一种半导体暖机工艺任务的执行方法和半导体工艺设备技术

本发明专利技术实施例提供了一种半导体暖机工艺任务的执行方法和半导体工艺设备，该方法应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括伪片装载端口，所述伪片装载端口用于装载多片伪片，该方法包括：从伪片装载端口可用的伪片中选取执行暖机工艺任务需要的伪片；确定所选取的伪片中每一片伪片的当前已使用次数；根据各个伪片的当前已使用次数，预测各个伪片在执行完暖机工艺任务之后的使用次数是否超过预设使用次数阈值；在所选取的伪片均未超过预设使用次数阈值的情况下，执行暖机工艺任务。从而可以在机台内部的伪片装载端口处直接执行暖机工艺任务，提高了装载端口的利用率和产能，缩短了工艺腔室恢复的时间，并且对伪片的使用次数进行管控，降低了人力成本。降低了人力成本。降低了人力成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体暖机工艺任务的执行方法和半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体暖机工艺任务的执行方法和一种半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]目前主流半导体工厂的刻蚀工艺的晶圆加工方式主要包括两种：自动任务(Auto Job)和手动任务(Manual Job)。Auto Job是通过工厂端的生产控制系统(EAP系统)按照SEMI标准给机台端设备软件下达指令，预先设置晶圆所在的晶圆盒ID(FoupID)、晶圆(Wafer)层数、工艺制程配方(Process Recipe)、晶圆传输路径(Route Recipe)等，机台自动执行工艺；Manual Job指操作人员将晶圆盒(Foup)搬到装载端口(Load Port)上，在机台端软件上手动选择FoupId、Wafer层数、Process Recipe和Route Recipe等参数来执行。
[0003]在腔室恢复生产过程中，需要使用多片伪片(Dummy wafer)进行暖机任务，以恢复工艺腔室状态来满足量产工艺条件。在现有技术中需要在装载端口上使用Au本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体暖机工艺任务的执行方法，其特征在于，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括伪片装载端口，所述伪片装载端口用于装载多片伪片；所述方法包括：从所述伪片装载端口可用的伪片中选取执行所述暖机工艺任务需要的伪片；确定所选取的伪片中每一片伪片的当前已使用次数；根据各个所述伪片的当前已使用次数，预测各个所述伪片在执行完所述暖机工艺任务之后的使用次数是否超过预设使用次数阈值；在所选取的伪片均未超过所述预设使用次数阈值的情况下，执行所述暖机工艺任务。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述伪片装载端口可用的伪片中选取执行所述暖机工艺任务需要的伪片，包括：将所述伪片装载端口可用的伪片按照已使用次数从小到大的顺序排序；按照已使用次数从小到大的顺序确定执行所述暖机工艺任务需要的伪片。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述确定所选取的伪片中每一片伪片的当前已使用次数之前，还包括：确定暖机工艺任务模式；所述暖机工艺任务模式包括顺序执行模式或循环执行模式；所述顺序执行模式为在一次所述暖机工艺任务中，所有执行所述暖机工艺任务的伪片不能重复使用；所述循环执行模式为在一次所述暖机工艺任务中，部分执行所述暖机工艺任务的伪片重复使用。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定暖机工艺任务模式，包括：判断所述伪片装载端口中当前可用的伪片是否小于执行所述暖机工艺任务需要的伪片；若当前可用的伪片小于执行所述暖机工艺任务需要的伪片，则确定所述暖机工艺任务模式为所述循环执行模式；若当前可用的伪片大于或等于执行所述暖机工艺任务需要的伪片，则确定所述暖机工艺任务模式为所述顺序执行模式或所述循环执行模式。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述暖机工艺任务模式为顺序执行模式的情况下，所述根据所述每一片伪片的当前已使用次数，预测所述伪片的使用次数是否超过预设使用次数阈值，包括：计算每一片所述伪片的当前已使用次数加一的值，判断每一片所述伪片的当前已使用次数加一的值是否超过所述预设使用次数阈值；或者所述在未超过所述预设使用次数阈值的情况下，执行所述暖机工艺任务，包括：在每一片所述伪片的当前已使用次数加一的值未超过所述预设使用次数阈值的情况下，将所述暖机工艺任务需要的伪片，依次执行暖机工艺任务。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述暖机工艺任务模式为循环执行模式的情况下，所述按照已使用次数从小到大的顺序确定执行所述暖机工艺任务需要的伪片，包括：按照已使用次数从小到大的顺序确定可复用的伪片数量K；其中，K小于或等于所述暖机工艺任务需要的...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐凯，尤艳艳，钟晨玉，孔令帅，孙运东，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：