘在预溅射工艺阶段产生形变的程度，进而能够降低承载盘破碎的风险，提高承载盘的使用稳定性及寿命。
[0020]本技术提供的半导体设备，借助本技术提供的工艺腔室，能够降低承载盘破碎的风险，提高承载盘的使用稳定性及寿命。
附图说明
[0021]图1为本技术实施例提供的遮蔽盘的仰视结构示意图；
[0022]图2为本技术实施例提供的遮蔽装置的结构示意图；
[0023]图3为本技术实施例提供的遮蔽盘的负极导电部件及隔热套的结构示意图；
[0024]图4为本技术实施例提供的半导体设备的工艺腔室的结构示意图；
[0025]图5为承载盘呈中间低边缘高的形变状态时的示意图；
[0026]图6为本技术实施例提供的承载盘的上表面和下表面均受热时的状态示意图；
[0027]附图标记说明：
[0028]1‑
遮蔽盘；10
‑
遮蔽盘本体；11
‑
第一加热部件；12
‑
容置槽；13
‑
反光部件；141
‑
正极连接部件；142
‑
负极连接部件；143
‑
正极导电部件；144
‑
负极导电部件；15
‑
绝缘部件；16
‑
固定环；17
‑
隔热套；2
‑
转动组件；21
‑
驱动源；22
‑
传动部件；23
‑
支撑部件；3
‑
承载盘；4
‑
电源；500
‑
工艺腔室；501
‑
存储腔；502
‑
工艺腔；503
‑
进气口；504
‑
传片口；51
‑
基座；52...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的工艺腔室，其特征在于，包括遮蔽盘和可升降的基座，所述基座用于将待加工工件传输至工艺位置或者装卸位置，所述遮蔽盘用于遮蔽所述基座上的所述待加工工件，所述遮蔽盘的朝向所述基座的一侧设置有第一加热部件，所述基座设置有第二加热部件，所述第一加热部件和所述第二加热部件用于在预溅射工艺时同时对所述待加工工件进行加热，其中，所述待加工工件包括晶圆以及承载所述晶圆的承载盘。2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述遮蔽盘的朝向所述基座的一侧具有容置槽，所述第一加热部件设置在所述容置槽内。3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一加热部件包括光发热件，所述光发热件用于朝向所述待加工工件辐射热量，所述遮蔽盘还设置有反光部件，所述反光部件设置在所述容置槽内，并位于所述第一加热部件的背离所述基座的一侧，所述反光部件用于将所述第一加热部件发出的光反射向所述待加工工件。4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述反光部件的数量为多个，多个所述反光部件叠置。5.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一加热部件的数量为多个，多个所述第一加热部件沿所述遮蔽盘的径向间隔布置，每个所述第一加热部件均呈条状且延伸方向均与多个所述第一加热部件的间隔方向垂直，自所述遮蔽盘的中心至边缘，相邻的两个所述第一加热部件的间距逐渐减小。6.根据权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括电连接组件，所述遮蔽盘包括遮蔽盘本体和绝缘固定环，所述遮蔽盘本体的朝向基座的一侧具有凹槽，所述固定环设置在所述凹槽的槽口端面下方，所述固定环与所述凹槽共同形成所述容置槽，所述第一加热部件的电极插入至所述固定环内与所述固定环固定连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋玲彦，郭冰亮，马迎功，赵晨光，杨健，周麟，冯颜召，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：