本实用新型专利技术公开了一种半导体器件用微纳米粉体镀膜设备，包括真空腔室、设置在真空腔室中的磁控溅射装置以及与真空腔室连接的真空系统，还包括设置在真空腔室中的多边形镀膜滚筒和转动支架，所述多边形镀膜滚筒和转动支架均与真空腔室内壁转动连接，还包括电机，所述多边形镀膜滚筒和转动支架分别通过电机驱动转动，所述转动支架设置在多边形镀膜滚筒内部,多个所述磁控溅射装置安装在转动支架上，各所述磁控溅射装置的溅射侧均朝向多边形镀膜滚筒。本申请的镀膜设备，通过滚动的方式对微纳米粉体进行分散，避免粉体成团，提高粉体表面镀膜均匀性；通过在转动支架上设置多个磁控溅射装置，在滚动镀膜的同时便于更换不同靶材，实现多层镀膜。实现多层镀膜。实现多层镀膜。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件用微纳米粉体镀膜设备
[0001]本技术涉及粉体镀膜
，具体涉及一种半导体器件用微纳米粉体镀膜设备。
技术介绍
[0002]随着信息技术的发展，人们对于半导体器件的需求不断增大，计算机市场、网络信息技术市场发展迅猛，CPU集成度越来越大，运算速度越来越快，家庭电脑和上网用户越来越多，对计算机技术和网络技术的要求也越来越高，作为技术依托的微电子工业也获得了飞速的发展。以集成电路为代表的微电子技术与微电子产业是信息产业的核心与基础。目前世界微电子产业已经超过重金属、汽车和农业而成为全球最大的产业。微电子产业集多种高新技术与一体，其应用遍及几乎所有工业部门，在国民经济中发挥着巨大的支撑作用。
[0003]微电子产业中，微粉半导体材料的加工制备及应用至关重要，粉体镀膜设备更多运用到其中。磁控溅射工艺是一种新型的物理气相沉积方法，入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来在粉末表面形成涂层，中间工艺不产生废液或废气，是一种经济、安全、环保的生产工艺。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。但在微纳米粉体表面镀膜相比于其他材料更困难，由于微纳米粉体的比表面积和表面能较大，曲率半径小，不能通过简单分散实现，很难在微纳米粉体的表面实现均匀的涂层处理。
[0004]现有技术进行过研究，例如中国专利201521130158.7公开了一种用于微纳米粉体镀膜的连续生产设备，通过传送带输送粉体，利用震动电机和超声波控制粉体的抖动及分散。但这种分散微纳米粉体的方式效果有限，微纳米粉体只是在传送带上小幅度震动，处于底层的微纳米粉体仍无法均匀镀膜。
[0005]现有的半导体器件用微纳米粉体镀膜设备存在的问题是：微纳米粉体容易聚集成团，在镀膜过程中分散效果不好，仅采用抖动方式仍无法保证所有微纳米粉体均匀镀膜。
技术实现思路
[0006]有鉴于此，本技术的目的是提供一种半导体器件用微纳米粉体镀膜设备，以解决微纳米粉体难以分散，粉体表面镀膜不均匀的问题。
[0007]本技术通过以下技术手段解决上述问题：
[0008]一种半导体器件用微纳米粉体镀膜设备，包括真空腔室、设置在真空腔室中的磁控溅射装置以及与真空腔室连接的真空系统，还包括设置在真空腔室中的多边形镀膜滚筒和转动支架，所述多边形镀膜滚筒和转动支架均与真空腔室内壁转动连接，还包括电机，所述多边形镀膜滚筒和转动支架分别通过电机驱动转动，所述转动支架设置在多边形镀膜滚筒内部,多个所述磁控溅射装置安装在转动支架上，各所述磁控溅射装置的溅射侧均朝向
多边形镀膜滚筒。
[0009]进一步，所述多边形镀膜滚筒的外侧安装有加热器和超声波震动器。
[0010]进一步，所述磁控溅射装置包括冷却水管路、磁控溅射电源、固定板、屏蔽罩和靶材，所述磁控溅射电源连接靶材，所述冷却水管路与靶材接触，所述屏蔽罩安装在靶材上，所述屏蔽罩在磁控溅射装置的溅射侧设有开口。
[0011]进一步，所述真空系统包括抽真空装置、进气装置和真空检测装置。
[0012]进一步，所述抽真空装置包括通过真空抽气管道依次连接的分子泵、扩散泵和旋片泵，所述真空抽气管道上设置有抽真空阀门。
[0013]进一步，所述进气装置包括通过气体管路连接的气瓶，所述气体管路上设置有进气阀门。
[0014]进一步，所述真空监测装置包括连接在真空腔室一侧的真空规管和真空计。
[0015]本技术至少具备以下有益效果：
