本实用新型提供一种半导体工艺设备，包括：腔室主体

本实用新型提供一种进气装置及半导体加工设备，该装置中，在第一方向上依次连通的进气座体和匀流件，且匀流件与进气座体可拆卸地连接；其中，进气座体具有混气腔，混气腔用于与至少一个进气管路连通；匀流件用于与半导体工艺设备的工艺腔室连通，匀流件中...

本实用新型提供一种进气装置及半导体工艺设备，进气装置包括容器、进气管、导气管和浮子；容器内部盛装有能够蒸发形成气体的液体；进气管的流入端与气源连通、流出端伸入至容器内；导气管具有进气端和出气端，进气端与流出端连通，且进气端通过转动轴与进...

本实用新型提供一种半导体设备，涉及半导体技术领域，包括：工艺腔室；设置于工艺腔室内的：用于承载晶圆的晶圆承载部件、用于驱动晶圆承载部件旋转的驱动机构以及用于加热晶圆的加热部件；设置在工艺腔室外的晶圆检测装置；其中，工艺腔室沿水平方向相对...

本实用新型提供一种电源馈入组件，包括电源引入板和多个可导电的电流调节件，其中，电源引入板具有电流引入部和多个电流调节缝，电流引入部设于电源引入板的中心，多个电流调节缝设置于电源引入板的边缘与电流引入部之间部位，且沿电源引入板的周向间隔设...

本实用新型提供一种磁悬浮转子，应用于半导体工艺设备。磁悬浮转子包括：转子主体，用于通过与磁悬浮定子相互作用而旋转；环形承载壁，设置于转子主体的顶部，用于承载晶圆。磁悬浮转子包括设置于转子主体顶部的环形承载壁，能够增加磁悬浮转子的风阻受力...

本实用新型提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，半导体工艺腔室包括腔体，腔体内设置有承载装置以及第一加热组件，承载装置具有多个沿竖直方向间隔设置的用于承载晶圆的承载部，第一加热组件具有沿腔体的周向延伸的环形辐射区以环绕所述承载装置，第...

本实用新型提供一种喷嘴屏蔽套筒、喷嘴组件、进气结构及工艺腔室，涉及半导体技术领域，喷嘴用于向工艺腔室提供工艺气体，喷嘴屏蔽套筒包括：至少两个屏蔽片，至少两个屏蔽片中至少两个用于分别与工艺腔室的进气管路电连接；其中，各个屏蔽片沿喷嘴的轴向...

本实用新型提供一种射频电源，涉及半导体技术领域，包括：冷却壳体，设置在射频电源内部；冷源部件，设置在冷却壳体的内部，冷却壳体的内壁与冷源部件的外壁之间能够形成真空腔室；电路板，设置于冷源部件朝向真空腔室的一侧；解决现有技术中为了射频电源...

本申请公开一种下电极组件和晶圆加工设备，下电极组件中，边缘保护机构的基环用以环绕承载于卡盘的晶圆设置，且基环的上表面位于晶圆之外；基环设有均沿基环的周向间隔排布的多个送气孔和多个抽气孔，各送气孔均位于基环的内壁，且与所述晶圆的边缘对应，...

本申请公开一种混液装置和半导体工艺设备，混液装置中，第一输液管和第二输液管均与混液容器连通，第一溢流管路的溢流入口与混液容器的底面连通，且第一溢流管路的一部分位于混液容器的预设高度，第一溢流管路设有第一开关阀；第一输液管用于向处在排空状...

本实用新型提供一种托盘以及半导体工艺设备；其中，托盘表面上开设有多个片槽，多个片槽均包括用于放置晶圆的圆形空间；其中，多个片槽中的至少部分片槽中的还包括外扩空间；外扩空间位于片槽的靠近托盘边缘的一侧并与圆形空间相连通，且外扩空间用于调整...

本实用新型提供一种冷泵挡板调节结构及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，包括：基座，基座设置在冷泵的抽气口的上方，基座上设置有通气孔，通气孔用于连通冷泵和工艺腔室，基座和挡板相对的表面其中之一设置有电磁铁，基座和挡板相对的表面其中另一设...

本申请提供一种半导体工艺腔室及其顶针高度调节装置，半导体工艺腔室中设置有用于承载晶圆的基座，顶针高度调节装置包括执行部和顶针组件，顶针组件可升降地穿设于基座，顶针组件的外侧壁设有高度标识，执行部和顶针组件数量相等，且一一对应地连接；顶针...

本申请提供一种运输装置，应用于半导体工艺设备，包括主动抓取机构

本发明公开了一种碳化硅晶体的制备方法，包括：在碳化硅生长所用的坩埚中依次填装第一碳化硅粉料层和第二碳化硅粉料层，并在坩埚顶部设置籽晶；其中，第二碳化硅粉料层中的碳组分含量大于第一碳化硅粉料层中的碳组分含量，且第二碳化硅粉料层的体积小于第...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种含

本发明公开了一种侧壁刻蚀方法和半导体工艺设备，其中侧壁刻蚀方法包括：提供待刻蚀结构，待刻蚀结构包括基底台阶以及位于基底台阶的侧壁

本发明提供了一种膜层刻蚀方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：第一刻蚀步，利用第一刻蚀气体对目标膜层进行刻蚀，以形成预设深度的沟槽；其中，预设深度小于目标深度，第一刻蚀气体包含对目标膜层起刻蚀作用的第一元素和能够与目标膜层生成聚合物以保...

本发明提供了一种进气控制方法