本申请公开了一种半导体工艺设备及最优阻抗值获取方法、扫频匹配方法，属于半导体工艺技术。该扫频匹配方法包括以下步骤：根据当前待执行的等离子体刻蚀工艺，获取可变阻抗器件的最优阻抗值；将该可变阻抗器件的阻抗固定在该最优阻抗值；开启射频电源的扫...

本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于对包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构进行选择性刻蚀，包括：当从所述叠层结构中选择性地刻蚀SiGe层时，利用第一刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述...

本发明公开了一种氧化硅的刻蚀方法，包括：提供衬底，衬底包括氧化硅层，氧化硅层上设有掩膜层；向工艺腔室通入第一刻蚀气体，并向工艺腔室的上电极和下电极分别加载上电极功率信号和下电极功率信号，以对氧化硅层进行刻蚀，在氧化硅层中形成刻蚀沟槽，上...

本发明公开一种清洗腔室，包括腔室本体、排风箱体、调节机构和排液装置；排风箱体位于腔室本体之外，且排风箱体与腔室本体相连通，排风箱体开设有与外界空间相连通的通孔；调节机构包括调节板，调节板可活动地位于排风箱体内，调节板用于调节排风箱体的排...

本申请公开了一种工艺腔室及其去除晶圆表面光刻胶的方法，属于半导体工艺技术。该方法包括以下步骤：在工艺腔室内对晶圆完成刻蚀步骤后，继续向工艺腔室通入第一工艺气体，以清除光刻胶层表面上的刻蚀残留聚合物，第一工艺气体包括含氟气体或含氢气体；向...

本申请公开一种晶圆承载装置及半导体外延设备，基座具有第一表面与第二表面，第一表面用于承载晶圆，第一表面与第二表面相背，N个支架、旋转轴、第一红外测温计与第二红外测温计均设置于第二表面所在的一侧，N个支架的第一端相对于第二表面偏心布设，且...

本实用新型涉及晶圆传输设备技术领域，具体而言，涉及一种夹持装置及晶圆传输设备。夹持装置用于夹持晶圆，夹持装置包括传动机构、夹持手指和驱动机构；驱动机构与传动机构连接，用于驱动传动机构运转，传动机构和/或驱动机构具有自锁功能；传动机构与夹...

本实用新型涉及半导体加工设备技术领域，具体而言，涉及一种静电卡盘及半导体工艺设备。静电卡盘包括基座和绝缘层；基座设有冷却结构，绝缘层设于基座的顶部；绝缘层的顶部具有承载面，承载面用于承载通过框架和载体带支撑的晶圆；基座的顶部具有环形凸起...

本申请公开一种半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括腔室(100)、磁控管组件(200)和磁体组件(300)，所述磁控管组件(200)设于所述腔室(100)的顶部，所述磁体组件(300)环绕设置在所述腔室(100)之外，以使所述磁控管组...

本申请公开了一种射频馈入机构、工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种射频馈入机构，应用于半导体工艺设备，所述射频馈入机构包括：多个馈入柱、多个馈入套筒和射频线圈；多个所述馈入套筒分别可活动地连接于所述射频线圈；多个所述馈入柱...

本申请提供了一种半导体热处理设备，包括炉体、测温机构和安装件；安装件用于与炉体的外侧壁固定连接，安装件具有用于与炉体的测温孔位置相对应的安装孔，安装件还具有围绕安装孔设置的第一密封面，第一密封面用于与炉体的外侧壁进行面面配合密封；测温机...

本申请公开一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、上盖、铰链机构和调节件，所述铰链机构包括设于所述腔室本体的支架和与所述上盖固定连接的连接件；所述连接件可转动地设置于所述支架，以使...

本实用新型涉及半导体工艺设备技术领域，具体而言，涉及一种反应腔室及半导体工艺设备。反应腔室包括内衬、基座和传动结构；内衬包括内衬外层和空套于内衬外层之内的内衬内层，内衬内层围成用于工艺区，内衬内层具有内层排气孔，内衬外层具有外层排气孔；...

本实用新型公开一种半导体工艺设备及其压环组件、聚焦环，所公开的压环组件用于压盖位于半导体工艺设备的承载装置上的晶圆，所述压环组件包括压环本体和第一导向部，所述第一导向部环设于所述压环本体的底壁，所述第一导向部凸出于所述底壁，所述底壁具有...

本实用新型提供了一种半导体反应腔室，涉及半导体制造设备技术领域，为解决升降机构带动边缘保护环升降过程中，极易发生晃动，致使边缘保护环与基环碰撞产生颗粒的问题。该半导体反应腔室中，基座的外缘设置多个第一导向结构，第一导向结构具有导向孔，多...

本发明提供一种工艺腔室、半导体工艺设备和薄膜沉积方法，包括：反应腔室，在反应腔室中设置有用于承载晶圆的基座；加热腔室，与反应腔室连通；加热腔室的顶部设置有热辐射装置，用于朝向加热腔室内部辐射热量；传输装置，设置于反应腔室中，用于承载晶圆...

本发明实施例提供了一种上电安全保护系统和半导体工艺设备，所述上电安全保护系统用于接入供电电源进行配电输出；所述上电安全保护系统包括：供电模块接入所述供电电源；第一回路模块检测所述供电电源的状态参数，依据所述状态参数控制所述供电模块的通断...

本申请公开了一种配置文件的生成方法、装置、半导体工艺设备及总控装置，其中，该方法在配置文件的生成过程中，通过数据获取接口自动获取目标设备的上下位机参数，基于获取的上述参数，生成配置文件，在配置文件的生成过程中无需人工依次访问上位机参数和...

本发明提供一种液源汽化系统，应用于半导体工艺设备，包括：依次连通的液源管路、汽化装置和输出管路；液源汽化系统还包括：吹扫管路，吹扫管路与汽化装置连通；第一控制单元，第一控制单元用于控制吹扫管路与汽化装置连通或液源管路与汽化装置连通；尾气...

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的腔室清洁方法和半导体工艺设备，该方法包括：当确定了需要清洁的目标后序腔室时，将前序腔室中的其中一个腔室作为目标前序腔室，并停止向目标前序腔室输入晶圆；当检测到在目标前序腔室中完成了工艺的晶圆，在后序...