[0016]1、通过将微纳米粉体放置在多边形镀膜滚筒中，通过电机驱动镀膜滚筒转动并进行镀膜，滚筒滚动使微纳米粉体更加容易分散，避免聚集成团，提高微纳米粉体表面镀膜的均匀性。
[0017]2、通过转动支架上安装多个磁控溅射装置，不同的磁控溅射装置可以使用不同的靶材，需要切换靶材时，只需要将装有对应靶材的磁控溅射装置旋转至下方，启动对应磁控溅射装置即可进行不同靶材镀膜，便于切换靶材实现多层复合镀膜。
附图说明
[0018]下面结合附图和实施例对本技术作进一步描述。
[0019]图1是本技术公开的半导体器件用微纳米粉体镀膜设备结构剖视图；
[0020]图2是本技术公开的磁控溅射装置主视图；
[0021]图3是图2的俯视图；
[0022]图4是本技术公开的真空系统示意图。
具体实施方式
[0023]下面通过附图和实施例对本技术进一步详细说明。通过这些说明，本技术的特点和优点将变得更为清楚明确。显然,所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。
[0024]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0025]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个
以上，除非另有明确具体的限定。
[0026]参见图1和图2，本技术实施公开了一种半导体器件用微纳米粉体镀膜设备，包括真空腔室1、设置在真空腔室中的磁控溅射装置2以及与真空腔室连接的真空系统3，还包括设置在真空腔室中的多边形镀膜滚筒4和转动支架5，所述多边形镀膜滚筒和转动支架均与真空腔室之间转动连接，还包括电机，所述多边形镀膜滚筒4和转动支架5分别通过电机驱动转动，所述转动支架5设置在多边形镀膜滚筒4内部,多个所述磁控溅射装置2安装在转动支架5上，各所述磁控溅射装置2的溅射侧均朝向多边形镀膜滚筒4。具体的，微纳米粉体放置在多边形镀膜滚筒4内部，微纳米粉体随着多边形镀膜滚筒滚动而被分散开。多边形镀膜滚筒的一侧连接有第一传动轴，所述第一传动轴穿过真空腔室并与真空腔室的内壁转动连接，第一传动轴伸出真空腔室外的轴段上连接有齿轮，第一电机通过齿轮传动而驱动第一传动轴转动,从而驱动多边形镀膜滚筒转动。所述转动支架的中心连接有第二传动轴，所述第二传动轴依次从多边形镀膜滚筒未连接第一传动轴的一侧和真空腔室内壁穿过，所述第二传动轴与多边形镀膜滚筒的侧壁及真空腔室的内壁转动连接。第二传动轴伸出真空腔室外的轴段上也连接有齿轮，第二电机通过齿轮传动而驱动第二传本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件用微纳米粉体镀膜设备，包括真空腔室(1)、设置在真空腔室中的磁控溅射装置(2)以及与真空腔室连接的真空系统(3)，其特征在于：还包括设置在真空腔室(1)中的多边形镀膜滚筒(4)和转动支架(5)，所述多边形镀膜滚筒(4)和转动支架(5)均与真空腔室(1)内壁转动连接，还包括电机，所述多边形镀膜滚筒(4)和转动支架(5)分别通过电机驱动转动，所述转动支架(5)设置在多边形镀膜滚筒(4)内部,多个所述磁控溅射装置(2)安装在转动支架(5)上，各所述磁控溅射装置(2)的溅射侧均朝向多边形镀膜滚筒(4)。2.根据权利要求1所述的半导体器件用微纳米粉体镀膜设备，其特征在于：所述多边形镀膜滚筒(4)的外侧安装有加热器和超声波震动器。3.根据权利要求2所述的半导体器件用微纳米粉体镀膜设备，其特征在于：所述磁控溅射装置(2)包括冷却水管路(201)、磁控溅射电源(202)、固定板(203)、屏蔽罩(204)和靶材(205)，所述磁控溅射电源(202)连接靶材(205)，所述冷却水管路(201)与靶材(205)接触，所述屏蔽罩(204)安装在靶材...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘雄飞，魏秋平，蒋韬，罗立珍，李俊，施应磊，汤博宇，周强胜，黄开塘，
申请(专利权)人：湖南辰皓真空科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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