本申请公开了一种半导体处理设备，包括工艺外管和套设在工艺外管的内侧的工艺内管，工艺外管形成工艺腔室，半导体处理设备还包括用于向工艺腔室内供气的进气管组件；工艺内管上设有第一连接孔；进气管组件包括依次连接的第一进气管和第二进气管；第一进气...

本发明提供了一种气体分配装置和原子沉积设备，涉及硅片加工技术领域，为解决原子层沉积过程中气流不均匀的问题而设计。气体分配装置应用于半导体设备；半导体设备包括顶部设置有盖板的反应腔体，盖板具有与反应腔体连通的进气口；气体分配装置位于盖板下...

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种雾化器、汽化器、半导体工艺设备及方法。该雾化器包括喷嘴和载气室，载气室用于提供载气，喷嘴用于提供喷洒液体；喷嘴的出液口靠近且连通于雾化器的雾化出口；载气室的出气口靠近且连通于雾化出口，载气室内...

本发明提供一种加热炉体和半导体设备，该加热炉体包括：环形保温体，所述环形保温体包括多个环形分体，且沿轴向依次连接形成连续的环体，所述环形分体为采用硬质材料制作的刚性保温体；以及相互独立且沿环形保温体的轴向依次设置的多个加热结构，各个所述...

本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选择性地去除SiG...

本发明提供一种半导体结构的刻蚀方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括刻蚀目标层和依次形成于刻蚀目标层上的刻蚀停止层、图形化的芯轴层和侧墙沉积层，其中，侧墙沉积层包括覆盖于芯轴层图形顶面和刻蚀停止层表面的第一侧墙部分以及覆盖于芯轴层图...

本发明提供了一种半导体器件的干法去胶方法及半导体工艺设备，该方法包括提供经刻蚀工艺处理后的待加工件，待加工件包括含碳的膜层；在待加工件的去胶过程中提供主反应气体和膜层侧壁保护气体，主反应气体包括含氧气体，膜层侧壁保护气体包括含硫气体，含...

本申请公开了一种硅化物的蚀刻方法，包括：通入第一无氮气体对所述硅化物进行蚀刻，所述第一无氮气体含有碳和氟，且氟碳比小于或者等于2；通入第二无氮气体清除刻蚀后的副产物；通入第三无氮气体清除刻蚀后的残存物，所述第三无氮气体含有碳和氟，且氟碳...

本发明公开了一种晶圆冷却装置及半导体工艺设备，该装置包括：箱体，箱体内设置有多个晶圆传输机构和晶圆冷却装置系统；晶圆传输机构用于传输晶圆；晶圆冷却装置系统包括与多个晶圆传输机构一一对应设置的喷淋组件；喷淋组件与冷却气体输送管路连接，喷淋...

本发明提供一种半导体加工设备，其第一工艺腔室的进气口在第二方向上的宽度小于共用进气座体的混气腔在第二方向上的宽度，第二工艺腔室的进气口在第二方向上的宽度等于共用进气座体的混气腔在第二方向上的宽度，半导体加工设备具有第一安装组合状态和第二...

本发明提供了一种半导体设备的工艺控制方法、上位机、控制器及系统，涉及半导体技术领域，该半导体设备的工艺控制方法包括：获取控制半导体设备完成预设工艺流程需要的工艺文件；其中，工艺文件基于接收到的工艺配置参数生成，工艺文件包括完成预设工艺流...

本发明提供一种下电极馈入装置和半导体加工设备，该装置包括射频馈入组件，射频馈入组件的一端用于与射频源电连接，另一端用于与卡盘组件电连接；射频馈入组件包括至少两个射频馈入管和至少一个射频转接管；其中，每相邻两个射频馈入管均设置有第一配合部...

本发明提供一种半导体设备中的测试晶片调度方法、装置和半导体设备，包括：将第一预定数量的测试晶片划分为多个测试晶片组；在需要使用第二预定数量的测试晶片执行工艺时，按照预设顺序，依次对多个测试晶片组进行遍历；如果在遍历时累计得到的可用测试晶...

本申请实施例提供了半导体工艺腔室及其控制方法，其中，所述半导体工艺腔室，包括：腔室本体，距离检测装置，以及设置在腔室本体内的磁悬浮定子和环形的磁悬浮转子；磁悬浮定子用于驱动磁悬浮转子悬浮和旋转；磁悬浮转子的目标侧面设有多个检测部，多个检...

本发明实施例提供一种碳化硅籽晶粘接方法，其包括：在籽晶托的粘接面上形成第一有机层，用以降低籽晶托的孔隙率；在碳化硅籽晶的粘接面上形成第二有机层，用以保护碳化硅籽晶；将柔性阻隔片的两个表面分别与籽晶托上的所述第一有机层和碳化硅籽晶上的第二...

本发明实施例提供了阀门测试装置及方法；该阀门装置包括：第一输入管路和第一输出管路；待测阀门的一端通过第一输入管路连接于供液组件的出液端，另一端通过第一输出管路连接于供液组件的进液端；第一输入管路设有第一输入开关阀；第一输出管路设有第一输...

本发明实施例提供了一种传输路径生成方法，该方法包括：获取每个工艺腔室的腔室状态，工艺腔室包括多组酸槽工艺腔室和水槽工艺腔室，物料在经过酸槽工艺腔室的加工后需转移至同组的水槽工艺腔室；根据腔室状态，设置工艺腔室的工艺状态；根据腔室状态，生...

本发明实施例提供了一种射频电源测试系统，包括：负载模拟装置与所述射频电源输出端连接，用于在测试所述射频电源时，接收并执行控制指令，以模拟客户端在预设场景下的阻抗特性；上位机与所述负载模拟装置连接，用于接收预设设置指令，依据所述预设设置指...

本实用新型公开了一种半导体清洗设备的清洗臂机构及半导体清洗设备，涉及半导体技术领域，清洗臂结构包括设置在安装底板上的驱动组件和清洗臂旋转组件，驱动组件与清洗臂旋转组件之间通过传动带传动，驱动组件通过安装部件与安装底板连接，安装部件上设置...

本实用新型公开了一种半导体清洗设备的清洗臂机构及半导体清洗设备，涉及半导体技术领域，清洗臂结构包括设置在安装底板上的驱动组件和清洗臂旋转组件，驱动组件与清洗臂旋转组件之间通过传动带传动，驱动组件通过安装部件与安装底板连接，安装部件上设置...